Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Położenie poziomu Fermiego na powierzchni GaN oraz rozkład pól elektrycznych w heterostrukturach AlGaN/GaN osadzanych na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej

2011/03/B/ST3/02633

Słowa kluczowe:

GaN wbudowane pola elektryczne spontaniczna i piezoelektryczna polaryzacja poziom Fermiego spektroskopia modulacyjna

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Robert Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 9

Konkurs: OPUS 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 599 200 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-08-07

Zakończenie projektu: 2015-08-06

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (9)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Engineering of electric field distribution in GaN(cap)/AlGaN/GaN heterostructures by thickness of GaN(cap) and AlGaN layer: theoretical and experimental studies IF: 2,721
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, L. Janicki, J. Misiewicz, K. Klosek, M. Sobanska, Z.R. Zytkiewicz, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D (rok: 2016, tom: 49, strony: 345106), Wydawca: Institute of Physics Publising
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/49/34/345106 - link do publikacji
  2. Surface properties of c-plane GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy IF: 1,29
    Autorzy:
    G. Cywinski, R. Kudrawiec, Ł. Janicki, J. Misiewicz, C. Cheze, M. Siekacz, and M. Sawicka, P. Wolny, M. Bockowski, and Cz. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Vacuum Science and Technology B (rok: 2013, tom: 31(3), strony: 03C112), Wydawca: AVS
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1116/1.4793765 - link do publikacji
  3. Contactless electroreflectance studies of surface potential barrier for N- and Ga-face epilayers grown by molecular beam epitaxy IF: 3,79
    Autorzy:
    R. Kudrawiec, L. Janicki, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, G. Cywinski, M. Bockowski, G. Muzioł, C. Cheze, M. Sawicka, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2013, tom: 103, strony: 52107), Wydawca: Institute of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4817296 - link do publikacji
  4. Contactless electroreflectance studies of surface potential barrier in AlGaN/n-AlGaN structures with various Al concentrations IF: 1,605
    Autorzy:
    Ł. Janicki, R. Kudrawiec, K. Pakuła, R. Stępniewski and J. Misiewicz
    Czasopismo:
    Physica Status Solidi (b) (rok: 2015, tom: 44931, strony: xxx), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.201451598 - link do publikacji
  5. Surface potential barrier at m-plane GaN studied by contactless electroreflectance IF: 2,267
    Autorzy:
    Ł. Janicki, J. Misiewicz, G. Cywiński, M. Sawicka, C. Skierbiszewski, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2016, tom: 9, strony: 21002), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.9.021002 - link do publikacji
  6. Theoretical and experimental studies of electric field distribution in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures IF: 3,297
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, L. Janicki, M. Siekacz, G. Cywinski, C. Skierbiszewski, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2015, tom: 107, strony: 262107), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4939146 - link do publikacji
  7. Quantum Confinement in Thin GaN Cap Layers Deposited on AlGaN/GaN Heterostructures: The Issue of Polar Surface Quantum Well IF: 1,07
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Physics (rok: 2013, tom: 52, strony: 08JL05), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.52.08JL05 - link do publikacji
  8. Influence of AlN layer on electric field distribution in GaN/AlGaN/GaN transistor heterostructures IF: 2,17
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, K. Klosek, M. Sobanska, J. Borysiuk, and Z. R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2013, tom: 114, strony: 163527), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4827376 - link do publikacji
  9. Position of Fermi level on AlGaN surface and distribution of electric field in AlGaN/GaN heterostructures without and with AlN layer IF: 2,17
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, L. Janicki, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Wosko, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, and M. Tłaczała
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 115, strony: 133504), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1186/1556-276X-9-81 - link do publikacji
  1. Doktorat
    Autorzy:
    Ł. Janicki
    Książka:
    Badanie rozkładu pól elektrycznych w strukturach półprzewodnikowych na bazie związków III-N (rok: 2015, tom: Doktorat, strony: 1-107), Wydawca: Wydział Podstawowych problemów Techniki, Politechnika Wrocławska
    Status:
    Opublikowana