Wyszukiwarka projektów

Wykorzystanie metody Taguchi'ego do optymlaizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w.cz.

Autorzy:

Małgorzata Kalisz, Robert Mroczyński

Czasopismo:

Elektronika (rok: 2013, tom: 10, strony: 18-21), Wydawca: Sigma-Not

Status:

Opublikowana

Reactive magnetron sputtered hafnium oxide layers (HfOx) for non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices

Autorzy:

R. Mroczyński, M. Szymańska, W. Głuszewski

Czasopismo:

Journal of Vacuum Science and Technology B (rok: 2015, tom: 33 (1), strony: 01A113-1 - 01A113-5), Wydawca: AVS

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1116/1.4906090 – link do publikacji

Effects of ultra-shallow ion implantation from RF plasma onto electrical properties of 4H-SiC MIS structures with SiOx/HfOx and SiOxNy/HfOx double-gate dielectric stacks

Autorzy:

Robert Mroczyński, Norbert Kwietniewski, Piotr Konarski

Czasopismo:

Microelectronic Engineering (rok: 2017, tom: 178, strony: 116-121), Wydawca: Elsevier

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.mee.2017.05.017 – link do publikacji

Electrical characterization of MIS structures with HfOx gate dielectric films fabricated on silicon substrates modified by ultra-shallow ion implantation from RF plasma

Autorzy:

Robert Mroczyński, Małgorzata Kalisz, Magdalena Dominik

Czasopismo:

Physica Status Solidi (C) (rok: 2016, tom: 13, strony: 816-821), Wydawca: Wiley

Status:

Opublikowana

Thermal Stability od deposited by means of RF reactive magnetron sputtering hafnium oxide (HfOx) and hafnium oxynitride (HfOxNy) thin films

Autorzy:

Robert Mroczyński, Magdalena Dominik

Konferencja:

XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa (ELTE) (rok: 2016, strony: 46024), Wydawca: Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie

Data:

konferencja 11-14 IX

Status:

Opublikowana

Improvement of electro-physical properties of 4H-SiC MIS structures with SiOx/HfOx and SiOxNy/HfOx stacks by means of ultra-shallow ion implantation from RF plasma

Autorzy:

R. Mroczyński, N. Kwietniewski, P. Konarski

Konferencja:

Insulating films on semiconductors - INFOS 2017 (rok: 2017, strony: 46024), Wydawca: IHP Microelectronics

Data:

konferencja 27-30 czerwca

Status:

Opublikowana

Ultra-shallow Ion Implantation from RF plasma and its effect on electro-physical properties of MOS structures with SiOx/HfOx double-gate dielctric layers fabricated on Si and 4H-SiC

Autorzy:

Robert Mroczyński, Małgorzata Kalisz, Jakub Jasiński, Norbert Kwietniewski, Magdalena Dominik, Romuald B. Beck, Jan Szmidt

Konferencja:

XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa (ELTE) (rok: 2016, strony: 46024), Wydawca: Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie

Data:

konferencja 11-14 IX

Status:

Opublikowana

Low-temperature technology of MIS structures with silicon nanocrystals (Si-NCs) embedded in hafnium oxide (HfOx) layers for NVSM applications

Autorzy:

Robert Mroczyński

Konferencja:

World Congress of Smart Materials 2017 (rok: 2017, strony: 119), Wydawca: BIT Group Global Ltd. China

Data:

konferencja 16-18 marca

Status:

Opublikowana

Effect of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation from r.f. plasma on electrical prameters of MIS structures with HfOx gate dielectric layers

Autorzy:

Małgorzata Kalisz, Magdalena Szymańska, Robert Mroczyński

Konferencja:

Semiconductor Surface Passivation 2013 (rok: 2013, strony: 18), Wydawca: brak

Data:

konferencja IX

Status:

Opublikowana

Ultra-shallow Ion Implantation from RF plasma – the phenomenon and effect on electro-physical properties of MOS structures fabricated on Si and SiC substrates

Autorzy:

Robert Mroczyński

Konferencja:

World Congress of Nano Science and Technology 2016 (rok: 2016, strony: -), Wydawca: BIT Group Global Ltd.

Data:

konferencja 26-28 X

Status:

Opublikowana

Reactive magnetron sputtered hafnium oxide layers (HfOx) for non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices

Autorzy:

Robert Mroczyński, Magdalena Szymańska, Wojciech Głuszewski

Konferencja:

18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics - WoDiM 2014 (rok: 2014, strony: -), Wydawca: -

Data:

konferencja 9-11 czerwca

Status:

Opublikowana

Effect of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation from r.f. plasma on electrical properties of MIS structures with HfOx gate dielectric layers

Autorzy:

Małgorzata Kalisz, Magdalena Szymańska, Robert Mroczyński

Konferencja:

18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics - WoDiM 2014 (rok: 2014, strony: -), Wydawca: -

Data:

konferencja 9-11 czerwca

Status:

Opublikowana

Technology of MIS/ISFET with SiO2/AlN system as a gate insulator

Autorzy:

Piotr Firek, Michał Waśkiewicz, Bartłomiej Stonio, Jan Szmidt

Konferencja:

37th International Conference of IMAPS-CPMT (rok: 2013, strony: brak), Wydawca: brak

Data:

konferencja 22-25 IX

Status:

Opublikowana

Electro-physical properties of gate-last MOSFETs with low-temperature SiOxNy/HfOx stack after ultra-shallow fluorine implantation from RF plasma

Autorzy:

Robert Mroczyński, Jakub Jasiński

Konferencja:

48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (rok: 2017, strony: 46024), Wydawca: n/d

Status:

Przyjęta do publikacji