Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki wnioskującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Struktura pasmowa, wzmocnienie optyczne oraz inne parametry nowoczesnych laserów półprzewodnikowych

2013/10/E/ST3/00520

Słowa kluczowe:

półprzewodniki studnie kwantowe struktura pasmowa wzmocnienie optyczne

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka wnioskująca:

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki wnioskującej):

dr inż. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec 

Kraj pochodzenia: Polska

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: SONATA BIS 3 - ogłoszony 2013-06-14

Przyznana kwota: 1 455 700 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-07-14

Czas trwania projektu: 60 miesięcy

Status projektu: Projekt w realizacji

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (10)
  1. Material Gain in Ga0.66In0.34NyAs1−y, GaNyAs0.69−ySb0.31, and GaNyP0.46Sb0.54−y Quantum Wells Grown on GaAs Substrates: Comparative Theoretical Studies IF: 1,737
    Autorzy:
    Marta Gladysiewicz, Robert Kudrawiec, and Marek S. Wartak,
    Czasopismo:
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS (rok: 2014, tom: 50, strony: 996-1005), Wydawca: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINERIES INC
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1109/JQE.2014.2363763 - link do publikacji
  2. Electronic Band Structure and Material Gain of Dilute Nitride Quantum Wells Grown on InP Substrate IF: 1,737
    Autorzy:
    Marta Gladysiewicz, Robert Kudrawiec, and Marek S. Wartak, Senior Member, IEEE
    Czasopismo:
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS (rok: 2015, tom: 51, strony: 7100212-7100212), Wydawca: IEE-INST ELECTRICAL & ELECTRONICS
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1109/JQE.2015.2410340 - link do publikacji
  3. Obliczenia wzmocnienia optycznego w studniach kwantowych GaInNAsSb/InP
    Autorzy:
    Jakub Krawczyk
    Czasopismo:
    Praca Magisterska na Wydziale Podstawowych Problemów techniki PWR (rok: 2016, tom: 1, strony: 1), Wydawca: Politechnika wrocławska
    Status:
    Opublikowane
  4. Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells IF: 2,591
    Autorzy:
    LI YUE, XIREN CHEN, YANCHAO ZHANG, JAN KOPACZEK, JUN SHAO, MARTA GLADYSIEWICZ, ROBERT KUDRAWIEC XIN OU, AND SHUMIN WANG
    Czasopismo:
    Optical Material Express (rok: 2018, tom: 8, strony: 893-900), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1364/OME.8.000893 - link do publikacji
  5. Indium-incorporation enhancement of photoluminescence properties of Ga(In)SbBi alloys IF: 2,588
    Autorzy:
    W M Linhart, M Gladysiewicz, J Kopaczek, M K Rajpalke, M J Ashwin, T D Veal and R Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2017, tom: 50, strony: 375102 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing (United Kingdom)
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/1361-6463/aa7e64 - link do publikacji
  6. Electronic band structure and material gain of III-V-Bi quantum wells grown on GaSb substrate and dedicated for mid-infrared spectral range IF: 2,276
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 118, strony: 075701), Wydawca: AMER INST PHYSISC
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1063/1.494193 - link do publikacji
  7. 8-band and 14-band kp modeling of electronic band structure and material gain in Ga(In)AsBi quantum wells grown on GaAs and InP substrates IF: 2,276
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2015, tom: 113, strony: 055702), Wydawca: AMER INST PHYSICS
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1063/1.4927922 - link do publikacji
  8. Engineering of transverse electric and magnetic mode of material gain in Ge1-wSnw/SiyGe1-x-ySnx quantum wells grown on virtual Ge1-zSnz substrates integrated with Si platform IF: 5,504
    Autorzy:
    H. S. Mączko, R. Kudrawiec, and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    ACS Photonics (rok: 2017, ), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Złożone
  9. Photoluminescence of GaInSbBi quaternary alloys IF: 2,276
    Autorzy:
    W. M Linhart, M. Gladysiewicz, J. Kopaczek, M. J. Ashwin, T. D. Veal, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2017, ), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Złożone
  10. Simulation of emission and material gain spectra of polar AlxGa1-xN quantum wells grown on virtual AlYGa1-YN substrates with 0 < Y  1 IF: 5,57
    Autorzy:
    Marta Gladysiewicz, Mariusz Rudzinski, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Scentific Reports (rok: 2017, ), Wydawca: Nature
    Status:
    Złożone