Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości stanów elektronowych na granicy fazowej dielektryk/półprzewodnik w strukturze metal/Al2O3/AlGaN/GaN metodą pomiaru fotopojemności w funkcji natężenia światła wzbudzającego.

2012/07/N/ST7/03336

Słowa kluczowe:

stany powierzchniowe azotek galu półprzewodniki grupy III-V struktury MIS fotopojemność półprzewodniki szerokoprzerwowe

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika, m.in.:

Jednostka realizująca:

Politechnika Śląska, Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne

woj. śląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Maciej Matys 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 4 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 49 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-09-26

Czas trwania projektu: 12 miesięcy

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (1)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/ AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors IF: 2,068
    Autorzy:
    M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, B. Adamowicz, and T. Hashizume
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2017, tom: 122, strony: 224504-1 - 224504-7), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1063/1.5000497 - link do publikacji
  1. Characterization of donor-like states at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN structures
    Autorzy:
    M. Matys, B. Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume
    Konferencja:
    15th Int. Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Warsaw (rok: 2013, ), Wydawca: Institute of Electron Technology, Warsaw
    Data:
    konferencja September 15 – 19
    Status:
    Opublikowane
  1. Przewodnik pracy doktorskiej
    Autorzy:
    Maciej Matys
    Książka:
    Contributions to the Understanding of Electronic Properties of Aluminium Oxide/(Al,Ga)N Interface (rok: 2014, tom: 1, strony: 12420), Wydawca: Uniwersytet Śląski, Instytut Fizyki im. Augusta Chełkowskiego
    Status:
    Opublikowane