Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wpływ ciśnienia hydrostatycznego i zewnętrznych pól elektrycznego i magnetycznego na stan izolatora topologicznego w studniach kwantowych InGaN/GaN bogatych w ind

2012/07/B/ST3/03174

Słowa kluczowe:

topologiczny izolator półprzewodniki azotkowe studnie kwantowe ciśnienie hydrostatyczne pola elektryczne i magnetyczne

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu
  • ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka, m.in.:

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Sławomir Łepkowski 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: OPUS 4 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 282 600 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-06-25

Czas trwania projektu: 36 miesięcy

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Stacjonarny komputer osobisty (2 szt.). Za kwotę 20 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Anomalous Rashba spin-orbit interaction in electrically controlled topological insulator based on InN/GaN quantum wells IF: 2,209
    Autorzy:
    S. P. Łepkowski, W. Bardyszewski
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2017, tom: 29, strony: 195702), Wydawca: Institute of Physics
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/1361-648X/aa6860 - link do publikacji
  2. Nonlinear Zeeman splitting of magnetoexcitons in c-plane wurtzite GaN-based quantum wells IF: 3,664
    Autorzy:
    W. Bardyszewski, S.P. Łepkowski
    Czasopismo:
    Physical Review B (rok: 2014, tom: 90, strony: od 075302-1 do 075302-6), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1103/PhysRevB.90.075302 - link do publikacji
  3. Polarization-Induced Band Inversion in In-Rich InGaN/GaN Quantum Wells IF: 0,604
    Autorzy:
    S.P. Łepkowski, W. Bardyszewski, D. Rodak
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica A (rok: 2014, tom: 126, strony: 1154-1155), Wydawca: Polich Academy of Sciences, Institute of Physics
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.126.1154 - link do publikacji
  4. Magnetoconductance in InN/GaN quantum wells in topological insulator phase IF: 1,963
    Autorzy:
    W. Bardyszewski, D. Rodak, S. P. Łepkowski
    Czasopismo:
    Europhysics Letters (rok: 2017, tom: 118, strony: 27001), Wydawca: European Physical Society
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1209/0295-5075/118/27001 - link do publikacji
  5. Topological phase transition and evolution of edge states in In-rich InGaN/GaN quantum wells under hydrostatic pressure IF: 2,209
    Autorzy:
    S. P. Łepkowski, W. Bardyszewski
    Czasopismo:
    Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2017, tom: 29, strony: 55702), Wydawca: Institute of Physics
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/1361-648X/29/5/055702 - link do publikacji