Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wyznaczenie nieliniowych stałych sprężystości, piezoelektrycznych, elektrostrykcyjnych i dielektrycznych objętościowego azotku galu

2012/05/B/ST3/02516

Słowa kluczowe:

azotek galu stałe materiałowe nieliniowość sprężystość piezoelektryczność elektrostrykcja polaryzacja dielektryczna

Deskryptory:

  • ST3_2: Mechaniczne i akustyczne własności materii skondensowanej
  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST3_6: Dynamika sieci krystalicznych

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka, m.in.:

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Michał Boćkowski 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 3 - ogłoszony 2012-03-15

Przyznana kwota: 375 460 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-01-22

Czas trwania projektu: 36 miesięcy

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Woltomierz wektorowy. Za kwotę 28 000 PLN
  2. Ultratermostat. Za kwotę 0 PLN
  3. Generator sygnałowy. Za kwotę 17 000 PLN
  4. Oscyloskop cyfrowy + 2 sondy 10x. Za kwotę 0 PLN
  5. Wzmacniacz szerokopasmowy. Za kwotę 0 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  1. Growth of HVPE-GaN on native seeds – numerical simulation based on experimental results IF: 1,462
    Autorzy:
    B. Lucznik, M.Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, M.Fijalkowski, I.Grzegory, M.Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 86-90), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowane
  2. Highly resistive C-doped hydride vapor phase epitaxy-GaN grown on ammonothermally crystallized GaN seeds IF: 2,265
    Autorzy:
    M. Iwinska, R. Piotrzkowski, E. Litwin-Staszewska, T. Sochacki, M. Amilusik, M. Fijalkowski, B. Lucznik, and M.Bockowski
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2017, tom: 10, strony: 011003-1 - 011003-4), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowane
  3. Ab initio study of Ga-GaN system: Transition from adsorbed metal atoms to a metal–semiconductor junction IF: 2,322
    Autorzy:
    P. Witczak, P. Kempisty, P. Strąk, S. Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Vacuum Science & Technology A (rok: 2015, tom: 33, strony: 61101), Wydawca: American Vacuum Society
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1116/1.4927166 - link do publikacji
  4. Linear piezoelectricity material constants for ammonothermal gallium nitride measured by bulk acoustic waves IF: 2,206
    Autorzy:
    P. Witczak, Z. Witczak, R. Jemielniak, M. Kryśko, S. Krukowski, M. Boćkowski
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 35008), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/0268-1242/30/3/035008 - link do publikacji
  5. Challenges and future perspectives in HVPEGaN growth on ammonothermal GaN seeds IF: 2,098
    Autorzy:
    M. Bockowski, M. Iwinska, M. Amilusik, M. Fijalkowski, B. Lucznik and T. Sochacki
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2016, tom: 31, strony: 43855), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1088/0268-1242/31/9/093002 - link do publikacji
  6. Homoepitaxial growth of HVPE-GaN doped with Si IF: 1,462
    Autorzy:
    M. Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, P.Kempisty, B.Lucznik, M.Fijalkowski, E. Litwin-Staszewska, J.Smalc-Koziorowska, A.Khapuridze, G.Staszczak, I.Grzegory, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 91-96), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowane
  7. Influence of edge-grown HVPE GaN on the structural quality of c-plane oriented HVPE-GaN grown on ammonothermal GaN substrates IF: 1,462
    Autorzy:
    J.Z. Domagala, J.Smalc-Koziorowska, M.Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, B. Lucznik, M.Fijalkowski, G.Kamler, I.Grzegory, R.Kucharski, M.Zajac, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 80-85), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowane