Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Projektowanie i modelowanie numeryczne heterostruktur typu nBn z HgCdTe oraz ich wytwarzanie metodą MOCVD w celu otrzymania wysokotemperaturowych detektorów podczerwieni o podwyższonych parametrach detekcyjnych.

2011/03/D/ST7/03161

Słowa kluczowe:

detektory podczerwieni struktury barierowe struktury wielokrotne heterostruktury HgCdTe MOCVD

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika, m.in.:

Jednostka realizująca:

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Małgorzata Kopytko 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: SONATA 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 785 100 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-09-03

Czas trwania projektu: 36 miesięcy

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Stacja pomiaru niskich temperatur Montana Instruments. Za kwotę 490 000 PLN
  2. Przyrząd pomiarowo-sterujący NI VirtualBench + środowisko programistyczne LabVIEW. Za kwotę 63 951 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (9)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (2)
  1. Different cap-barrier design for MOCVD grown HOT HgCdTe barrier detectors IF: 1,279
    Autorzy:
    M. Kopytko, A. Kębłowski, W. Gawron, P. Madejczyk
    Czasopismo:
    Opto-Electronics Review (rok: 2015, tom: 23, strony: 143-148), Wydawca: De Gruyter
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1515/oere−2015−0017 - link do publikacji
  2. Fundamental limits of MWIR HgCdTe barrier detectors operating under non-equilibrium mode IF: 1,514
    Autorzy:
    M. Kopytko, K. Jóźwikowski, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Solid-State Electronics (rok: 2014, tom: 100, strony: 20–26), Wydawca: ScienceDirect
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1016/j.sse.2014.06.041 - link do publikacji
  3. High-operating temperature MWIR nBn HgCdTe detector grown by MOCVD IF: 1,279
    Autorzy:
    M. Kopytko, A. Kębłowski, W. Gawron, P. Madejczyk, A. Kowalewski, K. Jóźwikowski
    Czasopismo:
    Opto-Electronics Review (rok: 2013, tom: 21, strony: 402-405), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.2478/s11772−013−0101−y - link do publikacji
  4. Generation-Recombination Effect in MWIR HgCdTe Barrier Detectors for High-Temperature Operation IF: 2,358
    Autorzy:
    M. Kopytko, K. Jóźwikowski
    Czasopismo:
    IEEE Transactions On Electron Devices (rok: 2015, tom: 62, strony: 2278-2284), Wydawca: IEEE Xplore Digital Library
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1109/TED.2015.2430527 - link do publikacji
  5. MOCVD grown HgCdTe barrier detectors for MWIR high-operating temperature operation IF: 0,954
    Autorzy:
    M. Kopytko, A. Kębłowski, W. Gawron, P. Martyniuk, P. Madejczyk, K. Jóźwikowski, A. Kowalewski, O. Markowska, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Optical Engineering (rok: 2015, tom: 54, strony: 105105-7), Wydawca: SPIE Digital Library
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
  6. Design and modelling of high-operating temperature MWIR HgCdTe nBn detector with n- and p-type barriers IF: 1,46
    Autorzy:
    M. Kopytko
    Czasopismo:
    Infrared Physics & Technology (rok: 2014, tom: 64, strony: 47–55), Wydawca: ScienceDirect
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1016/j.infrared.2014.01.015 - link do publikacji
  7. Numerical Analysis of Current–Voltage Characteristics of LWIR nBn and p-on-n HgCdTe Photodetectors IF: 1,675
    Autorzy:
    M. Kopytko, K. Jóźwikowski
    Czasopismo:
    Journal of Electronic Materials (rok: 2013, tom: 42, strony: 3211-3216), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1007/s11664-013-2776-8 - link do publikacji
  8. MOCVD Grown HgCdTe Barrier Structures for HOT Conditions IF: 2,358
    Autorzy:
    M. Kopytko, A.Kębłowski, W. Gawron, A. Kowalewski, A. Rogalski
    Czasopismo:
    IEEE Transactions On Electron Devices (rok: 2014, tom: 61(11), strony: 3803-3807), Wydawca: |IEEE Xplore Digital Library
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1109/TED.2014.2359224 - link do publikacji
  9. The bulk generation-recombination processes and the carrier lifetime in mid-wave infrared and long-wave infrared liquid nitrogen cooled HgCdTe alloys IF: 2,185
    Autorzy:
    K. Jóźwikowski, M. Kopytko, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2012, tom: 112, strony: 033718-8), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowane
    Doi:
    10.1063/1.4745872 - link do publikacji
  1. Numerical analysis of fluctuation phenomena in HOT HgCdTe barrier detectors
    Autorzy:
    M. Kopytko, A. Jozwikowska, K. Jozwikowski, A. Martyniuk, J. Antoszewski, L. Faraone
    Konferencja:
    Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices (COMMAD), 2014 (rok: 2014, ), Wydawca: IEEE Xplore Digital Library
    Data:
    konferencja 14-17 grudnia
    Status:
    Opublikowane
  2. MOCVD grown HgCdTe p+BnN+ barrier detector for MWIR HOT operation
    Autorzy:
    M. Kopytko, A. Kębłowski, W. Gawron, P. Martyniuk, P. Madejczyk, K. Jóźwikowski, O. Markowska, A. Rogalski
    Konferencja:
    Infrared Technology and Applications XLI (rok: 2015, ), Wydawca: Proceedings of SPIE
    Data:
    konferencja 20-24.04.2015
    Status:
    Opublikowane