Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN.

2020/37/B/ST5/02593

Słowa kluczowe:

DLTS Laplace DLTS DLOS węgiel luka defekty

Deskryptory:

  • ST5_002: Materiały o strukturze ciała stałego
  • ST5_001: Właściwości strukturalne materiałów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Piotr Kruszewski 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 19 - ogłoszony 2020-03-16

Przyznana kwota: 1 475 040 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2021-01-15

Zakończenie projektu: 2025-01-14

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt zakończony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. FeGa (0/−) acceptor level as a reference energy level in dilute AlxGa1−xN
    Autorzy:
    P. Kruszewski ; J. Plesiewicz ; Sz. Grzanka ; E. Grzanka ; P. Prystawko ; V. P. Markevich; A. R. Peaker; L. Sun; C. A. Dawe; M. P. Halsall
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2024, tom: 124, strony: 232103), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0209022 - link do publikacji
  2. Alloy splitting of the FeGa acceptor level in dilute AlxGa1−xN
    Autorzy:
    P. Kruszewski; V. P. Markevich; A. R. Peaker; J. Plesiewicz, P. Prystawko, M. P. Halsall, L. Sun
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2023, tom: 123, strony: 222105 -6), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0184701 - link do publikacji
  3. Electric-Field Enhancement of Electron Emission Rates for Deep-Level Traps in n-type GaN
    Autorzy:
    Vladimir P. Markevich, Matthew P. Halsall, Lijie Sun, Iain F. Crowe, Anthony R. Peaker, Piotr Kruszewski, Jerzy Plesiewicz, Pawel Prystawko, Sylwester Bulka, Rafal Jakiela
    Czasopismo:
    Physica Status Solidi B (rok: 2022, tom: 2200545, strony: 46029), Wydawca: Wiley-VCH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.202200545 - link do publikacji
  4. Deep-level traps in as-grown and electron-irradiated homo-epitaxial n-GaN layers grown by MOVPE
    Autorzy:
    J. Plesiewicz, P. Kruszewski, V.P. Markevich, P. Prystawko , S. Bulka, M. Hallsal, I. Crowe, L. Sun, A.R. Peaker
    Czasopismo:
    Microelectronic Engineering (rok: 2023, tom: 274, strony: 111977 - 7), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mee.2023.111977 - link do publikacji
  5. The Photoionization Processes of Deep Trap Levels in n-GaN Films Grown by MOVPE Technique on Ammono-GaN Substrates
    Autorzy:
    P. Kruszewski, K. Sakowski, K. Gocinski and P. Prystawko
    Czasopismo:
    Applied Sciences (rok: 2024, tom: 14, strony: 8785), Wydawca: MDPI, Basel, Switzerland
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/app14198785 - link do publikacji
  6. The effect of FeGa (0/–) level presence on material properties in dilute AlxGa1− xN layers
    Autorzy:
    L. Sun ; P. Kruszewski ; V. P. Markevich ; C. A. Dawe ; A. R. Peaker ; I. F. Crowe ; J. Plesiewicz ; P. Prystawko ; Sz. Grzanka; E. Grzanka; R. Jakiela; D. Binks; M. P. Halsall
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2024, tom: 135, strony: 175702), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0205998 - link do publikacji
  7. Graphene Schottky barrier diode acting as a semi-transparent contact to n-GaN
    Autorzy:
    P. Kruszewski ; P. Sai ; A. Krajewska ; K. Sakowski ; Y. Ivonyak; R. Jakiela; J. Plesiewicz; P. Prystawko
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2024, tom: 14, strony: 75312), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0210798 - link do publikacji
  1. The Radial Effect for E1 and E3 Deep Traps Concentration in n-GaN Layers
    Autorzy:
    P. Kruszewski, J. Plesiewicz, P. Prystawko, E. Grzanka, L. Marona
    Konferencja:
    Proceedings of the 50th International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2022 Szczyrk, Poland, June 4–10, 2022 (rok: 2022, tom: International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2022, strony: 611-614), Wydawca: Polish Academy of Science Institute of Physics
    Data:
    konferencja 2022
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.142.611 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy