Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN.
2020/37/B/ST5/02593
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST5_002: Materiały o strukturze ciała stałego
- ST5_001: Właściwości strukturalne materiałów
Panel
ST5 – Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Jednostka realizująca
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 5
Konkurs
OPUS 19 – ogłoszony 2020-03-16
- Przyznana kwota
- 1 475 040 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2021-01-15
- Zakończenie projektu
- 2025-04-14
- Planowany czas trwania projektu
- 51 miesięcy (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Opis projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (7)
-
The Photoionization Processes of Deep Trap Levels in n-GaN Films Grown by MOVPE Technique on Ammono-GaN Substrates
- Autorzy:
- P. Kruszewski, K. Sakowski, K. Gocinski and P. Prystawko
- Czasopismo:
- Applied Sciences (rok: 2024, tom: 14, strony: 8785), Wydawca: MDPI, Basel, Switzerland
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.3390/app14198785 – link do publikacji
-
Electric-Field Enhancement of Electron Emission Rates for Deep-Level Traps in n-type GaN
- Autorzy:
- Vladimir P. Markevich, Matthew P. Halsall, Lijie Sun, Iain F. Crowe, Anthony R. Peaker, Piotr Kruszewski, Jerzy Plesiewicz, Pawel Prystawko, Sylwester Bulka, Rafal Jakiela
- Czasopismo:
- Physica Status Solidi B (rok: 2022, tom: 2200545, strony: 46029), Wydawca: Wiley-VCH
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1002/pssb.202200545 – link do publikacji
-
FeGa (0/−) acceptor level as a reference energy level in dilute AlxGa1−xN
- Autorzy:
- P. Kruszewski ; J. Plesiewicz ; Sz. Grzanka ; E. Grzanka ; P. Prystawko ; V. P. Markevich; A. R. Peaker; L. Sun; C. A. Dawe; M. P. Halsall
- Czasopismo:
- Applied Physics Letters (rok: 2024, tom: 124, strony: 232103), Wydawca: AIP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1063/5.0209022 – link do publikacji
-
Graphene Schottky barrier diode acting as a semi-transparent contact to n-GaN
- Autorzy:
- P. Kruszewski ; P. Sai ; A. Krajewska ; K. Sakowski ; Y. Ivonyak; R. Jakiela; J. Plesiewicz; P. Prystawko
- Czasopismo:
- AIP Advances (rok: 2024, tom: 14, strony: 75312), Wydawca: AIP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1063/5.0210798 – link do publikacji
-
Alloy splitting of the FeGa acceptor level in dilute AlxGa1−xN
- Autorzy:
- P. Kruszewski; V. P. Markevich; A. R. Peaker; J. Plesiewicz, P. Prystawko, M. P. Halsall, L. Sun
- Czasopismo:
- Applied Physics Letters (rok: 2023, tom: 123, strony: 222105 -6), Wydawca: AIP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1063/5.0184701 – link do publikacji
-
Deep-level traps in as-grown and electron-irradiated homo-epitaxial n-GaN layers grown by MOVPE
- Autorzy:
- J. Plesiewicz, P. Kruszewski, V.P. Markevich, P. Prystawko , S. Bulka, M. Hallsal, I. Crowe, L. Sun, A.R. Peaker
- Czasopismo:
- Microelectronic Engineering (rok: 2023, tom: 274, strony: 111977 - 7), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.mee.2023.111977 – link do publikacji
-
The effect of FeGa (0/–) level presence on material properties in dilute AlxGa1− xN layers
- Autorzy:
- L. Sun ; P. Kruszewski ; V. P. Markevich ; C. A. Dawe ; A. R. Peaker ; I. F. Crowe ; J. Plesiewicz ; P. Prystawko ; Sz. Grzanka; E. Grzanka; R. Jakiela; D. Binks; M. P. Halsall
- Czasopismo:
- Journal of Applied Physics (rok: 2024, tom: 135, strony: 175702), Wydawca: AIP Publishing
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1063/5.0205998 – link do publikacji
Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
-
The Radial Effect for E1 and E3 Deep Traps Concentration in n-GaN Layers
- Autorzy:
- P. Kruszewski, J. Plesiewicz, P. Prystawko, E. Grzanka, L. Marona
- Konferencja:
- Proceedings of the 50th International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2022 Szczyrk, Poland, June 4–10, 2022 (rok: 2022, tom: International School & Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec 2022, strony: 611-614), Wydawca: Polish Academy of Science Institute of Physics
- Data:
- konferencja 2022
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.12693/APhysPolA.142.611 – link do publikacji