Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zastosowanie gradientowej warstwy kontaktowej AlGaN w celu uzyskania omowego kontaktu o niskiej rezystywności w emiterach głębokiego UV

2020/37/N/ST3/02248

Słowa kluczowe:

Emitery głębokiego UV AlGaN epitaksja domieszkowanie polaryzacyjne kontakt omowy

Deskryptory:

  • ST3_5: Fizyczne własności półprzewodników i izolatorów
  • ST3_4: Własności elektronowe materiałów, powierzchni, złącz międzywarstwowych, nanostruktur, itp.
  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii

woj.

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Dominika Marianna Majchrzak 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 19 - ogłoszony 2020-03-16

Przyznana kwota: 196 800 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2021-05-17

Zakończenie projektu: 2024-11-16

Planowany czas trwania projektu: 42 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt zakończony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (2)
  1. Detailed surface studies on the reduction of Al incorporation into AlGaN grown by molecular beam epitaxy in the Ga-droplet regime
    Autorzy:
    Dominika Majchrzak, Sandeep Gorantla, Ewelina Zdanowicz, Agnieszka Pieniążek, Jarosław Serafińczuk, Karolina Moszak, Damian Pucicki, Miłosz Grodzicki, Bogdan J.Kowalski, Robert Kudrawiec, Detlef Hommel
    Czasopismo:
    Vacuum (rok: 2022, tom: 202, strony: 111168), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.vacuum.2022.111168 - link do publikacji
  2. Detailed surface studies on the reduction of Al incorporation into AlGaN grown by molecular beam epitaxy in the Ga-droplet regime
    Autorzy:
    Dominika Majchrzak, Sandeep Gorantla, Ewelina Zdanowicz, Agnieszka Pieniążek, Jarosław Serafińczuk, Karolina Moszak, Damian Pucicki, Miłosz Grodzicki, Bogdan J.Kowalski, Robert Kudrawiec, Detlef Hommel
    Czasopismo:
    Vacuum (rok: 2022, tom: 202, strony: 111168), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.vacuum.2022.111168 - link do publikacji