Projekty finansowane przez NCN
Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą rozpylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT
2018/31/N/ST7/03624
Słowa kluczowe:
GaN tlen rozpylanie magnetronowe domieszkowanie kontakt omowy HEMT
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
woj. mazowieckie
Konkurs: PRELUDIUM 16 - ogłoszony 2018-09-14
Przyznana kwota: 186 700 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-07-12
Zakończenie projektu: 2023-02-11
Planowany czas trwania projektu: 43 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (1)
- Ohmic contact to n-GaN using rt-sputtered GaN:OAutorzy:Monika Masłyk, Paweł Prystawko, Eliana Kamińska, Ewa Grzanka, Marcin KryśkoCzasopismo:Materials (rok: 2023, tom: 16, strony: 9), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma16165574 - link do publikacji