Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badanie zjawiska tunelowania międzypasmowego między niskowymiarowymi gazami nośników w polowym tranzystorze tunelowym

2018/31/N/ST7/01147

Słowa kluczowe:

nanoelektronika przyrzady półprzewodnikowe tranzystor tunelowy tunelowanie

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Piotr Wiśniewski 

Liczba wykonawców projektu: 2

Konkurs: PRELUDIUM 16 - ogłoszony 2018-09-14

Przyznana kwota: 148 500 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-07-08

Zakończenie projektu: 2023-12-07

Planowany czas trwania projektu: 53 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Komputer przenośny laptop. Za kwotę 8 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. Charge-Trapping-Induced Hysteresis Effects in Highly Doped Silicon Metal–Oxide–Semiconductor Structures
    Autorzy:
    Piotr Wiśniewski, Bogdan Majkusiak
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2733), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15082733 - link do publikacji
  2. Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor
    Autorzy:
    Piotr Wiśniewski, Bogdan Majkusiak
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2022, tom: 98, strony: 133-135), Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/48.2022.02.30 - link do publikacji
  3. Theoretical Study of Current-Voltage Characteristics of the Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistors of Different Channel Semiconductors
    Autorzy:
    Piotr Wiśniewski, Bogdan Majkusiak
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica A (rok: 2020, tom: 140, strony: 186-191), Wydawca: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.140.186 - link do publikacji
  4. Modeling the Current–Voltage Characteristics of Ge₁₋ₓSnₓ Electron–Hole Bilayer TFET With Various Compositions
    Autorzy:
    Piotr Wiśniewski, Bogdan Majkusiak
    Czasopismo:
    IEEE Transactions on Electron Devices (rok: 2020, tom: 67, strony: 2738-2744), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/TED.2020.2993817 - link do publikacji
  1. Tunneling and Resonant Tunneling Effects in the Metal-Ultrathin Oxide-(n+)Silicon Structures
    Autorzy:
    Piotr Wiśniewski, Bogdan Majkusiak, Bartłomiej Stonio
    Konferencja:
    2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) (rok: 2021, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 1-30.09.2020
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy