Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Przeźroczyste kontakty elektryczne do struktur III-N wykonane na bazie kryształów van der Waalsa

2018/29/B/ST7/02135

Słowa kluczowe:

GaN van der Waals fotoodbicie elektroodbicie pole elektryczne poziom Fermiego

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Robert Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15

Przyznana kwota: 1 491 400 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-31

Zakończenie projektu: 2022-01-30

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Laser.
  2. Supercontinuum. Za kwotę 80 000 PLN
  3. Monochromator (2 szt.). Za kwotę 90 000 PLN
  4. Komora laminarna. Za kwotę 9 000 PLN
  5. Komora rękawicowa. Za kwotę 170 000 PLN
  6. Reduktor.

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  1. Determination of Fermi Level Position at the Graphene/GaN Interface Using Electromodulation Spectroscopy IF: 4,948
    Autorzy:
    A. P. Herman, L. Janicki, H. S. Stokowski, M. Rudzinski, E. Rozbiegala, M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Advanced Materials Interfaces (rok: 2020, tom: NA, strony: 2001220), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/admi.202001220 - link do publikacji
  2. Geometric progress in the thickness of exfoliated van der Waals crystals on the example of MoS2 IF: 1,703
    Autorzy:
    Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Szymon J. Zelewski, Jarosław Serafinczuk, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2022, tom: 12, strony: 25328), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0082670 - link do publikacji
  3. The influence of the photovoltaic effect on the surface electric field in GaN IF: 6,707
    Autorzy:
    Ewelina Zdanowicz, Artur P. Herman , Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2022, tom: 577, strony: 151905), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2021.151905 - link do publikacji
  4. Toward h‑BN/GaN Schottky Diodes: Spectroscopic Study on the Electronic Phenomena at the Interface IF: 9,229
    Autorzy:
    E. Zdanowicz, A. P. Herman, K. Opołczyńska, S. Gorantla, W. Olszewski, J. Serafińczuk, D. Hommel, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    ACS Applied Materials & Interfaces (rok: 2022, tom: 14, strony: 6131−6137), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acsami.1c20352 - link do publikacji