Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Implantacja akceptorów w intencjonalnie niedomieszkowane warstwy GaN wzrastane metodą HVPE - struktury będące podstawą wertykalnych tranzystorów wysokich mocy

2018/29/B/ST5/00338

Słowa kluczowe:

Azotek galu krystalizacja z fazy gazowej struktury epitaksjalne implantacja jonami elektronika wysokich mocy

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Michał Boćkowski 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15

Przyznana kwota: 1 495 125 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-10

Zakończenie projektu: 2023-01-09

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt w realizacji

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (20)
  • Publikacje książkowe (2)
  1. Effect of annealing time and pressure on electrical activation and surface morphology of Mg-implanted GaN annealed at 1300 °C in ultra-high-pressure nitrogen ambient IF: 2,895
    Autorzy:
    Kensuke Sumida, Kazufumi Hirukawa, Hideki Sakurai, Kacper Sierakowski, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, and Jun Suda
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 121004-1-5), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac39b0 - link do publikacji
  2. Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam IF: 3,998
    Autorzy:
    Akira Uedono, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Jun Suda, Shoji Ishibashi, Shigefusa F Chichibu, Tetsu Kachi,,
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2020, tom: 10, strony: 44568), Wydawca: Nature Research
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-020-74362-9 - link do publikacji
  3. Electric-field-induced simultaneous diffusion of Mg and H in Mg-doped GaN prepared using ultra-high-pressure annealing IF: 2,772
    Autorzy:
    Tetsuo Narita, Hideki Sakurai, Michal Bockowski, Keita Kataoka, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2019, tom: 12, strony: 111005), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1882-0786/ab4934 - link do publikacji
  4. Enhanced activation of Mg ion-implanted GaN at decreasing annealing temperature by prolonging duration IF: 2,895
    Autorzy:
    Takuya Nakashima, Emi Kano, Keita Kataoka, Shigeo Arai, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Masahiro Nagao, Jun Suda, Tetsu Kachi, and Nobuyuki Ikarashi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 011005-1-4), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/abd308 - link do publikacji
  5. Growth of bulk GaN crystals IF: 2,286
    Autorzy:
    R Kucharski, T Sochacki, B Lucznik, M Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 128, strony: 50902), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0009900 - link do publikacji
  6. Investigation of diffusion mechanism of beryllium in GaN IF: 1,902
    Autorzy:
    R. Jakiela, K. Sierakowski, T. Sochacki, M. Iwinska, M. Fijalkowski, A. Barcz, M. Bockowski,
    Czasopismo:
    Physica B: Physics of Condensed Matter (rok: 2020, tom: 594, strony: 44567), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.physb.2020.412316 - link do publikacji
  7. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing IF: 3,521
    Autorzy:
    H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, Y. Furukawa, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, and T. Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2019, tom: 115, strony: 142104), Wydawca: AMER INST PHYSICS
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5116866 - link do publikacji
  8. Isochronal annealing study of Mg-implanted p-type GaN activated by ultra-highpressure annealing IF: 2,895
    Autorzy:
    Kazufumi Hirukawa, Kensuke Sumida, Hideki Sakurai, Hajime Fujikura, Masahiro Horita, Yohei Otoki, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, and Jun Suda
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 056501-1-5), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/abf4f3 - link do publikacji
  9. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices IF: 2,286
    Autorzy:
    Tetsuo Narita, Hikaru Yoshida, Kazuyoshi Tomita, Keita Kataoka, Hideki Sakurai, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Nobuyuki Ikarashi, Jun Suda, Tetsu Kachi, Yutaka Tokuda
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 128, strony: 90901), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0022198 - link do publikacji
  10. Mg-implanted bevel edge termination structure for GaN power device applications IF: 3,791
    Autorzy:
    Maciej Matys, Takashi Ishida, Kyung Pil Nam, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Michal Bockowski, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2021, tom: 118, strony: 093502-1-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0039183 - link do publikacji
  11. X-ray photoelectron spectroscopy study on effects of ultra-high-pressure annealing on surface of Mg-ion-implanted GaN IF: 1,48
    Autorzy:
    Masamichi Akazawa, Encheng Wu, Hideki Sakurai, Michal Bockowski, Tetsuo Narita, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 60, strony: 036503-1-8), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/abe609 - link do publikacji
  12. Effects of the sequential implantation of Mg and N ions into GaN for p-type doping IF: 2,895
    Autorzy:
    Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Kazufumi Hirukawa, Kensuke Sumida, Shinji Yamada, Kacper Sierakowski, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski Jun Suda and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 111001), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac2ae7 - link do publikacji
  13. GaN Single Crystalline Substrates by Ammonothermal and HVPE Methods for Electronic Devices IF: 2,412
    Autorzy:
    Karolina Grabianska, Piotr Jaroszynski, Aneta Sidor, Michal Bockowski, Malgorzata Iwinska,
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1342), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091342 - link do publikacji
  14. High Mg activation in implanted GaN by high temperature and ultrahigh pressure annealing IF: 3,791
    Autorzy:
    M. Hayden Breckenridge, James Tweedie, Pramod Reddy, Yan Guan, Pegah Bagheri, Dennis Szymanski, Seiji Mita, Kacper Sierakowski, Michał Bockowski, Ramon Collazo, and Zlatko Sitar
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2021, tom: 118, strony: 022101-1-6), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0038628 - link do publikacji
  15. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing IF: 3,086
    Autorzy:
    Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Iwinska Malgorzata, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Ikarashi Nobuyuki, Michal Bockowski, Suda Jun, Tetsu Kachi,
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2020, tom: 13, strony: 86501), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/aba64b - link do publikacji
  16. Defect evolution in Mg ions implanted GaN upon high temperature and ultrahigh N2 partial pressure annealing: Transmission electron microscopy analysis IF: 2,286
    Autorzy:
    Kenji Iwata, Hideki Sakurai, Shigeo Arai, Takuya Nakashima, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Michal Bockowski, Masaharu Nagao, Jun Suda, Tetsu Kachi, and Nobuyuki Ikarashi
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 127, strony: 105106-1), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5142168 - link do publikacji
  17. Design and demonstration of nearly-ideal edge termination for GaN p–n junction using Mg-implanted field limiting rings IF: 2,895
    Autorzy:
    Maciej Matys, Takashi Ishida, Kyung Pil Nam, Hideki Sakurai, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Michal Bockowski, Tomoaki Nishimura, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 074002-1-4), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac0b09 - link do publikacji
  18. High Pressure Processing of Ion Implanted GaN IF: 2,412
    Autorzy:
    Kacper Sierakowski, Rafal Jakiela, Boleslaw Lucznik, Pawel Kwiatkowski, Malgorzata Iwinska, Marcin Turek, Hideki Sakurai, Tetsu Kachi, Michal Bockowski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1380), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091380 - link do publikacji
  19. Recent progress in basic ammonothermal GaN crystal growth IF: 1,632
    Autorzy:
    K. Grabianska, R. Kucharski, A. Puchalski, T. Sochacki, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2020, tom: 547, strony: 125804), Wydawca: Elsevier B.V.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2020.125804 - link do publikacji
  20. Self-compensation of carbon in HVPE-GaN:C IF: 3,597
    Autorzy:
    R. Piotrzkowski, M. Zajac, E. Litwin-Staszewska, and M. Bockowski
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2020, tom: 117, strony: 12106), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0012844 - link do publikacji
  1. Ammonothermal and HVPE Bulk Growth of GaN
    Autorzy:
    R. Kucharski, T. Sochacki, B. Lucznik, M. Amilusik, K. Grabianska, M. Iwinska, and M. Bockowski
    Książka:
    Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics (rok: 2022, tom: II, strony: 531-554), Wydawca: WILEY‐VCH
    Status:
    Opublikowana
  2. GaN-Based Materials: Substrates, Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Quantum Well Properties
    Autorzy:
    F. Scholz, M. Bockowski, and E. Grzanka
    Książka:
    Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices (rok: 2020, tom: 1, strony: 41-98), Wydawca: Wiley
    Status:
    Opublikowana