Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Implantacja akceptorów w intencjonalnie niedomieszkowane warstwy GaN wzrastane metodą HVPE - struktury będące podstawą wertykalnych tranzystorów wysokich mocy

2018/29/B/ST5/00338

Słowa kluczowe:

Azotek galu krystalizacja z fazy gazowej struktury epitaksjalne implantacja jonami elektronika wysokich mocy

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Michał Boćkowski 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15

Przyznana kwota: 1 495 125 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-01

Zakończenie projektu: 2023-01-09

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Komputery z podstawowym oprogramowaniem (4 szt.). Za kwotę 24 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (27)
  • Publikacje książkowe (2)
  1. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing
    Autorzy:
    H. Sakurai, M. Omori, S. Yamada, Y. Furukawa, H. Suzuki, T. Narita, K. Kataoka, M. Horita, M. Boćkowski, J. Suda, and T. Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2019, tom: 115, strony: 142104), Wydawca: AMER INST PHYSICS
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5116866 - link do publikacji
  2. Investigation of diffusion mechanism of beryllium in GaN
    Autorzy:
    R. Jakiela, K. Sierakowski, T. Sochacki, M. Iwinska, M. Fijalkowski, A. Barcz, M. Bockowski,
    Czasopismo:
    Physica B: Physics of Condensed Matter (rok: 2020, tom: 594, strony: 45297), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.physb.2020.412316 - link do publikacji
  3. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing
    Autorzy:
    Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Iwinska Malgorzata, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Ikarashi Nobuyuki, Michal Bockowski, Suda Jun, Tetsu Kachi,
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2020, tom: 13, strony: 86501), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/aba64b - link do publikacji
  4. Atomic-scale investigation of implanted Mg in GaN through ultra-high-pressure annealing
    Autorzy:
    Jun Uzuhashi, Jun Chen, Ashutosh Kumar, Wei Yi, Tadakatsu Ohkubo, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Hideki Sakurai, Tetsu Kachi, Takashi Sekiguchi, and Kazuhiro Hono
    Czasopismo:
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2022, tom: Volume 131 Issue 18 Article Nu, strony: 45299), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0087248 - link do publikacji
  5. Defect evolution in Mg ions implanted GaN upon high temperature and ultrahigh N2 partial pressure annealing: Transmission electron microscopy analysis
    Autorzy:
    Kenji Iwata, Hideki Sakurai, Shigeo Arai, Takuya Nakashima, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Michal Bockowski, Masaharu Nagao, Jun Suda, Tetsu Kachi, and Nobuyuki Ikarashi
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 127, strony: 105106-1), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5142168 - link do publikacji
  6. Isochronal annealing study of Mg-implanted p-type GaN activated by ultra-highpressure annealing
    Autorzy:
    Kazufumi Hirukawa, Kensuke Sumida, Hideki Sakurai, Hajime Fujikura, Masahiro Horita, Yohei Otoki, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, and Jun Suda
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 056501-1-5), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/abf4f3 - link do publikacji
  7. Recent progress in basic ammonothermal GaN crystal growth
    Autorzy:
    K. Grabianska, R. Kucharski, A. Puchalski, T. Sochacki, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2020, tom: 547, strony: 125804), Wydawca: Elsevier B.V.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2020.125804 - link do publikacji
  8. Carbon and Manganese in Semi-Insulating Bulk GaN Crystals
    Autorzy:
    Mikolaj Amilusik , Marcin Zajac, Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik, Michal Fijalkowski, Malgorzata Iwinska, Damian Wlodarczyk, Ajeesh Kumar Somakumar, Andrzej Suchocki and Michal Bockowski
    Czasopismo:
    MATERIALS (rok: 2022, tom: Volume 15 Issue 7 Article Numb, strony: 45305), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15072379 - link do publikacji
  9. Design and demonstration of nearly-ideal edge termination for GaN p–n junction using Mg-implanted field limiting rings
    Autorzy:
    Maciej Matys, Takashi Ishida, Kyung Pil Nam, Hideki Sakurai, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Michal Bockowski, Tomoaki Nishimura, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 074002-1-4), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac0b09 - link do publikacji
  10. Effect of Ultra-High-Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation
    Autorzy:
    Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohkubo, Nobuyuki Ikarashi, Kazuhiro Hono, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS (rok: 2022, tom: Volume 259 Issue 10 Article Nu, strony: 45303), Wydawca: WILEY-V C H VERLAG GMBH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.202200183 - link do publikacji
  11. Effect of annealing time and pressure on electrical activation and surface morphology of Mg-implanted GaN annealed at 1300 °C in ultra-high-pressure nitrogen ambient
    Autorzy:
    Kensuke Sumida, Kazufumi Hirukawa, Hideki Sakurai, Kacper Sierakowski, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Tetsu Kachi, and Jun Suda
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 121004-1-5), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac39b0 - link do publikacji
  12. Effects of the sequential implantation of Mg and N ions into GaN for p-type doping
    Autorzy:
    Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Kazufumi Hirukawa, Kensuke Sumida, Shinji Yamada, Kacper Sierakowski, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski Jun Suda and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 111001), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/ac2ae7 - link do publikacji
  13. Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam
    Autorzy:
    Akira Uedono, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Jun Suda, Shoji Ishibashi, Shigefusa F Chichibu, Tetsu Kachi,,
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2020, tom: 10, strony: 45298), Wydawca: Nature Research
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-020-74362-9 - link do publikacji
  14. Enhanced activation of Mg ion-implanted GaN at decreasing annealing temperature by prolonging duration
    Autorzy:
    Takuya Nakashima, Emi Kano, Keita Kataoka, Shigeo Arai, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Masahiro Nagao, Jun Suda, Tetsu Kachi, and Nobuyuki Ikarashi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2021, tom: 14, strony: 011005-1-4), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1882-0786/abd308 - link do publikacji
  15. Process engineering of GaN power devices via selective-area p-type doping with ion implantation and ultra-high-pressure annealing
    Autorzy:
    Kachi, Tetsu; Narita, Tetsuo ; Sakurai, Hideki ; Matys, Maciej ; Kataoka, Keita ; Hirukawa, Kazufumi ; Ikarashi, Nobuyuki ; Sierakowski, Kacper ; Bockowski, Michal ; Suda, Jun
    Czasopismo:
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2022, tom: Volume 132 Issue 13 Article Nu, strony: 45305), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0107921 - link do publikacji
  16. X-ray photoelectron spectroscopy study on effects of ultra-high-pressure annealing on surface of Mg-ion-implanted GaN
    Autorzy:
    Masamichi Akazawa, Encheng Wu, Hideki Sakurai, Michal Bockowski, Tetsuo Narita, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2021, tom: 60, strony: 036503-1-8), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.35848/1347-4065/abe609 - link do publikacji
  17. Electric-field-induced simultaneous diffusion of Mg and H in Mg-doped GaN prepared using ultra-high-pressure annealing
    Autorzy:
    Tetsuo Narita, Hideki Sakurai, Michal Bockowski, Keita Kataoka, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2019, tom: 12, strony: 111005), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1882-0786/ab4934 - link do publikacji
  18. Investigation of beryllium diffusion in HVPE-GaN grown in [11-20] and [10-10] crystallographic directions
    Autorzy:
    Kacper Sierakowski, Rafal Jakiela, Michal Fijalkowski, Tomasz Sochacki, Malgorzata Iwinska, Pawel Kempisty, Marcin Turek, Michal Bockowski
    Czasopismo:
    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING (rok: 2022, tom: 139, strony: 106332), Wydawca: ELSEVIER SCI LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2021.106332 - link do publikacji
  19. Mg-implanted bevel edge termination structure for GaN power device applications
    Autorzy:
    Maciej Matys, Takashi Ishida, Kyung Pil Nam, Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Michal Bockowski, Jun Suda, and Tetsu Kachi
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2021, tom: 118, strony: 093502-1-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0039183 - link do publikacji
  20. Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices
    Autorzy:
    Tetsuo Narita, Hikaru Yoshida, Kazuyoshi Tomita, Keita Kataoka, Hideki Sakurai, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Nobuyuki Ikarashi, Jun Suda, Tetsu Kachi, Yutaka Tokuda
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 128, strony: 90901), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0022198 - link do publikacji
  21. Recent Progress in Crystal Growth of Bulk GaN
    Autorzy:
    M. Bockowski and I. Grzegory
    Czasopismo:
    ACTA PHYSICA POLONICA A (rok: 2022, tom: Volume141 Issue3, strony: 167-174), Wydawca: POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.141.167 - link do publikacji
  22. Self-compensation of carbon in HVPE-GaN:C
    Autorzy:
    R. Piotrzkowski, M. Zajac, E. Litwin-Staszewska, and M. Bockowski
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2020, tom: 117, strony: 12106), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0012844 - link do publikacji
  23. Thermal annealing of GaN implanted with Be
    Autorzy:
    M. A. Reshchikov, O. Andrieiev, M. Vorobiov, D. Ye, D. O. Demchenko, K. Sierakowski, M. Bockowski, B. McEwen, V. Meyers, and F. Shahedipour-Sandvik
    Czasopismo:
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2022, tom: Volume131 Issue12 Article Numb, strony: 45299), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0080060 - link do publikacji
  24. GaN Single Crystalline Substrates by Ammonothermal and HVPE Methods for Electronic Devices
    Autorzy:
    Karolina Grabianska, Piotr Jaroszynski, Aneta Sidor, Michal Bockowski, Malgorzata Iwinska,
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1342), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091342 - link do publikacji
  25. Growth of bulk GaN crystals
    Autorzy:
    R Kucharski, T Sochacki, B Lucznik, M Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 128, strony: 50902), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0009900 - link do publikacji
  26. High Mg activation in implanted GaN by high temperature and ultrahigh pressure annealing
    Autorzy:
    M. Hayden Breckenridge, James Tweedie, Pramod Reddy, Yan Guan, Pegah Bagheri, Dennis Szymanski, Seiji Mita, Kacper Sierakowski, Michał Bockowski, Ramon Collazo, and Zlatko Sitar
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2021, tom: 118, strony: 022101-1-6), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0038628 - link do publikacji
  27. High Pressure Processing of Ion Implanted GaN
    Autorzy:
    Kacper Sierakowski, Rafal Jakiela, Boleslaw Lucznik, Pawel Kwiatkowski, Malgorzata Iwinska, Marcin Turek, Hideki Sakurai, Tetsu Kachi, Michal Bockowski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 1380), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9091380 - link do publikacji
  1. Ammonothermal and HVPE Bulk Growth of GaN
    Autorzy:
    R. Kucharski, T. Sochacki, B. Lucznik, M. Amilusik, K. Grabianska, M. Iwinska, and M. Bockowski
    Książka:
    Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics (rok: 2022, tom: II, strony: 531-554), Wydawca: WILEY‐VCH
    Status:
    Opublikowana
  2. GaN-Based Materials: Substrates, Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Quantum Well Properties
    Autorzy:
    F. Scholz, M. Bockowski, and E. Grzanka
    Książka:
    Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices (rok: 2020, tom: 1, strony: 41-98), Wydawca: WILEY‐VCH
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy