Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Rozpraszanie dyfuzyjne promieniowania rentgenowskiego od lokalnych niejednorodności InGaN- weryfikacja eksperymentalna modelu teoretycznego

2018/29/B/ST5/00623

Słowa kluczowe:

dyfrakcja rentgenowska półprzewodniki azotkowe epitaksja

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów
  • ST5_19: Metody badań właściwości materiałów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Michał Leszczyński 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15

Przyznana kwota: 1 382 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-09

Zakończenie projektu: 2023-05-08

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt w realizacji

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (1)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Improving thermal stability of InGaN quantum wells by doping of GaN barrier layers IF: 5,29
    Autorzy:
    Artur Lachowski, Ewa Grzanka, Szymon Grzanka, Robert Czernecki, Mikołaj Grabowski, Roman Hrytsak, Grzegorz Nowak, Mike Leszczyński, Julita Smalc-Koziorowska
    Czasopismo:
    Journal of Alloys and Compounds (rok: 2022, tom: 900, strony: 163519), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Przyjęta do publikacji
    Doi:
    10.1016/j.jallcom.2021.163519 - link do publikacji
  1. GaN-based materials: substrates, Metalorganic Chemical Vapour Phase Epitaxy and quantum well properties
    Autorzy:
    Ferdinand Scholz, Ewa Grzanka, Michał Bockowski
    Książka:
    Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices (rok: 2020, ), Wydawca: Wiley-VCH Publisher
    Status:
    Przyjęta do publikacji