Projekty finansowane przez NCN
Rozpraszanie dyfuzyjne promieniowania rentgenowskiego od lokalnych niejednorodności InGaN- weryfikacja eksperymentalna modelu teoretycznego
2018/29/B/ST5/00623
Słowa kluczowe:
dyfrakcja rentgenowska półprzewodniki azotkowe epitaksja
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów
- ST5_19: Metody badań właściwości materiałów
Panel:
ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna
Jednostka realizująca:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
Liczba wykonawców projektu: 7
Konkurs: OPUS 15 - ogłoszony 2018-03-15
Przyznana kwota: 1 382 000 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2019-01-01
Zakończenie projektu: 2023-12-08
Planowany czas trwania projektu: 59 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (4)
- Publikacje książkowe (1)
- Indium Fluctuations Versus Thickness Fluctuations of InGaN Multiple Quantum Wells in X-ray DiffractionAutorzy:Oleksii Liubchenko, Marcin Krysko , Ewa Grzanka, Jaroslaw Z. Domagala, Vaclav Holy, Mike LeszczynskiCzasopismo:Materials (rok: 2024, tom: 1, strony: ), Wydawca: mdpiStatus:ZłożonaDoi:brak - link do publikacji
- Effect of doping of layers surrounding GaN/InGaN multiple quantum wells on their thermal stabilityAutorzy:Lachowski, A, Grzanka, E, Czernecki, R, Grabowski, M, Grzanka, Sz,, Leszczynski, M, Smalc-Koziorowska, JCzasopismo:Materilas Science in Semiconductor Processing (rok: 2023, tom: 166, strony: 107752), Wydawca: ELSEVIER SCI LTDStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.mssp.2023.107752 - link do publikacji
- Improving thermal stability of InGaN quantum wells by doping of GaN barrier layersAutorzy:Artur Lachowski, Ewa Grzanka, Szymon Grzanka, Robert Czernecki, Mikołaj Grabowski, Roman Hrytsak, Grzegorz Nowak, Mike Leszczyński, Julita Smalc-KoziorowskaCzasopismo:Journal of Alloys and Compounds (rok: 2022, tom: 900, strony: 163519), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.jallcom.2021.163519 - link do publikacji
- Toward Red Light Emitters Based on InGaN-Containing Short-Period Superlattices with InGaN BuffersAutorzy:Grzegorz Staszczak, Iza Gorczyca, Ewa Grzanka, ,Julita Smalc-Koziorowska, Grzegorz Targowski, Tadeusz SuskiCzasopismo:Materials (rok: 2023, tom: 16(23), strony: 7386), Wydawca: MDPIStatus:OpublikowanaDoi:10.3390/ma16237386 - link do publikacji
- GaN-based materials: substrates, Metalorganic Chemical Vapour Phase Epitaxy and quantum well propertiesAutorzy:Ferdinand Scholz, Ewa Grzanka, Michał BockowskiKsiążka:Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices (rok: 2020, tom: 1, strony: 41-98), Wydawca: Wiley-VCH PublisherStatus:Opublikowana