Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Przetwarzanie energii w obszarze średnich napięć z wykorzystaniem przyrządów mocy z węglika krzemu

2017/27/B/ST7/00970

Słowa kluczowe:

energoelektronika przekształtniki energoelektroniczne tranzytory mocy węglik krzemu średnie napięcia

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_3: Inżynieria symulacji i modelowania
  • ST7_1: Inżynieria sterowania

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Warszawska, Wydział Elektryczny

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Jacek Rąbkowski 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 14 - ogłoszony 2017-09-15

Przyznana kwota: 947 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2018-06-01

Zakończenie projektu: 2021-12-28

Planowany czas trwania projektu: 42 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Cewka Rogowskiego. Za kwotę 10 000 PLN
  2. Zasilacz wysokonapięciowy 2kV/10kW. Za kwotę 39 000 PLN
  3. Sonda wysokonapięciowa. Za kwotę 23 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (6)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (5)
  1. Active Voltage Balancing of Series-Connected 1.7 kV/325 A SiC MOSFETs Enabling Continuous Operation at Medium Voltage
    Autorzy:
    Przemysław Trochimiuk, Rafał Kopacz, Grzegorz Wrona, Jacek Rąbkowski
    Czasopismo:
    IEEE Access (rok: 2021, tom: 9, strony: 8604 - 8614), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/ACCESS.2021.3049606 - link do publikacji
  2. A Simple Method to Validate Power Loss in Medium Voltage SiC MOSFETs and Schottky Diodes Operating in a Three-Phase Inverter
    Autorzy:
    Jacek Rąbkowski, Hubert Skoneczny, Rafał Kopacz, Przemysław Trochimiuk, Grzegorz Wrona
    Czasopismo:
    Energies (rok: 2020, tom: 13, strony: 45309), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/en13184773 - link do publikacji
  3. Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
    Autorzy:
    Przemysław Trochimiuk
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2020, tom: 7, strony: 80-85), Wydawca: Wydawnictwo SIGMA_NOT
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/48.2020.07.15 - link do publikacji
  4. Medium Voltage Flying Capacitor DC–DC Converter With High-Frequency TCM-Q2L Control
    Autorzy:
    R. Kopacz, M. Harasimczuk, P. Trochimiuk, G. Wrona, J. Rąbkowski
    Czasopismo:
    IEEE Transactions on Power Electronics (rok: 2022, tom: vol. 37, no. 4, strony: 4233-4248), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/TPEL.2021.3122329. - link do publikacji
  5. Medium Voltage Power Switch in Silicon Carbide – a Comparative Study
    Autorzy:
    P. Trochimiuk, R. Kopcz, K. Frąc, J. Rąbkowski
    Czasopismo:
    IEEE Access (rok: 2022, tom: 10, strony: 26849-26858), Wydawca: IEEE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/ACCESS.2022.3156277 - link do publikacji
  6. Parasitic-Based Active Gate Driver Improving the Turn-On Process of 1.7 kV SiC Power MOSFET
    Autorzy:
    Bartosz Lasek, Przemysław Trochimiuk, Rafał Kopacz, Jacek Rąbkowski
    Czasopismo:
    Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, strony: 45307), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/app11052210 - link do publikacji
  1. Medium voltage power switch based on 1.7kV SiC MOSFETs connected in series inside power modules
    Autorzy:
    P. Trochimiuk, R. Kopacz, J. Rabkowski, G. Wrona
    Konferencja:
    21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'19 ECCE Europe) (rok: 2019, ), Wydawca: EPE
    Data:
    konferencja 2-6 IX
    Status:
    Opublikowana
  2. 3.3 kV/ 450 a SiC MOSFET Module - Modelling and Experiments
    Autorzy:
    J. Rabkowski, R. Sobieski, M. Zdanowski, S. Piasecki
    Konferencja:
    20th European Conference on Power Electronics and Applications (rok: 2018, ), Wydawca: EPE
    Data:
    konferencja 17-21 IX
    Status:
    Opublikowana
  3. High-Frequency SiC-Based Medium Voltage Quasi-2-Level Flying Capacitor DC/DC Converter With Zero Voltage Switching
    Autorzy:
    Rafał Kopacz, Przemysław Trochimiuk, Grzegorz Wrona, Jacek Rąbkowski
    Konferencja:
    22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe) (rok: 2020, ), Wydawca: European Power Electronics Association
    Data:
    konferencja 44081
    Status:
    Opublikowana
  4. Impact of a gate drive on performance of three-phase inverters based on 3.3 kV SiC MOSFETs
    Autorzy:
    Radosław Sobieski, Przemysław Trochimiuk, Hubert Skoneczny, Jacek Rąbkowski
    Konferencja:
    Progress in Applied Electrical Engineering (PAEE) (rok: 2020, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 44003
    Status:
    Opublikowana
  5. Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
    Autorzy:
    P. Trochimiuk (wyróżnienie)
    Konferencja:
    Krajowa Konferencja Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE (rok: 2019, ), Wydawca: SENE
    Data:
    konferencja 20-22 XI
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy