Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Terahertzowe wzbudzenia plazmowe w jednowymiarowych tranzystorach GaN/AlGaN

2017/27/L/ST7/03283

Słowa kluczowe:

THz fale plazmowe heterostruktury GaN/AlGaN HEMT tranzystor THz źródła/emitery

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST7_6: Technologie telekomunikacyjne, technologie wysokiej częstotliwości
  • ST7_12: Inne zagadnienia pokrewne

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Maciej Sakowicz 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: DAINA 1 - ogłoszony 2017-09-15

Przyznana kwota: 1 477 549 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-01

Zakończenie projektu: 2021-12-31

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (3)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. Investigation of n-type gallium nitride grating for applications in coherent thermal sources
    Autorzy:
    Vytautas Janonis, Saulius Tumėnas, Pawel Prystawko, Jacek Kacperski, Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2020, tom: 116, strony: 112103), Wydawca: AIP Publishing LLC
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5143220 - link do publikacji
  2. Radiation from shallow oxygen impurity in AlGaN/GaN HEMT structures in magnetic field
    Autorzy:
    I.Grigelionis, N.Diakonova, W.Knap, F.Teppe, P.Prystawko, I.Kašalynas
    Czasopismo:
    Solid State Communications (rok: 2020, tom: 320, strony: 114019), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.ssc.2020.114019 - link do publikacji
  3. Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN:C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate
    Autorzy:
    Roman B Adamov, Daniil Pashnev, Vadim A Shalygin, Maria D Moldavskaya, Maxim Ya Vinnichenko, Vytautas Janonis, Justinas Jorudas, Saulius Tumėnas, Paweł Prystawko, Marcin Kryśko, Maciej Sakowicz, Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, strony: 6053), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/app11136053 - link do publikacji
  1. Sub-terahertz detection by fin-shaped GaN/AlGaN transistors
    Autorzy:
    P. Sai, D. B. But, G. Cywiński, M. Dub, M. Sakowicz, P. Prystawko, S. Rumyantsev, W. Knap
    Konferencja:
    SPIE OPTO (rok: 2020, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 1-6.02.2020
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy