Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Terahertzowe wzbudzenia plazmowe w jednowymiarowych tranzystorach GaN/AlGaN

2017/27/L/ST7/03283

Słowa kluczowe:

THz fale plazmowe heterostruktury GaN/AlGaN HEMT tranzystor THz źródła/emitery

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST7_6: Technologie telekomunikacyjne, technologie wysokiej częstotliwości
  • ST7_12: Inne zagadnienia pokrewne

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Maciej Sakowicz 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: DAINA 1 - ogłoszony 2017-09-15

Przyznana kwota: 1 477 549 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2019-01-01

Zakończenie projektu: 2021-12-31

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (9)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (5)
  1. AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
    Autorzy:
    Justinas Jorudas, Artūr Šimukovič, Maksym Dub, Maciej Sakowicz, Paweł Prystawko, Simonas Indrišiūnas, Vitalij Kovalevskij, Sergey Rumyantsev, Wojciech Knap, Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    micromachines (rok: 2020, tom: 11, strony: 1131), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/mi11121131 - link do publikacji
  2. Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN:C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate
    Autorzy:
    Roman B Adamov, Daniil Pashnev, Vadim A Shalygin, Maria D Moldavskaya, Maxim Ya Vinnichenko, Vytautas Janonis, Justinas Jorudas, Saulius Tumėnas, Paweł Prystawko, Marcin Kryśko, Maciej Sakowicz, Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    Applied Sciences (rok: 2021, tom: 11, strony: 6053), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/app11136053 - link do publikacji
  3. Investigation of n-type gallium nitride grating for applications in coherent thermal sources
    Autorzy:
    Vytautas Janonis, Saulius Tumėnas, Pawel Prystawko, Jacek Kacperski, Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2020, tom: 116, strony: 112103), Wydawca: AIP Publishing LLC
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5143220 - link do publikacji
  4. Terahertz electroluminescence of shallow impurities in AlGaN/GaN heterostructures at 20 K and 110 K temperature
    Autorzy:
    Ignas Grigelionis, Justinas Jorudas, Vytautas Jakštas, Vytautas Janonis, Irmantas Kašalynas, Pawel Prystawko, Piotr Kruszewski, Michal Leszczyński
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2019, tom: 93, strony: 280-283), Wydawca: Pergamon
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2019.01.005 - link do publikacji
  5. Double-Quantum-Well AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Top and Back Gates: Electrical and Noise Characteristics
    Autorzy:
    M. Dub, P. Sai, M. Sakowicz, L. Janicki, D.B. But, P. Prystawko, G. Cywiński, W. Knap and S. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Micromachines (rok: 2021, tom: 12, strony: 1343), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/mi12060721 - link do publikacji
  6. Graphene as a Schottky Barrier Contact to AlGaN/GaN Heterostructures
    Autorzy:
    Maksym Dub, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Maciej Sakowicz, Paweł Prystawko, Jacek Kacperski, Iwona Pasternak, Grzegorz Cywiński, Dmytro But, Wojciech Knap, Sergey Rumyantsev
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2020, tom: 13, strony: 4140), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma13184140 - link do publikacji
  7. Development of Quaternary InAlGaN Barrier Layer for High Electron Mobility Transistor Structures
    Autorzy:
    Justinas Jorudas, Paweł Prystawko, Artur Šimukovic, Ramunas Aleksiejunas, Juras Mickevicius, Marcin Kryśko, Paweł Piotr Michałowski and Irmantas Kašalynas
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 1118), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15031118 - link do publikacji
  8. Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors
    Autorzy:
    P. Sai, J. Jorudas, M. Dub, M. Sakowicz, V. Jakštas, D. B. But, P. Prystawko, G. Cywinski, I. Kašalynas, W. Knap, S. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2019, tom: 115, strony: 183501), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5119227 - link do publikacji
  9. Radiation from shallow oxygen impurity in AlGaN/GaN HEMT structures in magnetic field
    Autorzy:
    I.Grigelionis, N.Diakonova, W.Knap, F.Teppe, P.Prystawko, I.Kašalynas
    Czasopismo:
    Solid State Communications (rok: 2020, tom: 320, strony: 114019), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.ssc.2020.114019 - link do publikacji
  1. Anomalous sub-THz detection by GaN/AlGaN FinFETs
    Autorzy:
    Dub, M., Sai, P., But, D. B., Jorudas, J., Kašalynas, I., Sakowicz, M., G. Cywinski; S. Rumyantsev, Knap
    Konferencja:
    23rd International Microwave and Radar Conference (MIKON) (rok: 2020, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 5-8.10.2020
    Status:
    Opublikowana
  2. Modified bow-tie antennas AlGaN/GaN FinFETs for sub-THz detection
    Autorzy:
    M. Dub, P. Sai, A. V. Chernyadiev, D. B. But, M. Sakowicz, P. Prystawko, A. Lisauskas, G. Cywiński, S. Rumyantsev, and W. Knap
    Konferencja:
    46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (rok: 2021, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 29.08 – 3.09.2021
    Status:
    Opublikowana
  3. Sub-terahertz detection by fin-shaped GaN/AlGaN transistors
    Autorzy:
    P. Sai, D. B. But, G. Cywiński, M. Dub, M. Sakowicz, P. Prystawko, S. Rumyantsev, W. Knap
    Konferencja:
    SPIE OPTO (rok: 2020, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 1-6.02.2020
    Status:
    Opublikowana
  4. AlGaN/GaN HEMTs for THz Plasma Wave Detection and Emission
    Autorzy:
    M. Sakowicz; P. Sai; D. B. But; G. Cywiński; M. Dub; I. Kasalynas; P. Prystawko; S. Rumyantsev; W. Knap
    Konferencja:
    45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (rok: 2020, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 8-13.11.2020
    Status:
    Opublikowana
  5. AlGaN/GaN heterostructures for plasma wave detection and emission in THz regime
    Autorzy:
    M. Sakowicz, P. Sai, D. B. But, G. Cywinski, M. Dub, I. Kašalynas, P. Prystawko, S. Rumyantsev, and W. Knap
    Konferencja:
    SPIE OPTO - Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XIV (rok: 2021, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 6-11.03.2021
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy