Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Krystalizacja z fazy gazowej wysokooporowego objętościowego azotku galu domieszkowanego manganem

2017/25/B/ST5/02897

Słowa kluczowe:

Azotek galu krystalizacja z fazy gazowej domieszkowanie materiał półizolacyjny mangan

Deskryptory:

  • ST5_2: Materiały o strukturze ciała stałego
  • ST5_19: Metody badań właściwości materiałów
  • ST5_25: Inne zagadnienia pokrewne

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Michał Boćkowski 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: OPUS 13 - ogłoszony 2017-03-15

Przyznana kwota: 934 200 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2018-01-01

Zakończenie projektu: 2020-01-18

Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Komputery z podstawowym oprogramowaniem i monitorami i wysokiej rozdzielczości obrazu (3 szt.). Za kwotę 21 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (9)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Homoepitaxial HVPE GaN: A potential substrate for high performance devices
    Autorzy:
    J.A. Freitas Jr, J.C. Culbertson, N.A. Mahadik, M.J. Tadjer, S. Wu, B. Raghothamachar, M. Dudley, T. Sochacki, M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2018, tom: 500, strony: 104-110), Wydawca: Elsevier B.V.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.08.007 - link do publikacji
  2. Incorporation of Carbon in Free-Standing HVPE-Grown GaN Substrates
    Autorzy:
    Zvanut, ME.,Paudel, S., Glaser, ER., Iwinska, M., Sochacki T., Bockowski, M.
    Czasopismo:
    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS (rok: 2019, tom: 48 issue 4, strony: 2226-2232), Wydawca: SPRINGER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11664-019-07016-w - link do publikacji
  3. Electrical characterization of HVPE GaN containing different concentrations of carbon dopants
    Autorzy:
    E Gaubas, T Čeponis, L Deveikis, D Meskauskaite, J Pavlov, V Rumbauskas, M Bockowski and B Lucznik
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2018, tom: 33, strony: 45304), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/aaecf0 - link do publikacji
  4. Homoepitaxial growth by halide vapor phase epitaxy of semi-polar GaN on ammonothermal seeds
    Autorzy:
    M. Amilusik, T. Sochacki, M. Fijalkowski, B. Lucznik, M. Iwinska, A. Sidor, H. Teisseyre, J. Domagala, I. Grzegory, M Bockowski
    Czasopismo:
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2019, tom: 58, strony: Article Number: SC1030), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1347-4065/ab1065 - link do publikacji
  5. Synchrotron radiation X-ray topography and defect selective etching analysis of threading dislocations in halide vapor phase epitaxy GaN crystal grown on ammonothermal seed
    Autorzy:
    T. Sochacki, S. Sintonen, J. L. Weyher, M. Amilusik, A. Sidor, M. Bockowski
    Czasopismo:
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2019, tom: 58, strony: Article Number: SCCB19), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1347-4065/ab0f15 - link do publikacji
  6. Doping in bulk HVPE-GaN grown on native seeds – highly conductive and semi-insulating crystals
    Autorzy:
    M. Bockowski, M. Iwinska, M. Amilusik, B. Lucznik, M. Fijalkowski, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, T. Sochacki
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2018, tom: 499, strony: 45298), Wydawca: Elsevier B.V.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.07.019 - link do publikacji
  7. Iron and manganese as dopants used in the crystallization of highly resistive HVPE-GaN on native seeds
    Autorzy:
    M. Iwinska , M. Zajac, B. Lucznik, M. Fijalkowski, M. Amilusik, T. Sochacki, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, I. Grzegory, and M.Bockowski
    Czasopismo:
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2019, tom: 58, strony: Article Number: SC1047), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1347-4065/ab1249 - link do publikacji
  8. Micro-Raman studies of strain in bulk GaN crystals grown by hydride vapor phase epitaxy on ammonothermal GaN seeds
    Autorzy:
    M. Amilusik, D. Wlodarczyk, A. Suchocki, M. Bockowski
    Czasopismo:
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (rok: 2019, tom: 58, strony: Article Number: SCCB32), Wydawca: IOP PUBLISHING LTD
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1347-4065/ab1390 - link do publikacji
  9. Study of spectral and recombination characteristics of HVPE GaN grown on ammono substrates
    Autorzy:
    E. Gaubas, P. Baronas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, E. Kuokstis, J. Mickevičius, V. Rumbauskas, M. Bockowski, M. Iwinska, T. Sochacki
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2019, tom: 91, strony: 341-355), Wydawca: Elsevier Ltd.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2018.12.010 - link do publikacji
  1. GaN-Based Materials: Substrates, Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Quantum Well Properties
    Autorzy:
    F. Scholz, M. Bockowski, and E. Grzanka
    Książka:
    Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices (rok: 2020, tom: 1, strony: 62-115), Wydawca: Wiley-VCH
    Status:
    Przyjęta do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy