Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Nanodruty GaN dla nowej architektury przyrządów optoelektronicznych i sensorów.

2016/23/B/ST7/03745

Słowa kluczowe:

nanodruty półprzewodnikowe nanoelektronika epitaksja z wiązek molekularnych

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST5_10: Nanomateriały: nanocząstki, nanorurki
  • ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Zbigniew Żytkiewicz 

Liczba wykonawców projektu: 9

Konkurs: OPUS 12 - ogłoszony 2016-09-15

Przyznana kwota: 888 600 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-07-01

Zakończenie projektu: 2022-07-05

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. stacja komputerowa z oprogramowaniem. Za kwotę 9 000 PLN
  2. laptop z oprogramowaniem i monitorem. Za kwotę 6 000 PLN
  3. drukarka.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (20)
  1. Alternative Route of Fracturing in GaN Films Formed by Nanowires Coalescence on Si Substrate
    Autorzy:
    Serhii Kryvyi, Hryhorii Stanchu, Oleksii Liubchenko, Nadiia Safriuk-Romanenko, Andrian Kuchuk, Aleksandra Wierzbicka, Marta Sobanska, Anna Reszka, Zbigniew R. Zytkiewicz, and Vasyl Kladko
    Czasopismo:
    Crysttal Growth & Design (rok: 2022, tom: 22, strony: 3264-3270), Wydawca: ACS Publications, American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acs.cgd.2c00104 - link do publikacji
  2. Strain and lattice vibration mechanisms in GaN-AlxGa1-xN nanowire structures on Si substrate
    Autorzy:
    E. Zielony, R. Szymon, A. Wierzbicka, A. Reszka, M. Sobanska, W. Pervez, Z. R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2022, tom: 588, strony: 152901), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2022.152901 - link do publikacji
  3. Investigating the Secondary Electron Emission of Nanomaterials Induced by a High-Resolution Proton Beam
    Autorzy:
    Marian Cholewa, Anna Gr˛edysa, Andrii Pozaruk, Thomas Osipowicz, Jeroen A. van Kan, Yan X. Dou, Peiyan Yan, Andrew A. Bettiol, Ivan Maximov, Maria Sobanska, Zbigniew R. Zytkiewicz, Noelle Gogneau, Maria Tchernycheva, Keundong Lee, Minho S. Song, Gyu-Chul Yi, and Plamen Boutachkov
    Czasopismo:
    Physica Status Solidi B (rok: 2022, tom: 2022, strony: 2100445), Wydawca: Wiley-VCH GmbH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.202100445 - link do publikacji
  4. Strain control in graphene on GaN nanowires: towards pseudomagnetic field engineering
    Autorzy:
    Jakub Kierdaszuk, Paweł Dąbrowski; Maciej Rogala; Paweł Krukowski; Aleksandra Przewłoka; Aleksandra Krajewska; Wawrzyniec Kaszub; Marta Sobanska; Zbigniew R. Zytkiewicz; Vitaly Z. Zubialevich; Paweł J. Kowalczyk; Andrzej Wysmołek; Johannes Binder; Aneta Drabińska
    Czasopismo:
    Carbon (rok: 2022, tom: 186, strony: 128-140), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.012 - link do publikacji
  5. Hybrid P3HT:PCBM/GaN nanowire/Si cascade heterojunction for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Giorgi Tchutchulashvili, Krzysztof P. Korona, Wojciech Mech, Sergij Chusnutdinow, Marta Sobanska, Kamil Klosek, Zbigniew R. Zytkiewicz, Wojciech Sadowski
    Czasopismo:
    Journal of Nanoparticle Research (rok: 2020, tom: 22, strony: 45300), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11051-020-04797-8 - link do publikacji
  6. Polarization doping—Ab initio verification of the concept: Charge conservation and nonlocality
    Autorzy:
    Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Jacek Piechota, Yoshihiro Kangawa, Izabella Grzegory, Michal Leszczynski, Zbigniew R. Zytkiewicz, Grzegorz Muziol, Eva Monroy, Agata Kaminska, and Stanislaw Krukowski
    Czasopismo:
    J. Appl. Phys. (rok: 2022, tom: 132, strony: 64301), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0098909 - link do publikacji
  7. Reflectance and fast polarization dynamics of GaN/Si nanowire ensemble
    Autorzy:
    K. P. Korona, Z. R. Zytkiewicz, M. Sobanska, F. E. Sosada, P. A. Dróżdż, K. Klosek, G. Tchutchulashvili
    Czasopismo:
    J. Phys.: Condens. Matter (rok: 2018, tom: 30, strony: 315301), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-648X/aacedd - link do publikacji
  8. Chemical bonding of nitrogen formed by nitridation of crystalline and amorphous aluminum oxide studied by X-ray photoelectron spectroscopy
    Autorzy:
    K. Lawniczak-Jablonska, Z. R. Zytkiewicz, S. Gieraltowska, M. Sobanska, P. Kuzmiuk and K. Klosek
    Czasopismo:
    RSC Advances (rok: 2020, tom: 10, strony: 27932-27939), Wydawca: Royal Society of Chemistry
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1039/d0ra05104g - link do publikacji
  9. Compositionally Graded AlGaN Nanostructures: Strain Distribution and X‑ray Diffraction Reciprocal Space Mapping
    Autorzy:
    H. Stanchu, M. Auf der Maur, A. V. Kuchuk, Yu. I. Mazur, M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, S. Wu, Z. Wang, and G. Salamo
    Czasopismo:
    Crystal Growth & Design (rok: 2020, tom: 20, strony: 1543-1551), Wydawca: ACS Publications
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acs.cgd.9b01273 - link do publikacji
  10. Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous AlxOy: in situ quadrupole mass spectrometry studies
    Autorzy:
    M. Sobanska, Z.R. Zytkiewicz, G. Calabrese, L. Geelhaa2, and S. Fernández-Garrido
    Czasopismo:
    Nanotechnology (rok: 2019, tom: 30, strony: 154002), Wydawca: IOP Science
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6528/aafe17 - link do publikacji
  11. Determination of Fermi Level Position at the Graphene/ GaN Interface Using Electromodulation Spectroscopy
    Autorzy:
    Artur P. Herman, Lukasz Janicki, Hubert S. Stokowski, Mariusz Rudzinski, Ewelina Rozbiegala, Marta Sobanska, Zbigniew R. Zytkiewicz, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Advanced Materials Interfaces (rok: 2020, tom: 2001220, strony: 45297), Wydawca: Wiley-VCH GmbH
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/admi.202001220 - link do publikacji
  12. Influence of Growth Polarity Switching on the Optical and Electrical Properties of GaN/AlGaN Nanowire LEDs
    Autorzy:
    Anna Reszka, Krzysztof P. Korona, Stanislav Tiagulskyi, Henryk Turski, Uwe Jahn, Slawomir Kret, Rafał Bo˙zek, Marta Sobanska, Zbigniew R. Zytkiewicz and Bogdan J. Kowalski
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2021, tom: 10, strony: 45311), Wydawca: MDPI Publishers
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics10010045 - link do publikacji
  13. Influence of Si Substrate Preparation Procedure on Polarity of Self-Assembled GaN Nanowires on Si(111): Kelvin Probe Force Microscopy Studies
    Autorzy:
    Marta Sobanska , Núria Garro, Kamil Klosek, Ana Cros and Zbigniew R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Electronics (rok: 2020, tom: 9, strony: 45304), Wydawca: MDPI Publisher
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/electronics9111904 - link do publikacji
  14. Properties of graphene deposited on GaN nanowires: influence of nanowire roughness, self-induced nanogating and defects
    Autorzy:
    Jakub Kierdaszuk, Piotr Kaźmierczak, Justyna Grzonka, Aleksandra Krajewska, Aleksandra Przewłoka, Wawrzyniec Kaszub, Zbigniew R. Zytkiewicz, Marta Sobanska, Maria Kamińska, Andrzej Wysmołek and Aneta Drabińska
    Czasopismo:
    Beilstein Journal of Nanotechnology (rok: 2021, tom: 12, strony: 566-577), Wydawca: Beilstein-Institut
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    DOI:bjnano.12.47 - link do publikacji
  15. Surface-enhanced Raman scattering in graphene deposited on AlxGa1−xN/ GaN axial heterostructure nanowires
    Autorzy:
    J. Kierdaszuk, M. Tokarczyk, K.M. Czajkowski, R. Bożek, A. Krajewska, A. Przewłoka, W. Kaszub, M. Sobanska, Z.R. Zytkiewicz, G. Kowalski, T.J. Antosiewicz, M. Kamińska, A. Wysmołek, A. Drabińska
    Czasopismo:
    Applied Surface Science (rok: 2019, tom: 475, strony: 559-564), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.apsusc.2019.01.040 - link do publikacji
  16. The Role of the Built-In Electric Field in Recombination Processes of GaN/AlGaN QuantumWells: Temperature- and Pressure-Dependent Study of Polar and Non-Polar Structures
    Autorzy:
    Kamil Koronski, Krzysztof P. Korona, Serhii Kryvyi, Aleksandra Wierzbicka, Kamil Sobczak, Stanislaw Krukowski , Pawel Strak , Eva Monroy and Agata Kaminska
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2022, tom: 15, strony: 2756), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma15082756 - link do publikacji
  17. Defect-related photoluminescence and photoluminescence excitation as a method to study the excitonic bandgap of AlN epitaxial layers: Experimental and ab initio analysis
    Autorzy:
    Agata Kaminska, Kamil Koronski, Pawel Strak, Aleksandra Wierzbicka, Marta Sobanska, Kamil Klosek, Dmitrii V. Nechaev, Vladimir Pankratov, Kirill Chernenko, Stanislaw Krukowski, and Zbigniew R. Zytkiewicz
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2020, tom: 117, strony: 45297), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/5.0027743 - link do publikacji
  18. GaN Nanowire Array for Charge Transfer in Hybrid GaN/P3HT:PC71BM Photovoltaic Heterostructure Fabricated on Silicon
    Autorzy:
    Giorgi Tchutchulashvili, Sergij Chusnutdinow ,Wojciech Mech, Krzysztof P. Korona , Anna Reszka, Marta Sobanska , Zbigniew R. Zytkiewicz and Wojciech Sadowski
    Czasopismo:
    Materials (rok: 2020, tom: 13, strony: 45302), Wydawca: MDPI Publishers
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma13214755 - link do publikacji
  19. Selective area formation of GaN nanowires on GaN substrates by the use of amorphous AlxOy nucleation layer
    Autorzy:
    Marta Sobanska, Zbigniew R Zytkiewicz, Kamil Klosek, Renata Kruszka, Krystyna Golaszewska, Marek Ekielski, Sylwia Gieraltowska
    Czasopismo:
    Nanotechnology (rok: 2020, tom: 31, strony: 184001), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6528/ab6bf2 - link do publikacji
  20. Surface Diffusion of Gallium as the Origin of Inhomogeneity in Selective Area Growth of GaN Nanowires on AlxOy Nucleation Stripes
    Autorzy:
    M. Sobanska, Z. R. Zytkiewicz, M. Ekielski, K. Klosek, A. S. Sokolovskii, and V. G. Dubrovskii
    Czasopismo:
    Crystal Growth & Design (rok: 2020, tom: 20, strony: 4770−4778), Wydawca: American Chemical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1021/acs.cgd.0c00530 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy