Change language

Wyszukiwarka projektów

Lateralne diody Schottky jako nowatorskie narzędzia do badania wysokoczęstotliwościowych właściwości struktur azotkowych.

2016/22/E/ST7/00526

Słowa kluczowe

Deskryptory

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy

Panel

ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki »

Kierownik projektu (z jednostki realizującej)

dr hab. Grzegorz Cywiński

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs

SONATA BIS 6 – ogłoszony 2016-06-15

Przyznana kwota
1 439 600 PLN
Rozpoczęcie projektu
2017-04-04
Zakończenie projektu
2022-04-03
Planowany czas trwania projektu
60 miesięcy (z wniosku)
Status projektu
Projekt rozliczony

Opis projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga — opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Przestrajane źródło subterahercowe (170-220 GHz) z wyposażeniem. Za kwotę 180 000 PLN
  2. System do mikrofalowego pobudzania struktur testowych. Za kwotę 152 000 PLN
  3. Szybki miernik pojemności dla DLTS z wyposażeniem. Za kwotę 52 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

Publikacje w czasopismach (10)

  1. Graphene as a Schottky Barrier Contact to AlGaN/GaN Heterostructures

    Autorzy:
    Maksym Dub, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Maciej Sakowicz, Paweł Prystawko, Jacek Kacperski, Iwona Pasternak, Grzegorz Cywiński, Dmytro But, Wojciech Knap and Sergey Rumyantsev
    Czasopismo:
    MDPI Materials (rok: 2020, tom: 13, strony: 4140), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.3390/ma13184140 – link do publikacji

  2. AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range

    Autorzy:
    P. Sai, D. B. But, I. Yahniuk, M. Grabowski, M. Sakowicz, P. Kruszewski, P. Prystawko, A. Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Przybytek, P. Wiśniewski, B. Stonio, M. Słowikowski, S. L. Rumyantsev, W. Knap and G. Cywiński
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2019, tom: 34, strony: 024002 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1088/1361-6641/aaf4a7 – link do publikacji

  3. Beatings of ratchet current magneto-oscillations in GaN-based grating gate structures: Manifestation of spin-orbit band splitting

    Autorzy:
    P. Sai, S. O. Potashin, M. Szoła, D. Yavorskiy, G. Cywiński, P. Prystawko, J. Łusakowski, S. D. Ganichev, S. Rumyantsev, W. Knap, and V. Yu. Kachorovskii
    Czasopismo:
    Physical Review B (rok: 2021, tom: 104, 4, strony: 045301-1-045301-13), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1103/PhysRevB.104.045301 – link do publikacji

  4. Graphene/AlGaN/GaN RF Switch

    Autorzy:
    Yevhen Yashchyshyn, Paweł Bajurko, Jakub Sobolewski, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Paweł Prystawko, Maksym Dub, Wojciech Knap, Sergey Rumyantsev and Grzegorz Cywinski
    Czasopismo:
    Micromachines (rok: 2021, tom: 12, 11, strony: 46033), Wydawca: MDPIST ALBAN-ANLAGE 66, CH-4052 BASEL, SWITZERLAND
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.3390/mi12111343 – link do publikacji

  5. Double-Quantum-Well AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Top and Back Gates: Electrical and Noise Characteristics.

    Autorzy:
    Dub, M.; Sai, P.; Sakowicz, M.; Janicki, L.; But, D.B.; Prystawko, P.; Cywinski, G.; Knap,W.; Rumyantsev, S.
    Czasopismo:
    Micromachines (rok: 2021, tom: 12, 6, strony: 721), Wydawca: MDPIST ALBAN-ANLAGE 66, CH-4052 BASEL, SWITZERLAND
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.3390/mi12060721 – link do publikacji

  6. Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors

    Autorzy:
    P. Sai, J. Jorudas, M. Dub, M. Sakowicz, V. Jakštas, D. B. But, P. Prystawko, G. Cywinski, I. Kašalynas, W. Knap and S. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2019, tom: 115, strony: 183501-1 -183501-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1063/1.5119227 – link do publikacji

  7. Features of the Formation of Ohmic Contacts to n+-InN

    Autorzy:
    P.O. Sai, N.V. Safryuk-Romanenko, D.B. But, G. Cywiński, N.S. Boltovets, P.N. Brunkov, N.V. Jmeric, S.V. Ivanov, V.V. Shynkarenko
    Czasopismo:
    Ukrainian Journal of Physics (rok: 2019, tom: 64, strony: 56-62), Wydawca: Publishing House Naukova Dumka
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.15407/ujpe64.1.56 – link do publikacji

  8. Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells

    Autorzy:
    Ivan Yahniuk, Sergey S. Krishtopenko, Grzegorz Grabecki, Benoit Jouault, Christophe Consejo, Wilfried Desrat, Magdalena Majewicz, Alexander M. Kadykov, Kirill E. Spirin, Vladimir I. Gavrilenko, Nikolay N. Mikhailov, Sergey A. Dvoretsky, Dmytro B. But, Frederic Teppe, Jerzy Wróbel, Grzegorz Cywiński, Sławomir Kret, Tomasz Dietl & Wojciech Knap
    Czasopismo:
    npj Quantum Materials (rok: 2019, tom: 4, strony: 13 (8pp)), Wydawca: Nature
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1038/s41535-019-0154-3 – link do publikacji

  9. Electrically controlled wire-channel GaN/AlGaN transistor for terahertz plasma applications

    Autorzy:
    G. Cywiński, I. Yahniuk, P. Kruszewski, M. Grabowski, K. Nowakowski-Szkudlarek, P. Prystawko, P. Sai, W. Knap, G. S. Simin, and S. L. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2018, tom: 112, strony: 133502-1 -133502-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1063/1.5023391 – link do publikacji

  10. An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors

    Autorzy:
    Zhang Bo-Wen, Yan Wei, Li Zhao-Feng, Bai Long, Cywinski Grzegorz, Yahniuk Ivan, Szkudlarek Krzesimir, Skierbiszewski Czesław, Przybytek Jacek, But Dmytro B., Coquillat Dominnique, Knap Wojciech, Yang Fu-Hua
    Czasopismo:
    The Journal of Infrared and Millimeter Waves (rok: 2018, tom: 37, strony: 389-392), Wydawca: Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Optical Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.002 – link do publikacji

Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (6)

  1. THz Imaging and Wireless Communication Using Nanotransistor Based Detectors: From Basic Physics to First Real World Applications

    Autorzy:
    W. Knap, G. Cywinski, M. Sypek, N. Dyakonova, D. Coquillat, K. Szkudlarek, I. Yahniuk, C. Archier, B. Moulin, M. Triki, M. M. Hella, V. Nodjiadjim, M. Riet, and A. Konczykowska
    Konferencja:
    ICTON 2017 19th International Conference on Transparent Optical Networks (rok: 2017, strony: 46027), Wydawca: IEEE Xplore Transparent Optical Networks (ICTON), 2017 19th International Conference on
    Data:
    konferencja 2-6 lipiec
    Status:
    Opublikowana

  2. Towards resonant THz detector: Devices based on Schottky diodes to 2DEG GaN/AlGaN

    Autorzy:
    G. Cywinski, P. Sai, I. Yahniuk, P. Kruszewski, B. Grzywacz, J. Przybytek, P. Prystawko, Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, W. Knap, P. Wiśniewski, B. Stonio, G. S. Simin, S. L. Rumyantsev
    Konferencja:
    2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON) (rok: 2018, strony: 715 - 718), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 14-17 May 2018
    Status:
    Opublikowana

  3. Millimetre band detectors based on GaN/AlGaN HEMT

    Autorzy:
    Dmytro B. But, Pavel Sai, Ivan Yahniuk, Grzegorz Cywiński, Nina Dyakonova, Wojciech Knap, Zhang Bo-Wen, Yan Wei, Li Zhao- Feng and Yang Fu-Hua
    Konferencja:
    2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON) (rok: 2018, strony: 582 - 584), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 14-17 May 2018
    Status:
    Opublikowana

  4. Noise Limitations of GaN Lateral Schottky Diodes for THz Applications

    Autorzy:
    G. Cywiński, I. Yahniuk, K. Szkudlarek, P. Kruszewski, G. Muzioł, C. Skierbiszewski, A. Khachapuridze, W. Knap, D. But, and S. L. Rumyantsev
    Konferencja:
    2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) Vilnius (rok: 2017, strony: 46025), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 20-23 czerwca
    Status:
    Opublikowana

  5. AlGaN/GaN heterostructures for plasma wave detection and emission in THz regime

    Autorzy:
    M. Sakowicz, P. Sai, D. B. But, G. Cywinski, M. Dub, I. Kašalynas, P. Prystawko, S. Rumyantsev and W. Knap
    Konferencja:
    Conference on Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XIV (rok: 2021, strony: 116850C-1-116850C-8), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 6-10 marzec 2021
    Status:
    Opublikowana

  6. THz photocurrent magneto-oscillations in GaN-based asymmetric grating gate structures

    Autorzy:
    P. Sai, M. Szoła, S.O. Potashin, D. Yavorskiy, G. Cywiński, P. Prystawko, J. Łusakowski, S. D. Ganichev, S. Rumyantsev, V. Yu. Kachorovskii, W. Knap
    Konferencja:
    46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) (rok: 2021, strony: 46024), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 29 Aug.-3 Sept. 2021
    Status:
    Opublikowana

« Nowe wyszukiwanie

Projekt graficzny i wykonanie: Jakub Piotrowski