Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Lateralne diody Schottky jako nowatorskie narzędzia do badania wysokoczęstotliwościowych właściwości struktur azotkowych.

2016/22/E/ST7/00526

Słowa kluczowe:

lateralne diody Schottky 2DEG GaN/AlGaN sub-THz THz fotoodpowiedź własności wysokoczęstotliwościowe

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Grzegorz Cywiński 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: SONATA BIS 6 - ogłoszony 2016-06-15

Przyznana kwota: 1 439 600 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-04-04

Zakończenie projektu: 2022-04-03

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Przestrajane źródło subterahercowe (170-220 GHz) z wyposażeniem. Za kwotę 180 000 PLN
  2. Szybki miernik pojemności dla DLTS z wyposażeniem. Za kwotę 52 000 PLN
  3. System do mikrofalowego pobudzania struktur testowych. Za kwotę 152 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (10)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (6)
  1. Features of the Formation of Ohmic Contacts to n+-InN
    Autorzy:
    P.O. Sai, N.V. Safryuk-Romanenko, D.B. But, G. Cywiński, N.S. Boltovets, P.N. Brunkov, N.V. Jmeric, S.V. Ivanov, V.V. Shynkarenko
    Czasopismo:
    Ukrainian Journal of Physics (rok: 2019, tom: 64, strony: 56-62), Wydawca: Publishing House Naukova Dumka
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15407/ujpe64.1.56 - link do publikacji
  2. Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
    Autorzy:
    Yevhen Yashchyshyn, Paweł Bajurko, Jakub Sobolewski, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Paweł Prystawko, Maksym Dub, Wojciech Knap, Sergey Rumyantsev and Grzegorz Cywinski
    Czasopismo:
    Micromachines (rok: 2021, tom: 12, 11, strony: 45302), Wydawca: MDPIST ALBAN-ANLAGE 66, CH-4052 BASEL, SWITZERLAND
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/mi12111343 - link do publikacji
  3. Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors
    Autorzy:
    P. Sai, J. Jorudas, M. Dub, M. Sakowicz, V. Jakštas, D. B. But, P. Prystawko, G. Cywinski, I. Kašalynas, W. Knap and S. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2019, tom: 115, strony: 183501-1 -183501-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5119227 - link do publikacji
  4. Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells
    Autorzy:
    Ivan Yahniuk, Sergey S. Krishtopenko, Grzegorz Grabecki, Benoit Jouault, Christophe Consejo, Wilfried Desrat, Magdalena Majewicz, Alexander M. Kadykov, Kirill E. Spirin, Vladimir I. Gavrilenko, Nikolay N. Mikhailov, Sergey A. Dvoretsky, Dmytro B. But, Frederic Teppe, Jerzy Wróbel, Grzegorz Cywiński, Sławomir Kret, Tomasz Dietl & Wojciech Knap
    Czasopismo:
    npj Quantum Materials (rok: 2019, tom: 4, strony: 13 (8pp)), Wydawca: Nature
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41535-019-0154-3 - link do publikacji
  5. Beatings of ratchet current magneto-oscillations in GaN-based grating gate structures: Manifestation of spin-orbit band splitting
    Autorzy:
    P. Sai, S. O. Potashin, M. Szoła, D. Yavorskiy, G. Cywiński, P. Prystawko, J. Łusakowski, S. D. Ganichev, S. Rumyantsev, W. Knap, and V. Yu. Kachorovskii
    Czasopismo:
    Physical Review B (rok: 2021, tom: 104, 4, strony: 045301-1-045301-13), Wydawca: American Physical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1103/PhysRevB.104.045301 - link do publikacji
  6. AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range
    Autorzy:
    P. Sai, D. B. But, I. Yahniuk, M. Grabowski, M. Sakowicz, P. Kruszewski, P. Prystawko, A. Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Przybytek, P. Wiśniewski, B. Stonio, M. Słowikowski, S. L. Rumyantsev, W. Knap and G. Cywiński
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2019, tom: 34, strony: 024002 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/aaf4a7 - link do publikacji
  7. An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors
    Autorzy:
    Zhang Bo-Wen, Yan Wei, Li Zhao-Feng, Bai Long, Cywinski Grzegorz, Yahniuk Ivan, Szkudlarek Krzesimir, Skierbiszewski Czesław, Przybytek Jacek, But Dmytro B., Coquillat Dominnique, Knap Wojciech, Yang Fu-Hua
    Czasopismo:
    The Journal of Infrared and Millimeter Waves (rok: 2018, tom: 37, strony: 389-392), Wydawca: Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Optical Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.002 - link do publikacji
  8. Electrically controlled wire-channel GaN/AlGaN transistor for terahertz plasma applications
    Autorzy:
    G. Cywiński, I. Yahniuk, P. Kruszewski, M. Grabowski, K. Nowakowski-Szkudlarek, P. Prystawko, P. Sai, W. Knap, G. S. Simin, and S. L. Rumyantsev
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2018, tom: 112, strony: 133502-1 -133502-5), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5023391 - link do publikacji
  9. Graphene as a Schottky Barrier Contact to AlGaN/GaN Heterostructures
    Autorzy:
    Maksym Dub, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Maciej Sakowicz, Paweł Prystawko, Jacek Kacperski, Iwona Pasternak, Grzegorz Cywiński, Dmytro But, Wojciech Knap and Sergey Rumyantsev
    Czasopismo:
    MDPI Materials (rok: 2020, tom: 13, strony: 4140), Wydawca: MDPI
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/ma13184140 - link do publikacji
  10. Double-Quantum-Well AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Top and Back Gates: Electrical and Noise Characteristics.
    Autorzy:
    Dub, M.; Sai, P.; Sakowicz, M.; Janicki, L.; But, D.B.; Prystawko, P.; Cywinski, G.; Knap,W.; Rumyantsev, S.
    Czasopismo:
    Micromachines (rok: 2021, tom: 12, 6, strony: 721), Wydawca: MDPIST ALBAN-ANLAGE 66, CH-4052 BASEL, SWITZERLAND
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.3390/mi12060721 - link do publikacji
  1. AlGaN/GaN heterostructures for plasma wave detection and emission in THz regime
    Autorzy:
    M. Sakowicz, P. Sai, D. B. But, G. Cywinski, M. Dub, I. Kašalynas, P. Prystawko, S. Rumyantsev and W. Knap
    Konferencja:
    Conference on Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XIV (rok: 2021, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 6-10 marzec 2021
    Status:
    Opublikowana
  2. Towards resonant THz detector: Devices based on Schottky diodes to 2DEG GaN/AlGaN
    Autorzy:
    G. Cywinski, P. Sai, I. Yahniuk, P. Kruszewski, B. Grzywacz, J. Przybytek, P. Prystawko, Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, W. Knap, P. Wiśniewski, B. Stonio, G. S. Simin, S. L. Rumyantsev
    Konferencja:
    2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON) (rok: 2018, ), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 14-17 May 2018
    Status:
    Opublikowana
  3. Noise Limitations of GaN Lateral Schottky Diodes for THz Applications
    Autorzy:
    G. Cywiński, I. Yahniuk, K. Szkudlarek, P. Kruszewski, G. Muzioł, C. Skierbiszewski, A. Khachapuridze, W. Knap, D. But, and S. L. Rumyantsev
    Konferencja:
    2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) Vilnius (rok: 2017, ), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 20-23 czerwca
    Status:
    Opublikowana
  4. THz Imaging and Wireless Communication Using Nanotransistor Based Detectors: From Basic Physics to First Real World Applications
    Autorzy:
    W. Knap, G. Cywinski, M. Sypek, N. Dyakonova, D. Coquillat, K. Szkudlarek, I. Yahniuk, C. Archier, B. Moulin, M. Triki, M. M. Hella, V. Nodjiadjim, M. Riet, and A. Konczykowska
    Konferencja:
    ICTON 2017 19th International Conference on Transparent Optical Networks (rok: 2017, ), Wydawca: IEEE Xplore Transparent Optical Networks (ICTON), 2017 19th International Conference on
    Data:
    konferencja 2-6 lipiec
    Status:
    Opublikowana
  5. THz photocurrent magneto-oscillations in GaN-based asymmetric grating gate structures
    Autorzy:
    P. Sai, M. Szoła, S.O. Potashin, D. Yavorskiy, G. Cywiński, P. Prystawko, J. Łusakowski, S. D. Ganichev, S. Rumyantsev, V. Yu. Kachorovskii, W. Knap
    Konferencja:
    46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) (rok: 2021, ), Wydawca: IEEE
    Data:
    konferencja 29 Aug.-3 Sept. 2021
    Status:
    Opublikowana
  6. Millimetre band detectors based on GaN/AlGaN HEMT
    Autorzy:
    Dmytro B. But, Pavel Sai, Ivan Yahniuk, Grzegorz Cywiński, Nina Dyakonova, Wojciech Knap, Zhang Bo-Wen, Yan Wei, Li Zhao- Feng and Yang Fu-Hua
    Konferencja:
    2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON) (rok: 2018, ), Wydawca: IEEE Xplore
    Data:
    konferencja 14-17 May 2018
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy