Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Złącza tunelowe oraz wysoko-oporowe warstwy w heterostrukturach na bazie azotku galu

2016/21/B/ST7/01274

Słowa kluczowe:

złącze tunelowe azotek galu tranzystor dioda luminescencyjna

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: OPUS 11 - ogłoszony 2016-03-15

Przyznana kwota: 1 189 300 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-02-01

Zakończenie projektu: 2021-02-23

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Chłodziarka helowa z elektrycznym oraz optycznym dostępem do próbek. Za kwotę 140 000 PLN
  2. Układ do pomiarów dużych rezystancji metodą mikrofalową. Za kwotę 18 000 PLN
  3. Laser. Za kwotę 120 000 PLN
  4. laser o długości fali 405nm.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. On intrinsic Stokes shift in wide GaN/AlGaN polar quantum wells
    Autorzy:
    M. Jarema, M. Gladysiewicz, E. Zdanowicz, E. Bellet-Amalric, E. Monroy,2 and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2019, tom: 34, strony: 075021 (8pp)), Wydawca: IOP SCIENCE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ab20dd - link do publikacji
  2. Inhomogeneous broadening of optical transitions observed in photoluminescence and modulated reflectance of polar and nonpolar InGaN quantum wells
    Autorzy:
    Michał Jarema , Marta Gładysiewicz , Łukasz Janicki , Ewelina Zdanowicz , Henryk Turski , Grzegorz Muzioł , Czesław Skierbiszewski , and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 127, strony: 35702), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5121368 - link do publikacji
  3. SiNx/(Al,Ga)N interface barrier in N-polar III-nitride transistor structures studied by modulation spectroscopy
    Autorzy:
    Ł. Janicki, H. Li, S. Keller, U. K. Mishra and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2020, tom: 10, strony: 12099), Wydawca: Nature Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-020-68963-7 - link do publikacji
  4. Electric Fields and Surface Fermi Level in Undoped GaN/ AlN Two-Dimensional Hole Gas Heterostructures
    Autorzy:
    Łukasz Janicki1, Reet Chaudhuri2, Samuel James Bader, Huili Grace Xing, Debdeep Jena and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Physica Satus Solidi (rok: 2021, tom: 15, strony: 2000573), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssr.202000573 - link do publikacji
  5. Material gain in polar GaInN and AlGaN quantum wells: How to overcome the 'dead' width for light emitters in these QW systems?
    Autorzy:
    Marta Gładysiewicz, Czesław Skierbiszewski, Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 28, strony: 1501509), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JSTQE.2021.3114316 - link do publikacji