Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Złącza tunelowe oraz wysoko-oporowe warstwy w heterostrukturach na bazie azotku galu

2016/21/B/ST7/01274

Słowa kluczowe:

złącze tunelowe azotek galu tranzystor dioda luminescencyjna

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: OPUS 11 - ogłoszony 2016-03-15

Przyznana kwota: 1 189 300 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2017-02-24

Zakończenie projektu: 2021-02-23

Planowany czas trwania projektu: 48 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Układ do pomiarów dużych rezystancji metodą mikrofalową. Za kwotę 18 000 PLN
  2. Chłodziarka helowa z elektrycznym oraz optycznym dostępem do próbek. Za kwotę 140 000 PLN
  3. Laser. Za kwotę 120 000 PLN
  4. laser o długości fali 405nm.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. SiNx/(Al,Ga)N interface barrier in N-polar III-nitride transistor structures studied by modulation spectroscopy
    Autorzy:
    Ł. Janicki, H. Li, S. Keller, U. K. Mishra and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Scientific Reports (rok: 2020, tom: 10, strony: 12099), Wydawca: Nature Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-020-68963-7 - link do publikacji
  2. Inhomogeneous broadening of optical transitions observed in photoluminescence and modulated reflectance of polar and nonpolar InGaN quantum wells
    Autorzy:
    Michał Jarema , Marta Gładysiewicz , Łukasz Janicki , Ewelina Zdanowicz , Henryk Turski , Grzegorz Muzioł , Czesław Skierbiszewski , and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2020, tom: 127, strony: 35702), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5121368 - link do publikacji
  3. Material gain in polar GaInN and AlGaN quantum wells: How to overcome the 'dead' width for light emitters in these QW systems?
    Autorzy:
    Marta Gładysiewicz, Czesław Skierbiszewski, Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (rok: 2022, tom: 28, strony: 1501509), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JSTQE.2021.3114316 - link do publikacji
  4. Electric Fields and Surface Fermi Level in Undoped GaN/ AlN Two-Dimensional Hole Gas Heterostructures
    Autorzy:
    Łukasz Janicki1, Reet Chaudhuri2, Samuel James Bader, Huili Grace Xing, Debdeep Jena and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Physica Satus Solidi (rok: 2021, tom: 15, strony: 2000573), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssr.202000573 - link do publikacji
  5. On intrinsic Stokes shift in wide GaN/AlGaN polar quantum wells
    Autorzy:
    M. Jarema, M. Gladysiewicz, E. Zdanowicz, E. Bellet-Amalric, E. Monroy,2 and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2019, tom: 34, strony: 075021 (8pp)), Wydawca: IOP SCIENCE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/ab20dd - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy