Projekty finansowane przez NCN
Właściwości obszarów aktywnych nanotermometrów wytworzonych na podłożu z GaSb badanych metodami spektroskopii optycznej
2016/21/N/ST7/02790
Słowa kluczowe:
rezonansowe (międzypasmowe) diody tunelowe nanotermomet spektroskopia optyczna nanostruktur
Deskryptory:
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel:
ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca:
Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki
woj. dolnośląskie
Konkurs: PRELUDIUM 11 - ogłoszony 2016-03-15
Przyznana kwota: 96 400 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2017-02-20
Zakończenie projektu: 2019-02-19
Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Opis Projektu
Pobierz opis projektu w formacie .pdf
Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.
Zakupiona aparatura
- Replikator portów. Za kwotę 757 PLN
- Licencja oprogramowania Nextnano wraz z modułem obliczeniowym dla struktur RTD. Za kwotę 10 242 PLN
- Wydajny komputer do obsługi i opracowania wyników symulacji numerycznych wykonywanych w Nextnano. Za kwotę 7 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (3)
- GaInAsSb/AlGa(In)AsSb type I quantum wells emitting in 3 μm range for application in superluminescent diodesAutorzy:Kurka M, Dyksik M, Suomalainen S, Koivusalo E, Guina M, Motyka MCzasopismo:Optical Materials (rok: 2019, tom: 91, strony: 274-278), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:10.1016/j.optmat.2019.03.036 - link do publikacji
- Peculiarities in optical response of hybrid-barrier GaSb/InAs/AlSb resonant tunneling diode structureAutorzy:Dyksik M, Motyka M, Rygała M, Pfenning A, Hartmann F, Weih R, Worscheck L, Hofling S, Sek GCzasopismo:Optica Applicata , Wydawca: Wroclaw University of Science and TechnologyStatus:ZłożonaDoi:brak - link do publikacji
- Fourier-Transformed Temperature-Dependent Photoluminescence of GaSb-Based Resonant Tunneling Structure with GaInAsSb Absorption LayerAutorzy:Dyksik M, Motyka M, Kurka M, Misiewicz J, Pfenning A, Hartmann F, Weih R, Worschech L, Höfling S, Sęk GCzasopismo:Acta Physica Polonica A (rok: 2018, tom: 134, strony: 962-965), Wydawca: PANStatus:OpublikowanaDoi:10.12693/APhysPolA.134.962 - link do publikacji