Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zastosowanie implantacji jonów w celu domieszkowania oraz wytworzenia obszarów o wysokiej rezystywności na potrzeby tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

2015/19/D/ST7/02736

Słowa kluczowe:

AlGaN/GaN HEMT implantacja jonów izolacja defekty strukturalne domieszkowanie wygrzewanie właściwości elektryczne

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST7_6: Technologie telekomunikacyjne, technologie wysokiej częstotliwości

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Technologii Elektronowej

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Karolina Pągowska 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: SONATA 10 - ogłoszony 2015-09-15

Przyznana kwota: 309 700 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2016-06-28

Zakończenie projektu: 2019-06-27

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Piec. Za kwotę 70 000 PLN
  2. SIMNRA, Oprogramowanie do symulacji widm RBS. Za kwotę 3 600 PLN
  3. Pompa turbomolekularna. Za kwotę 17 500 PLN
  4. Zestaw komputerowy z oprogramowaniem i akcesoriami. Za kwotę 5 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  1. Comparison of defect structure in Si and Ge ion implanted GaN epilayers by RBS/channeling IF: 1,323
    Autorzy:
    K. D. Pągowska,M. Kozubal,A. Taube,M. Guziewicz,K. Gołaszewska-Malec,R. Kruszka,R. Jakieła,A. Piotrowska
    Czasopismo:
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms (rok: 2019, tom: 444, strony: 74-79), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.nimb.2019.01.053 - link do publikacji
  2. Ohmic contact formation to GaN by Si+ implantation doping: Retarding layer, implantation fluence, encapsulation, and activation annealing temperature studies IF: 3,085
    Autorzy:
    Maciej A. Kozubal, Pągowska Karolina , Taube Andrzej , Kruszka Renata , Sankowska Iwona , Kamińska Eliana
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2021, tom: 122, strony: 44570), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2020.105491 - link do publikacji
  3. The interplay between damage- and chemical-induced isolation mechanism in Fe+-implanted AlGaN/GaN HEMT structures IF: 3,085
    Autorzy:
    Karolina Pągowska, Maciej Kozubal, Andrzej Taube, Renata Kruszka, Maciej Kamiński, Norbert Kwietniewski, Marcin Juchniewicz, Anna Szerling
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2021, tom: 127, strony: 44567), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2021.105694 - link do publikacji
  4. Analysis of defect structure in GaN epilayers doped with implanted Si+ by RBS/c method IF: 1,113
    Autorzy:
    Karolina Pągowska, Maciej Kozubal, Andrzej Taube, Artur Trajnerowicz, Renata Kruszka, Krystyna Gołaszewska-Malec, Elżbieta Dynowska, Rafał Jakieła, Adam Barcz
    Czasopismo:
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms (rok: 2019, tom: 450, strony: 248-251), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.nimb.2018.03.028 - link do publikacji