Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badania kaskadowych detektów średniej podczerwieni o krótkiej stałej czasowej dla temperatur > 300 K.

2015/19/B/ST7/02200

Słowa kluczowe:

detektor kaskadowy stała czasowa detektor wysokotemperaturowy

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST5_9: Materiały do konstrukcji sensorów

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Piotr Marcin Martyniuk 

Liczba wykonawców projektu: 6

Konkurs: OPUS 10 - ogłoszony 2015-09-15

Przyznana kwota: 1 706 557 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2016-07-01

Zakończenie projektu: 2019-10-06

Planowany czas trwania projektu: 39 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Opis Projektu

Pobierz opis projektu w formacie .pdf

Uwaga - opisy projektów zostały sporządzone przez samych autorów wniosków i w niezmienionej formie umieszczone w systemie.

Zakupiona aparatura

  1. Wysokoczuły analizator charakterystyk I-V, C-V i charakterystyk szumowych struktur detekcyjnych (Keysight Technologies).. Za kwotę 409 786 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (21)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (5)
  • Publikacje książkowe (2)
  1. Performance prediction of p-i-n HgCdTe long-wavelength infrared HOT photodiodes
    Autorzy:
    Antoni Rogalski, Małgorzata Kopytko, and Piotr Martyniuk
    Czasopismo:
    Applied Optics (rok: 2018, tom: 58 (17), strony: D11-D19), Wydawca: OSA
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/AO.57.000D11 - link do publikacji
  2. Raman scattering of InAsSb
    Autorzy:
    K. Grodecki, K. Murawski, K. Michalczewski, B. Budner, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2019, tom: 9, strony: 025107-1-5), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5081775 - link do publikacji
  3. X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x < 0.5
    Autorzy:
    K. Murawski , K. Grodecki, D. Benyahia , A. Wysmolek , B. Jankiewicz , P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2018, tom: 498, strony: 137-139), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.06.004 - link do publikacji
  4. InAs/GaSb type-II superlattice infrared detectors: Future prospect
    Autorzy:
    A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko
    Czasopismo:
    Applied Physics Reviews (rok: 2017, tom: 4, strony: 31304), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4999077 - link do publikacji
  5. Two-dimensional infrared and terahertz detectors: Outlook and status
    Autorzy:
    A. Rogalski, M. Kopytko, and P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Applied Physics Reviews (rok: 2019, tom: 6, strony: 21316), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5088578 - link do publikacji
  6. X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x < 0.5
    Autorzy:
    K. Murawski , K. Grodecki, D. Benyahia , A. Wysmolek , B. Jankiewicz , P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2018, tom: 498, strony: 137-139), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.06.004 - link do publikacji
  7. Raman scattering of InAsSb
    Autorzy:
    K. Grodecki, K. Murawski, K. Michalczewski, B. Budner, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2019, tom: 9, strony: 025107-1-5), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.5081775 - link do publikacji
  8. Optimal absorber thickness in long‑wave multiple‑stage detector
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk, J. Rutkowski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2019, tom: 51-57, strony: 45663), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s1108 - link do publikacji
  9. Type-II superlattice photodetectors versus HgCdTe photodiodes
    Autorzy:
    A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko
    Czasopismo:
    Progress in Quantum Electronics (rok: 2019, tom: 68 (100228), strony: 45676), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.pquantelec.2019.100228 - link do publikacji
  10. Study on the specific contact resistance of evaporated or electroplated golden contacts to n- and p- type InAs epitaxial layers grown by MBE
    Autorzy:
    J. Boguski, K. Kolwas, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, J. Piotrowski, J. Wróbel, K. Gorczyca, A. Kębłowski, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Materials Science in Semiconductor Processing (rok: 2018, tom: 81, strony: 60-63), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mssp.2018.03.011 - link do publikacji
  11. Calculations of dark current in interband cascade type-II Infrared InAs/GaSb superlattice detector
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk, J. Rutkowski, A. Kowalewski
    Czasopismo:
    ACTA PHYSICA POLONICA A (rok: 2017, tom: 132, strony: 1415-1419), Wydawca: Polish Academy of Science
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.132.1415 - link do publikacji
  12. Heavily Si-doped InAs photoluminescence measurements
    Autorzy:
    K. Grodecki, K. Murawski, A. Henig, K. Michalczewski , D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Materials Science-Poland (rok: 2017, tom: 33(3), strony: 647-650), Wydawca: De Gruyter
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1515/msp-2017-0075 - link do publikacji
  13. Optimization of the interfacial misfit array growth mode of GaSb epilayers on GaAs substrate
    Autorzy:
    D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, A. Kebłowski, P. Martyniuk, J. Piotrowski, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2018, tom: 483, strony: 26-30), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2017.11.015 - link do publikacji
  14. Optimal absorber thickness in interband cascade photodetectors
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, J. Rutkowski, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Infrared Physics & Technology (rok: 2018, tom: 95, strony: 136-140), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.035 - link do publikacji
  15. Molecular beam epitaxy growth of InAs/AlSb superlattices on GaAs substrates
    Autorzy:
    D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, A. Kębłowski, K. Grodecki, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2019, tom: 522, strony: 125-127), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2019.06.013 - link do publikacji
  16. Graphene-based materials in the infrared and terahertz detector families: a tutorial
    Autorzy:
    A. Rogalski
    Czasopismo:
    Advances in Optics and Photonics (rok: 2019, tom: 11(2), strony: 314-379), Wydawca: OSA
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/AOP.11.000314 - link do publikacji
  17. Optimal absorber thickness in long‑wave multiple‑stage detector
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk, J. Rutkowski
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2019, tom: 51-57, strony: 45663), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s1108 - link do publikacji
  18. Heavily Si-doped InAs photoluminescence measurements
    Autorzy:
    K. Grodecki, K. Murawski, A. Henig, K. Michalczewski , D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Materials Science-Poland (rok: 2017, tom: 33(3), strony: 647-650), Wydawca: De Gruyter
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1515/msp-2017-0075 - link do publikacji
  19. Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    D. Benyahia, Ł. Kubiszyn , K. Michalczewski , J. Boguski , A. Kębłowski , P. Martyniuk , J. Piotrowski, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Nanoscale Research Letters (rok: 2018, tom: 0,677777777777778, strony: 45664), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1186/s11671-018-2612-4 - link do publikacji
  20. Type-II InAs/GaSb (InAsSb) superlattices for interband cascade midwavelength detectors
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk
    Czasopismo:
    Optical Engineering (rok: 2018, tom: 57 (2), strony: 027106-1-6), Wydawca: SPIE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1117/1.OE.57.2.027106 - link do publikacji
  21. Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    D. Benyahia, Ł. Kubiszyn , K. Michalczewski , J. Boguski , A. Kębłowski , P. Martyniuk , J. Piotrowski, A. Rogalski
    Czasopismo:
    Nanoscale Research Letters (rok: 2018, tom: 0,677777777777778, strony: 45664), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1186/s11671-018-2612-4 - link do publikacji
  1. Calculation of optimal absorber thickness in interband cascade typeII infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, J. Rutkowski, P. Martyniuk, T. Manyk
    Konferencja:
    SPIE Security + Defence, 2017, Warsaw, Poland (rok: 2017, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja wrzesień 2017
    Status:
    Opublikowana
  2. Calculation of optimal absorber thickness in interband cascade typeII infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, J. Rutkowski, P. Martyniuk, T. Manyk
    Konferencja:
    SPIE Security + Defence, 2017, Warsaw, Poland (rok: 2017, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja wrzesień 2017
    Status:
    Opublikowana
  3. Theoretical simulation of mid-wave type-II InAs/GaSb superlattice interband cascade photodetector
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, T. Manyk, P. Martyniuk, J. Rutkowski
    Konferencja:
    SPIE Optical Engineering + Applications, 2017, San Diego, California, United States (rok: 2017, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 42948
    Status:
    Opublikowana
  4. Dark current simulation in interband cascade photodetectors operating in room temperature
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk, J. Rutkowski, A. Kowalewski
    Konferencja:
    Twelfth Integrated Optics – Sensors, Sensing Structures and Methods Conference, 2017, Szczyrk-Gliwice, Poland (rok: 2017, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja luty/marzec 2017
    Status:
    Opublikowana
  5. Interband cascade type-II infrared InAs/GaSb: current status and future trends
    Autorzy:
    K. Hackiewicz, P. Martyniuk
    Konferencja:
    SPIE Security + Defence, 2017, Warsaw, Poland (rok: 2017, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja wrzesień 2017
    Status:
    Opublikowana
  1. Antimonide-Based Infrared Detectors A new Perspective
    Autorzy:
    A. Rogalski, M. Kopytko, P. Martyniuk
    Książka:
    Antimonide-Based Infrared Detectors A new Perspective (rok: 2018, tom: PM280, strony: 273), Wydawca: SPIE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji
  2. Antimonide-Based Infrared Detectors A new Perspective
    Autorzy:
    A. Rogalski, M. Kopytko, P. Martyniuk
    Książka:
    Antimonide-Based Infrared Detectors A new Perspective (rok: 2018, tom: PM280, strony: 273), Wydawca: SPIE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy