Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zbadanie struktury energetycznej oraz dynamiki nośników ładunków w półprzewodnikowych strukturach niskowymiarowych typu drugiego przeznaczonych do emisji lub detekcji promieniowania z zakresu 3-10 mikrometrów

2014/15/B/ST7/04663

Słowa kluczowe:

średnia podczerwień studnie kwantowe supersieci półprzewodnikowe struktura energetyczna poziomów kwantowych czas życia nośników dynamika ładunku

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Marcin Motyka 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 8 - ogłoszony 2014-09-15

Przyznana kwota: 1 383 488 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2015-09-01

Zakończenie projektu: 2019-03-21

Planowany czas trwania projektu: 42 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Nadprzewodzący deyektor MIR z systemem sterującym. Za kwotę 240 000 PLN
  2. Nadprzewodzący detektor NIR z systemem sterującym. Za kwotę 240 000 PLN
  3. Chłodziarka. Za kwotę 200 000 PLN
  4. Miernik mocy wiązki laserowej.
  5. Laser impulsowy.
  6. siatka dyfrakcyjna. Za kwotę 20 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (10)
  1. Photoluminescence quenching mechanisms in type II InAs/GaInSb QWs on InAs substrates
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, M. Kurka, K. Ryczko, M. Dallner, S. Hofling, M. Kamp, G. Sęk, J. Misiewicz
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2016, tom: 48, strony: 45299), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-016-0667-y - link do publikacji
  2. GaInAsSb/AlGa(In)AsSb type I quantum wells emitting in 3 μm range for application in superluminescent diodes
    Autorzy:
    M. Kurka, M. Dyksik, S. Suomalainen, E. Koivusalo, M. Guina, M. Motyka
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2019, tom: 91, strony: 274–278), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2019.03.036 - link do publikacji
  3. Room Temperature Carrier Kinetics in the W-type GaInAsSb/InAs/AlSb Quantum Well Structure Emitting in Mid-Infrared Spectral Range
    Autorzy:
    M. Syperek, K. Ryczko, M. Dallner, M. Dyksik, M. Motyka, M. Kamp, S. Höfling, J. Misiewicz and G. Sęk
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica (rok: 2016, tom: 130, strony: 1224-1228), Wydawca: IFPAN
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.130.1224 - link do publikacji
  4. Towards unstrained interband cascade lasers
    Autorzy:
    Krzysztof Ryczko, Grzegorz Sęk
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2018, tom: 11, strony: 12703), Wydawca: Jappaness Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.11.012703 - link do publikacji
  5. Absorption and dispersion in undoped epitaxial GaSb layer
    Autorzy:
    M. Wasiak, M. Motyka, T. Smołka, J. Ratajczak, A. Jasik
    Czasopismo:
    Materials Research Express (rok: 2018, tom: 5, strony: 25907), Wydawca: IOP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/2053-1591/aaae86 - link do publikacji
  6. Features of carrier confinement in InAsSb(P) alloys and quantum wells for roomtemperature operating mid-infrared emitters
    Autorzy:
    M. Kurka, M. Dyksik, W. Golletz, M. Środa, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, M. Motyka
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2019, tom: 12, strony: 115504), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1882-0786/ab4981 - link do publikacji
  7. Influence of carrier concentration on properties of InAs waveguide layers in interband cascade laser structures
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, G. Sęk, J. Misiewicz, M. Dallner, S. Höfling, and M. Kamp
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 45297), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4958904 - link do publikacji
  8. M-shaped quantum wells for active region of interband cascade laser
    Autorzy:
    K. Ryczko and G. Sęk
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2018, tom: 88, strony: 252–255), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2018.11.014 - link do publikacji
  9. Carrier transfer between confined and localized states in type II InAs/GaAsSb quantum wells
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, R. Weih, S. Hofling, M. Kamp, G. Sęk, J. Misiewicz
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2017, tom: 49, strony: 45299), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-017-0891-0 - link do publikacji
  10. Electrical tuning of the oscillator strength in type II InAs/GaInSb quantum wells for active region of passively mode-locked interband cascade lasers
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, M. Kurka, K. Ryczko, J. Misiewicz, A. Schade, M. Kamp, S. Höfling, and G. Sęk,
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2017, tom: 56, strony: 110301), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.56.110301 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy