Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Zbadanie struktury energetycznej oraz dynamiki nośników ładunków w półprzewodnikowych strukturach niskowymiarowych typu drugiego przeznaczonych do emisji lub detekcji promieniowania z zakresu 3-10 mikrometrów

2014/15/B/ST7/04663

Słowa kluczowe:

średnia podczerwień studnie kwantowe supersieci półprzewodnikowe struktura energetyczna poziomów kwantowych czas życia nośników dynamika ładunku

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Marcin Motyka 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 8 - ogłoszony 2014-09-15

Przyznana kwota: 1 383 488 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2015-09-22

Zakończenie projektu: 2019-03-21

Planowany czas trwania projektu: 42 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Chłodziarka. Za kwotę 200 000 PLN
  2. Miernik mocy wiązki laserowej.
  3. Nadprzewodzący deyektor MIR z systemem sterującym. Za kwotę 240 000 PLN
  4. Nadprzewodzący detektor NIR z systemem sterującym. Za kwotę 240 000 PLN
  5. siatka dyfrakcyjna. Za kwotę 20 000 PLN
  6. Laser impulsowy.

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (10)
  1. Features of carrier confinement in InAsSb(P) alloys and quantum wells for roomtemperature operating mid-infrared emitters
    Autorzy:
    M. Kurka, M. Dyksik, W. Golletz, M. Środa, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, M. Motyka
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2019, tom: 12, strony: 115504), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/1882-0786/ab4981 - link do publikacji
  2. GaInAsSb/AlGa(In)AsSb type I quantum wells emitting in 3 μm range for application in superluminescent diodes
    Autorzy:
    M. Kurka, M. Dyksik, S. Suomalainen, E. Koivusalo, M. Guina, M. Motyka
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2019, tom: 91, strony: 274–278), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2019.03.036 - link do publikacji
  3. M-shaped quantum wells for active region of interband cascade laser
    Autorzy:
    K. Ryczko and G. Sęk
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2018, tom: 88, strony: 252–255), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2018.11.014 - link do publikacji
  4. Towards unstrained interband cascade lasers
    Autorzy:
    Krzysztof Ryczko, Grzegorz Sęk
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2018, tom: 11, strony: 12703), Wydawca: Jappaness Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.11.012703 - link do publikacji
  5. Absorption and dispersion in undoped epitaxial GaSb layer
    Autorzy:
    M. Wasiak, M. Motyka, T. Smołka, J. Ratajczak, A. Jasik
    Czasopismo:
    Materials Research Express (rok: 2018, tom: 5, strony: 25907), Wydawca: IOP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/2053-1591/aaae86 - link do publikacji
  6. Influence of carrier concentration on properties of InAs waveguide layers in interband cascade laser structures
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, G. Sęk, J. Misiewicz, M. Dallner, S. Höfling, and M. Kamp
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 45297), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4958904 - link do publikacji
  7. Room Temperature Carrier Kinetics in the W-type GaInAsSb/InAs/AlSb Quantum Well Structure Emitting in Mid-Infrared Spectral Range
    Autorzy:
    M. Syperek, K. Ryczko, M. Dallner, M. Dyksik, M. Motyka, M. Kamp, S. Höfling, J. Misiewicz and G. Sęk
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica (rok: 2016, tom: 130, strony: 1224-1228), Wydawca: IFPAN
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.130.1224 - link do publikacji
  8. Carrier transfer between confined and localized states in type II InAs/GaAsSb quantum wells
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, R. Weih, S. Hofling, M. Kamp, G. Sęk, J. Misiewicz
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2017, tom: 49, strony: 45299), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-017-0891-0 - link do publikacji
  9. Photoluminescence quenching mechanisms in type II InAs/GaInSb QWs on InAs substrates
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, M. Kurka, K. Ryczko, M. Dallner, S. Hofling, M. Kamp, G. Sęk, J. Misiewicz
    Czasopismo:
    Optical and Quantum Electronics (rok: 2016, tom: 48, strony: 45299), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s11082-016-0667-y - link do publikacji
  10. Electrical tuning of the oscillator strength in type II InAs/GaInSb quantum wells for active region of passively mode-locked interband cascade lasers
    Autorzy:
    M. Dyksik, M. Motyka, M. Kurka, K. Ryczko, J. Misiewicz, A. Schade, M. Kamp, S. Höfling, and G. Sęk,
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2017, tom: 56, strony: 110301), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.56.110301 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy