Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Właściwości falowodów InGaN i model wyciekania modów optycznych do podłoża GaN w diodach laserowych

2013/11/N/ST7/02788

Słowa kluczowe:

InGaN falowód diody laserowy

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Grzegorz Muzioł 

Liczba wykonawców projektu: 2

Konkurs: PRELUDIUM 6 - ogłoszony 2013-09-16

Przyznana kwota: 149 988 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-07-15

Zakończenie projektu: 2017-07-14

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Aluminum-free nitride laser diodes: waveguiding, electrical and degradation properties IF: 3,356
    Autorzy:
    G. MUZIOL, H. TURSKI, M. SIEKACZ, P. WOLNY, J. BORYSIUK, S. GRZANKA, PERLIN AND C. SKIERBISZEWSKI
    Czasopismo:
    Optics Express (rok: 2017, tom: 25, strony: 33113-33121), Wydawca: The Optical Society (United States)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OE.25.033113 - link do publikacji
  2. Elimination of leakage of optical modes to GaN substrate in nitride laser diodes using a thick InGaN waveguide IF: 2,265
    Autorzy:
    Grzegorz Muziol, Henryk Turski, Marcin Siekacz, Szymon Grzanka, Piotr Perlin, and Czesław Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2016, tom: 9, strony: 0921031-0921034), Wydawca: IOP Publishing (UK)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.9.092103 - link do publikacji
  3. Enhancement of optical confinement factor by InGaN waveguide in blue laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy IF: 2,365
    Autorzy:
    Grzegorz Muziol, Henryk Turski, Marcin Siekacz, Pawel Wolny, Szymon Grzanka, Ewa Grzanka, Piotr Perlin and Czeslaw Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2015, tom: 8, strony: 0321031-0321034), Wydawca: IOP Publishing (UK)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.8.032103 - link do publikacji
  4. High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy IF: 1,698
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, S. Grzanka, E. Grzanka, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Borysiuk, K. Sobczak, J. Domagała, A. Nowakowska-Siwińska, I. Makarowa, P. Perlin , C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: 425, strony: 398-400), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2015.02.067 - link do publikacji
  1. InGaN Laser Diodes by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    C. Skierbiszewski, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, M. Sawicka
    Książka:
    Handbook of Solid-State Lighting and LEDs (rok: 2017, tom: 1, strony: 321-360), Wydawca: CRC Press, Taylor & Francis Group
    Status:
    Opublikowana