Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badanie procesów relaksacji naprężeń w warstwach GaSb otrzymanych na podłożach GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych

2013/11/B/ST7/04341

Słowa kluczowe:

MBE GaSb/GaAs dyslokacje niedopasowania dwuwymiarowy wzrost

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Instytut Technologii Elektronowej

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Agata Jasik 

Liczba wykonawców projektu: 8

Konkurs: OPUS 6 - ogłoszony 2013-09-16

Przyznana kwota: 1 499 040 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-08-27

Zakończenie projektu: 2018-02-26

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Mikroskop optyczny z kontrastem Nomarskiego. Za kwotę 450 000 PLN
  2. Komputer przenośny Picasso. Za kwotę 2 069 PLN
  3. Kwadrupolowy spekrometr masowy. Za kwotę 118 000 PLN
  4. Zestaw komputerowy wraz z wyposażeniem i akcesoriami. Za kwotę 7 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (12)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (1)
  1. Noise and detectivity of InAs/GaSb T2SL 4.5 μm IR detectors
    Autorzy:
    Andrzej Kolek, Łukasz Ciura, Krzysztof Czuba, Agata Jasik, Jarosław Jureńczyk, Iwona Sankowska, and Janusz Kaniewski
    Czasopismo:
    Proceedings of SPIE (rok: 2017, tom: 10404, strony: 1040402-1 - 1040402-10), Wydawca: SPIE
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1117/12.2272722 - link do publikacji
  2. Surface passivation of (100) GaSb using self-assembled monolayers of long-chain octadecanethiol IF: 1,59
    Autorzy:
    E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Jurenczyk, A. Jasik, K. Czuba, A.E. Walkiewicz,J. Szade
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2016, tom: 6, strony: 55206), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4949754 - link do publikacji
  3. Below-band-gap absorption in undoped GaAs at elevated temperatures IF: 2,238
    Autorzy:
    Michał Wasiak, Jarosław Walczak, Marcin Motyka, Filip Janiak, Artur Trajnerowicz, Agata Jasik
    Czasopismo:
    Optical Materials (rok: 2017, tom: 64, strony: 137-141), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.optmat.2016.11.028 - link do publikacji
  4. Detektory na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb dla zakresu promieniowania średniej podczerwieni
    Autorzy:
    J. Kaniewski, A. Jasik, I. Sankowska, K. Czuba, E. Papis-Polakowska, J. Jureńczyk, M. Sakowicz, K. Regiński
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2016, tom: LVII, strony: 27-34), Wydawca: SIGMA-NOT Sp. z o.o.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/13.2016.8.3 - link do publikacji
  5. LT-AlSb interlayer as a filter of threading dislocations in GaSb grown on (001) GaAs substrate using MBE IF: 3,316
    Autorzy:
    Agata Jasik, Jacek Ratajczak, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba
    Czasopismo:
    Material Science and Engeneering B (rok: 2019, tom: -, strony: 12), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Złożona
  6. Absorption and dispersion in undoped epitaxial GaSb layer IF: 1,151
    Autorzy:
    Michał Wasiak , Marcin Motyka, Tristan Smołka, Jacek Ratajczak and Agata Jasik
    Czasopismo:
    Materials Research Express (rok: 2018, tom: 5, strony: 25907), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/2053-1591/aaae86 - link do publikacji
  7. Influence of Be doping placement in InAs/ GaSb superlattice-based absorber on the performance of MWIR photodiodes IF: 2,305
    Autorzy:
    K Czuba, I Sankowska, J Jureńczyk, A Jasik, E Papis-Polakowska and J Kaniewski
    Czasopismo:
    Semiconductor Science and Technology (rok: 2017, tom: 32, strony: 055010 (9pp)), Wydawca: IOP Publishing Ltd
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/aa62c0 - link do publikacji
  8. Evaluation of dislocation density in IMF-GaSb films grown on (100) GaAs substrate using molecular beam epitaxy IF: 3,316
    Autorzy:
    D. Smoczyński, I. Sankowska, A. Wawro, J. Ratajczak, K. Czuba, A. Jasik
    Czasopismo:
    Materials Science and Engineering B (rok: 2019, tom: -, strony: pp. 17), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Złożona
  9. Atomically smooth interfaces of type-II InAs/GaSb superlattice on metamorphic GaSb buffer grown in 2D mode on GaAs substrate using MBE IF: 2,058
    Autorzy:
    A. Jasik, I. Sankowska, J. Ratajczak, A. Wawro, D. Smoczyński, K. Czuba, M. Wzorek
    Czasopismo:
    Current Applied Physics (rok: 2019, tom: 19, strony: 120-127), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.cap.2018.11.017 - link do publikacji
  10. Comprehensive investigation of the interfacial misfit array formation in GaSb/GaAs material system IF: 1,42
    Autorzy:
    Agata Jasik, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Jacek Ratajczak, Rafał Jakieła, Dorota Pierścińska, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba, Kazimierz Regiński
    Czasopismo:
    Applied Physics A (rok: 2018, tom: 124:512, strony: 12pp), Wydawca: Springer
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1007/s00339-018-1931-8 - link do publikacji
  11. Detektory supersieciowe InAs/GaSb ˗ wybrane aspekty technologii wytwarzania
    Autorzy:
    K. Czuba, I. Sankowska, A. Jasik, J. Jureńczyk, E. Papis-Polakowska, P. Kaźmierczyk, J. Kaniewski
    Czasopismo:
    Elektronika (rok: 2016, tom: LVII, strony: 44629), Wydawca: SIGMA-NOT Sp. z o.o.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/13.2016.9.1 - link do publikacji
  12. GaSb Layers With Low Defect Density Deposited On (001) GaAs Substrate In Two-Dimensional Growth Mode Using Molecular Beam Epitaxy IF: 2,058
    Autorzy:
    Agata Jasik, Iwona Sankowska, Andrzej Wawro, Jacek Ratajczak, Dariusz Smoczyński, Krzysztof Czuba
    Czasopismo:
    Current Applied Physics (rok: 2019, tom: 19, strony: 542-547), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.cap.2019.02.012 - link do publikacji
  1. Detektory supersieciowe InAs/GaSb na zakres średniej podczerwieni
    Autorzy:
    A. Jasik, I. Sankowska, K. Czuba, E. Papis-Polakowska, M. Sakowicz, J. Kaniewski
    Konferencja:
    II Konferencja Optoelektroniczna (rok: 2016, ), Wydawca: PCO S.A., PPTF, WAT, PW
    Data:
    konferencja 12-13.10.2016
    Status:
    Opublikowana