Change language

Wyszukiwarka projektów

Struktura pasmowa, wzmocnienie optyczne oraz inne parametry nowoczesnych laserów półprzewodnikowych

2013/10/E/ST3/00520

Słowa kluczowe

Deskryptory

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel

ST3 – Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki »

Kierownik projektu (z jednostki realizującej)

dr hab. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs

SONATA BIS 3 – ogłoszony 2013-06-14

Przyznana kwota
1 455 700 PLN
Rozpoczęcie projektu
2014-07-14
Zakończenie projektu
2020-07-13
Planowany czas trwania projektu
72 miesiące (z wniosku)
Status projektu
Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Chłodziarka helowa. Za kwotę 100 000 PLN
  2. Laser impulsowy. Za kwotę 95 000 PLN
  3. Laser pracy ciągłej. Za kwotę 140 000 PLN
  4. Monochromator z detektorem CCD. Za kwotę 160 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

Publikacje w czasopismach (12)

  1. Material Gain in Ga0.66In0.34NyAs1−y, GaNyAs0.69−ySb0.31, and GaNyP0.46Sb0.54−y Quantum Wells Grown on GaAs Substrates: Comparative Theoretical Studies

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, M. S. Wartak,
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Quantum Electronics (rok: 2014, tom: 50, strony: 996-1005), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/JQE.2014.2363763 – link do publikacji

  2. Electronic band structure of semiconductor alloys: from abinitio to k⋅p via computational alchemy, on example of Ge1−xSnx alloy

    Autorzy:
    P. Scharoch, N. Janik, M. Wiśniewski, H.S. Mączko, M. Gładysiewicz, M.P. Polak and .R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Computational Materials Science (rok: 2021, tom: 187, strony: 110052), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1016/j.commatsci.2020.110052 – link do publikacji

  3. Strain engineering of transverse electric and transverse magnetic mode of material gain in GeSn/SiGeSn quantum wells

    Autorzy:
    H. S. Mączko, R. Kudrawiec, and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    Scentific Reports (rok: 2019, tom: 9, strony: 3316), Wydawca: Nature Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1038/s41598-019-40146-z – link do publikacji

  4. Indium-incorporation enhancement of photoluminescence properties of Ga(In)SbBi alloys

    Autorzy:
    W M Linhart, M Gladysiewicz, J Kopaczek, M K Rajpalke, M J Ashwin, T D Veal and R Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2017, tom: 50, strony: 375102 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing (United Kingdom)
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1088/1361-6463/aa7e64 – link do publikacji

  5. Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells

    Autorzy:
    L. Yue, X. Chen, Y. Zhang, J. Kopaczek, J. Shao, M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec X. Ou, S. Wang
    Czasopismo:
    Optical Material Express (rok: 2018, tom: 8, strony: 893-900), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1364/OME.8.000893 – link do publikacji

  6. Material gain engineering in staggered polar AlGaN/AlN quantum wells dedicated for deep UV lasers

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, D. Hommel, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    IEE Journal of Quantum Electrinics (rok: 2019, tom: 25, NO. 6,, strony: 1901108), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/JSTQE.2019.2950802 – link do publikacji

  7. Electronic band structure and material gain of III-V-Bi quantum wells grown on GaSb substrate and dedicated for mid-infrared spectral range

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 118, strony: 75701), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1063/1.4941939 – link do publikacji

  8. Optical gain sensitivity of BGaAs/GaP quantum wells to admixtures of group III and V atoms

    Autorzy:
    H. S. Maczko, R. Kudrawiec and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2020, tom: 10, strony: 2962-2972), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1364/OME.40507 – link do publikacji

  9. Optical Gain Characteristics of BGaAs/GaP Quantum Wells

    Autorzy:
    Herbert Maczko, Robert Kudrawiec, Marta Gładysiewicz
    Czasopismo:
    Photonics Journal (rok: 2020, tom: 12, No. 4, strony: 6101013), Wydawca: IEE photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/JPHOT.2020.3006624 – link do publikacji

  10. Electronic Band Structure and Material Gain of Dilute Nitride Quantum Wells Grown on InP Substrate

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, M. S. Wartak
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Quantum Electronics (rok: 2015, tom: 51, strony: 7100212-7100212), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1109/JQE.2015.2410340 – link do publikacji

  11. Emission and material gain spectra of polar compressive strained AlGaN quantum wells grown on virtual AlGaN substrates: Tuning emission wavelength and mixing TE and TM mode of light polarization

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, M. Rudzinski, D. Hommel, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semicond. Sci. Technol (rok: 2018, tom: 33, strony: 075003 (20pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1088/1361-6641/aac2a3 – link do publikacji

  12. 8-band and 14-band kp modeling of electronic band structure and material gain in Ga(In)AsBi quantum wells grown on GaAs and InP substrates

    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2015, tom: 118, strony: 55702), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    DOI:
    10.1063/1.4927922 – link do publikacji

« Nowe wyszukiwanie

Projekt graficzny i wykonanie: Jakub Piotrowski