Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Struktura pasmowa, wzmocnienie optyczne oraz inne parametry nowoczesnych laserów półprzewodnikowych

2013/10/E/ST3/00520

Słowa kluczowe:

półprzewodniki studnie kwantowe struktura pasmowa wzmocnienie optyczne

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: SONATA BIS 3 - ogłoszony 2013-06-14

Przyznana kwota: 1 455 700 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-07-14

Zakończenie projektu: 2020-07-13

Planowany czas trwania projektu: 60 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Monochromator z detektorem CCD. Za kwotę 160 000 PLN
  2. Laser pracy ciągłej. Za kwotę 140 000 PLN
  3. Laser impulsowy. Za kwotę 95 000 PLN
  4. Chłodziarka helowa. Za kwotę 100 000 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (12)
  1. Electronic Band Structure and Material Gain of Dilute Nitride Quantum Wells Grown on InP Substrate IF: 1,737
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, M. S. Wartak
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Quantum Electronics (rok: 2015, tom: 51, strony: 7100212-7100212), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JQE.2015.2410340 - link do publikacji
  2. Electronic band structure and material gain of III-V-Bi quantum wells grown on GaSb substrate and dedicated for mid-infrared spectral range IF: 2,276
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 118, strony: 75701), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4941939 - link do publikacji
  3. Electronic band structure of semiconductor alloys: from abinitio to k⋅p via computational alchemy, on example of Ge1−xSnx alloy IF: 2,863
    Autorzy:
    P. Scharoch, N. Janik, M. Wiśniewski, H.S. Mączko, M. Gładysiewicz, M.P. Polak and .R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Computational Materials Science (rok: 2021, tom: 187, strony: 110052), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.commatsci.2020.110052 - link do publikacji
  4. Indium-incorporation enhancement of photoluminescence properties of Ga(In)SbBi alloys IF: 2,588
    Autorzy:
    W M Linhart, M Gladysiewicz, J Kopaczek, M K Rajpalke, M J Ashwin, T D Veal and R Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D: Applied Physics (rok: 2017, tom: 50, strony: 375102 (6pp)), Wydawca: IOP Publishing (United Kingdom)
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6463/aa7e64 - link do publikacji
  5. Material Gain in Ga0.66In0.34NyAs1−y, GaNyAs0.69−ySb0.31, and GaNyP0.46Sb0.54−y Quantum Wells Grown on GaAs Substrates: Comparative Theoretical Studies IF: 1,737
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, M. S. Wartak,
    Czasopismo:
    IEEE Journal of Quantum Electronics (rok: 2014, tom: 50, strony: 996-1005), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JQE.2014.2363763 - link do publikacji
  6. Optical Gain Characteristics of BGaAs/GaP Quantum Wells IF: 2,729
    Autorzy:
    Herbert Maczko, Robert Kudrawiec, Marta Gładysiewicz
    Czasopismo:
    Photonics Journal (rok: 2020, tom: 12, No. 4, strony: 6101013), Wydawca: IEE photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JPHOT.2020.3006624 - link do publikacji
  7. Optical gain sensitivity of BGaAs/GaP quantum wells to admixtures of group III and V atoms IF: 3,064
    Autorzy:
    H. S. Maczko, R. Kudrawiec and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    Optical Materials Express (rok: 2020, tom: 10, strony: 2962-2972), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.40507 - link do publikacji
  8. Strain engineering of transverse electric and transverse magnetic mode of material gain in GeSn/SiGeSn quantum wells IF: 4,259
    Autorzy:
    H. S. Mączko, R. Kudrawiec, and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    Scentific Reports (rok: 2019, tom: 9, strony: 3316), Wydawca: Nature Publishing Group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/s41598-019-40146-z - link do publikacji
  9. Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells IF: 2,591
    Autorzy:
    L. Yue, X. Chen, Y. Zhang, J. Kopaczek, J. Shao, M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec X. Ou, S. Wang
    Czasopismo:
    Optical Material Express (rok: 2018, tom: 8, strony: 893-900), Wydawca: OSA Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1364/OME.8.000893 - link do publikacji
  10. Emission and material gain spectra of polar compressive strained AlGaN quantum wells grown on virtual AlGaN substrates: Tuning emission wavelength and mixing TE and TM mode of light polarization IF: 2,305
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, M. Rudzinski, D. Hommel, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Semicond. Sci. Technol (rok: 2018, tom: 33, strony: 075003 (20pp)), Wydawca: IOP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6641/aac2a3 - link do publikacji
  11. Material gain engineering in staggered polar AlGaN/AlN quantum wells dedicated for deep UV lasers IF: 2,069
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, D. Hommel, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    IEE Journal of Quantum Electrinics (rok: 2019, tom: 25, NO. 6,, strony: 1901108), Wydawca: IEEE Photonics Society
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1109/JSTQE.2019.2950802 - link do publikacji
  12. 8-band and 14-band kp modeling of electronic band structure and material gain in Ga(In)AsBi quantum wells grown on GaAs and InP substrates IF: 2,276
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2015, tom: 118, strony: 55702), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4927922 - link do publikacji