Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Inżynieria pasm w związkach Ge(Si)Sn i ich niskowymiarowych heterostrukturach przeznaczonych do zastosowań laserowych

2013/09/B/ST7/02395

Słowa kluczowe:

Półprzewodniki Struktura pasmowa Wzmocnienie optyczne Właściwości optyczne

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska, Wydział Podstawowych Problemów Techniki

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Marta Gładysiewicz-Kudrawiec 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 5 - ogłoszony 2013-03-15

Przyznana kwota: 632 440 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2014-03-12

Zakończenie projektu: 2016-03-11

Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Spektrometr na podczerwień. Za kwotę 73 800 PLN
  2. Komora ciśnieniowa z wyposażeniem. Za kwotę 66 174 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (6)
  1. Material gain engineering in GeSn/Ge quantum wells integrated with an Si platform IF: 4,259
    Autorzy:
    H. S. Maczko, R. Kudrawiec, and M. Gladysiewicz
    Czasopismo:
    Scentific Reports (rok: 2016, tom: 6, strony: 6:34082), Wydawca: Nature publishing group
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1038/srep34082 - link do publikacji
  2. Temperature dependence of energy gap of Ge1−xSnx alloys with x < 0.11 studied by photoreflectance IF: 2,721
    Autorzy:
    K. Zelazna, M. Wełna, J. Misiewicz, J. Dekoster and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Journal of Physics D (rok: 2016, tom: 49, strony: 235301), Wydawca: IOP Publising
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/0022-3727/49/23/235301 - link do publikacji
  3. Theoretical studies of optical gain tuning by hydrostatic pressure in GaInNAs/GaAs quantum wells IF: 2,276
    Autorzy:
    M. Gladysiewicz, R. Kudrawiec, and M. S. Wartak
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 115, strony: 33515), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4862230 - link do publikacji
  4. Electromodulation spectroscopy of direct optical transitions in Ge1-xSnx layers under hydrostatic pressure and built-in strain IF: 2,276
    Autorzy:
    F. Dybała, K. Żelazna, H. Maczko, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, R. Kudrawiec, H. Lin, R. Chen, C. Shang, Y. Huo, T. I. Kamins, and J. S. Harris
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 215703), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4953220 - link do publikacji
  5. Electronic band structure of compressively strained Ge1-xSnx with x<0.11 studied by contactless electroreflectance IF: 3,515
    Autorzy:
    K. Zelazna, M. P. Polak, P. Scharoch, J. Serafinczuk, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. Dekoster, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2015, tom: 106, strony: 142102), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4917236 - link do publikacji
  6. The electronic band structure of Ge1−x Sn x in the full composition range: indirect, direct, and inverted gaps regimes, band offsets, and the Burstein–Moss effect IF: 2,588
    Autorzy:
    M. P. Polak, P. Scharoch, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Phys. D: Appl. Phys (rok: 2017, tom: 50, strony: 195103), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1088/1361-6463/aa67bfJ - link do publikacji