Projekty finansowane przez NCN
Wpływ ciśnienia hydrostatycznego i zewnętrznych pól elektrycznego i magnetycznego na stan izolatora topologicznego w studniach kwantowych InGaN/GaN bogatych w ind
2012/07/B/ST3/03174
Słowa kluczowe:
topologiczny izolator półprzewodniki azotkowe studnie kwantowe ciśnienie hydrostatyczne pola elektryczne i magnetyczne
Deskryptory:
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu
- ST3_12: Nanofizyka: nanoelekronika, nanofotonika, nanomagnetyzm
Panel:
ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka
Kierownik projektu (z jednostki realizującej):
Liczba wykonawców projektu: 4
Konkurs: OPUS 4 - ogłoszony 2012-09-15
Przyznana kwota: 282 600 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2013-06-01
Zakończenie projektu: 2016-10-24
Planowany czas trwania projektu: 40 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Stacjonarny komputer osobisty. Za kwotę 20 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (5)
- Magnetoconductance in InN/GaN quantum wells in topological insulator phaseAutorzy:W. Bardyszewski, D. Rodak, S. P. ŁepkowskiCzasopismo:Europhysics Letters (rok: 2017, tom: 118, strony: 27001), Wydawca: European Physical SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1209/0295-5075/118/27001 - link do publikacji
- Polarization-Induced Band Inversion in In-Rich InGaN/GaN Quantum WellsAutorzy:S.P. Łepkowski, W. Bardyszewski, D. RodakCzasopismo:Acta Physica Polonica A (rok: 2014, tom: 126, strony: 1154-1155), Wydawca: Polich Academy of Sciences, Institute of PhysicsStatus:OpublikowanaDoi:10.12693/APhysPolA.126.1154 - link do publikacji
- Nonlinear Zeeman splitting of magnetoexcitons in c-plane wurtzite GaN-based quantum wellsAutorzy:W. Bardyszewski, S.P. ŁepkowskiCzasopismo:Physical Review B (rok: 2014, tom: 90, strony: od 075302-1 do 075302-6), Wydawca: American Physical SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1103/PhysRevB.90.075302 - link do publikacji
- Anomalous Rashba spin-orbit interaction in electrically controlled topological insulator based on InN/GaN quantum wellsAutorzy:S. P. Łepkowski, W. BardyszewskiCzasopismo:Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2017, tom: 29, strony: 195702), Wydawca: Institute of PhysicsStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/1361-648X/aa6860 - link do publikacji
- Topological phase transition and evolution of edge states in In-rich InGaN/GaN quantum wells under hydrostatic pressureAutorzy:S. P. Łepkowski, W. BardyszewskiCzasopismo:Journal of Physics: Condensed Matter (rok: 2017, tom: 29, strony: 55702), Wydawca: Institute of PhysicsStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/1361-648X/29/5/055702 - link do publikacji