Wyszukiwarka projektów

Stress control by micropits density variation in strained AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) heterostructures

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bogdan, Serafińczuk Jarosław, Drzik Milan*, Paszkiewicz Regina

Czasopismo:

Crystal Research and Technology (rok: 2016, tom: 51, strony: 225-230), Wydawca: John Wiley and Sons Inc.

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1002/crat.201500276 – link do publikacji

Surface topography analysis with application of roughness area dependence method

Autorzy:

Szyszka Adam, Wośko Mateusz M, Szymański Tomasz, Paszkiewicz Regina

Czasopismo:

Ultramicroscopy (rok: 2016, tom: 170, strony: s. 77-85), Wydawca: Elsevier

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.ultramic.2016.07.017 – link do publikacji

The Meyer–Neldel rule in conduction mechanism of the electrospun ZnO nanofibers

Autorzy:

Stafiniak Andrzej P, Tłaczała Marek

Czasopismo:

NANO: Brief Reports and Reviews (rok: 2016, tom: 11, strony: 1650025-1 - 1650025-5), Wydawca: World Scientific Publishing Co. Pte Ltd

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1142/S1793292016500259 – link do publikacji

Black phosphorus saturable absorber for ultrashort pulse generation

Autorzy:

J. Sotor, G. Soboń, W. Macherzyński, P. Paletko, K. M. Abramski

Czasopismo:

Applied Physics Letters (rok: 2015, tom: 107, strony: 051108-1, 051108-1), Wydawca: American Institute of Physics Publishing

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1063/1.4927673 – link do publikacji

CORRELATION OF SELECTED PROBLEMS DURING GaN MOVPE EPITAXY ON Si SUBSTRATES WITH IN–SITU INTERFEROMETER OBSERVATION

Autorzy:

Tomasz Szymański, Mateusz Wośko, Bogdan Paszkiewicz, Kornelia Indykiewicz, Regina Paszkiewicz

Czasopismo:

Journal of ELECTRICAL ENGINEERING (rok: 2014, tom: 65, strony: 294-298), Wydawca: Slovenska Technicka Univerzita

Status:

Opublikowana

DOI:

10.2478/jee-2014-0047 – link do publikacji

GaN/AlN superlattice high electronmobility transistor heterostructureson GaN/Si(111)

Autorzy:

Mateusz Wośko, Bogdan Paszkiewicz, Andrej Vincze, Tomasz Szymański, Regina Paszkiewicz

Czasopismo:

Phys. Status Solidi B (rok: 2015, tom: 252, strony: 1195– 1200), Wydawca: Wiley-VCH Verlag

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1002/pssb.201451596 – link do publikacji

Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates

Autorzy:

Mateusz Wośko, Bogdan Paszkiewicz, Tomasz Szymański, Regina Paszkiewicz

Czasopismo:

Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: 414, strony: 248-253), Wydawca: Elsevier

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1016/j.jcrysgro.2014.10.048 – link do publikacji

Stress engineering in GaN structures grown on Si(111) substrates by SiN masking layer application

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bogdan, Paszkiewicz Regina, Drzik Milan

Czasopismo:

Journal of Vacuum Science & Technology A (rok: 2015, tom: 33, strony: 46029), Wydawca: AVS Science and Technology Society

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1116/1.4921581 – link do publikacji

Electrical conduction of a single electrospun ZnO nanofiber

Autorzy:

Stafiniak Andrzej P, Boratyński Bogusław, Baranowska-Korczyc Anna*, Fronc Krzysztof*, Elbaum Danek*, Tłaczała Marek

Czasopismo:

Electrical conduction of a single electrospun ZnO nanofiber (rok: 2014, tom: 97, strony: 1157–1163), Wydawca: Wiley-Blackwell

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1111/jace.12759 – link do publikacji

Improvement of the electron beam lithography contact pads fabrication process

Autorzy:

Indykiewicz Kornelia, Paszkiewicz Regina, Paszkiewicz Bogdan

Czasopismo:

Optica Applicata (rok: 2016, tom: 46, strony: 249-254), Wydawca: Technical University of Wroclaw

Status:

Opublikowana

DOI:

10.5277/oa160209 – link do publikacji

Growth and coalescence control of inclined caxis polar and semipolar GaN multilayer structures grown on Si(111), Si(112), and Si(115) by metalorganic vapor phase epitaxy

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bartłomiej, Paszkiewicz Bogdan, Paszkiewicz Regina, Sankowska Iwona

Czasopismo:

Journal of Vacuum Science & Technology A (rok: 2016, tom: 35, strony: 46030), Wydawca: AVS Science and Technology Society

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1116/1.4958805 – link do publikacji

Microanalysis of the Ti/Al and Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts metallization to AlGaN/GaN heterostructures

Autorzy:

Wojciech Macherzynski, Andrzej Stafiniak, Bogdan Paszkiewicz, Jacek Gryglewicz, and Regina Paszkiewicz

Czasopismo:

Physica Status Solidi A (rok: 2016, tom: 213, strony: 1145-1149), Wydawca: Wiley-VCH in Berlin

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1002/pssa.201532684 – link do publikacji

Investigation of selected material issues of GaN epitaxial layers grown on Si substrates by MOVPE

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bogdan, Paszkiewicz Regina

Konferencja:

2nd International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2014, strony: s. 140-143), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 1-4, 2014

Status:

Opublikowana

Conductivity model of electrospun ZnO nanofibers

Autorzy:

Stafiniak Andrzej P, Gryglewicz Jacek I, Boratyński Bogusław, Tłaczała Marek

Konferencja:

International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2015, strony: s. 227-230), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 1-4, 2015

Status:

Opublikowana

Improvement of AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure.

Autorzy:

Wośko Mateusz M , Paszkiewicz Bogdan , Szymański Tomasz , Paszkiewicz Regina

Konferencja:

16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (rok: 2015, strony: s. 195-198,), Wydawca: The Nanometer Structure Consortium at Lund University

Data:

konferencja June 7-10, 2015

Status:

Opublikowana

THE INFLUENCE OF ALGAN LAYER ETCHING ON THE PARAMETERS OF TI/AL/MO/AU OHMIC CONTACTS TO ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES

Autorzy:

J. Gryglewicz, W. Macherzyński, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz

Konferencja:

Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2015, strony: 256-259), Wydawca: University of Zilina

Data:

konferencja 1-4.06.2015

Status:

Opublikowana

Stress determination capabilities of the multilayers AIIIN-based structures grown on Si(11x) by MOVPE method

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bogdan, Paszkiewicz Regina

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT (rok: 2016, strony: 23-26), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE ON THE TI/AL/MO/AU OHMIC CONTACT

Autorzy:

W. Macherzyński, J. Gryglewicz, J. Prazmowska, A. Stafiniak, R. Paszkiewicz

Konferencja:

Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2015, strony: 206-209), Wydawca: University of Zilina

Data:

konferencja 1-4.06.2015

Status:

Opublikowana

Optimization of reactive ion etching process of AlGaN/GaN heteterostructures used for electronic devices

Autorzy:

J. Gryglewicz, W. Macherzyński, A. Stafiniak, M. Wośko, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M.Tłaczała

Konferencja:

10th Interregional Workshop between Saxonia, Silesia and Czech Advanced Nanomaterials - Synthesis, Properties, Characterization (rok: 2014, strony: 8), Wydawca: Wroclaw University of TEchnology

Data:

konferencja 13-14 November, 2014

Status:

Opublikowana

ANALYSIS OF METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE AT OHMIC CONTACTS TO ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE

Autorzy:

J. Prażmowska, W. Macherzyński, R. Paszkiewicz

Konferencja:

Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2015, strony: 296-299), Wydawca: University of Zilina

Data:

konferencja 1-4.06.2015

Status:

Opublikowana

Alternative metalization for the Ti/Al/Mo/Au ohmic contact to the AlGaN/GaN heterostructure

Autorzy:

Macherzyński Wojciech, Paszkiewicz Bogdan, Stafiniak Andrzej P, Szymański Tomasz, Paszkiewicz Regina

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2016, strony: 227-231), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

LP MOVPE selective epitaxial growth of InP:Fe on nanplanar substrates

Autorzy:

Kosior Łukasz, Badura Mikołaj, Zborowska-Lindert Iwona, Radziewicz Damian, Stafiniak Andrzej P, Ściana Beata, Tłaczała Marek

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT (rok: 2016, strony: 87-90), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

Analysis of factors influencing the resolution of gate fabricated by photolitography technique

Autorzy:

J. Prażmowska, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2016, strony: 223-226), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

Application of Pd nano-islands for nanostructuring of AlGaN/GaN heterostructures

Autorzy:

Stafiniak Andrzej P, Owczarzak Sławomir, Macherzyński Wojciech

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2016, strony: 203-206), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

Different buffer approaches for AlGaN/GaN heterostructures epitaxy on Si(111) substrates

Autorzy:

M. Wosko, B. Paszkiewicz, T. Szymanski, R. Paszkiewicz

Konferencja:

The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (rok: 2014, strony: 81-84), Wydawca: Institute of Electronics and Photonics, Bratislava

Data:

konferencja 20-22 October 2014

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Investigation of oxygen plasma etching of diamond-like carbon films

Autorzy:

Kijaszek Wojciech, Prażmowska-Czajka Joanna, Oleszkiewicz Waldemar

Konferencja:

4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (rok: 2016, strony: 95- 98), Wydawca: University of Žilina

Data:

konferencja June 20-23, 2016

Status:

Opublikowana

Influence of V/III ratio during MOVPE GaN buffer growth on the properties of AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) structures for HEMT purposes

Autorzy:

Szymański Tomasz, Wośko Mateusz M, Paszkiewicz Bogdan, Serafińczuk Jarosław, Drzik Milan, Paszkiewicz Regina

Konferencja:

16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (rok: 2015, strony: s. 207-210), Wydawca: The Nanometer Structure Consortium at Lund University

Data:

konferencja June 7-10, 2015

Status:

Opublikowana

Application of real time in-situ interferometry for the observation of GaN/Si MOVPE growth process

Autorzy:

T. Szymanski, M. Wośko, B. Paszkiewicz, K. Indykiewicz, R. Paszkiewicz

Konferencja:

The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (rok: 2014, strony: 77-80), Wydawca: Institute of Electronics and Photonics, Bratislava

Data:

konferencja 20-22 October 2014

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Precise etching of AlGaN/GaN HEMT structures with Cl2/BCl3/Ar plasma

Autorzy:

J. Gryglewicz, R. Paszkiewicz, W. Macherzyński, A. Stafiniak, M. Wośko

Konferencja:

The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (rok: 2014, strony: 73-76), Wydawca: Institute of Electronics and Photonics, Bratislava

Data:

konferencja 20-22 October 2014

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Mushroom - like profile fabrication in Lo/Hi resist system by electron beam lithography

Autorzy:

K. Indykiewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz

Konferencja:

10th Interregional Workshop between Saxonia, Silesia and Czech Advanced Nanomaterials - Synthesis, Properties, Characterization (rok: 2014, strony: 12), Wydawca: Wroclaw University of TEchnology

Data:

konferencja 13-14 November, 2014

Status:

Opublikowana

Materials - Microstructure of the Ti/Al ohmic contacts to the AlGaN/GaN heterostructure

Autorzy:

W. Macherzyński, B. Paszkiewicz, A. Stafiniak, M. Wośko

Książka:

Vacuum Technique & Technology (rok: 2014, tom: 1, strony: 93-99), Wydawca: Tele & Radio Research Institute, Warsaw

Status:

Opublikowana

Wpływ parametrów technologicznych na rozdzielczość struktur testowych Ti/Au wytwarzanych w procesie litografii elektronowej

Autorzy:

Indykiewicz Kornelia

Książka:

Badani i Rozwój Młodych Naukowców w Polsce - Nauki techniczne i inyżynieryjne (rok: 2015, tom: I, strony: 59-63), Wydawca: Młodzi Naukowcy

Status:

Opublikowana

Methods of Characterization - Characterization of diamond-like carbon films deposited by RF ICP PECVD method - investigation of technologica process parameters influence on properties of deposited DLC films

Autorzy:

W. Oleszkiewicz, W. Kijaszek, J. Kovac Jr, J. Kovac, A. Zakrzewski, S. Patela, M. Tlaczala

Książka:

Vacuum Technique & Technology (rok: 2014, tom: 1, strony: 123-136), Wydawca: Tele & Radio Research Institute

Status:

Opublikowana

Wykorzystanie profilometru optycznego w celu badania naprężeń występujących w heterostrukturach AlGaN/GaN osadzanych metodą MOVPE na podłożach krzemowych do zastosowań w tranzystorach typu HEMT

Autorzy:

Szymański Tomasz, Szyszka Adam, Wośko Mateusz M

Książka:

Badani i Rozwój Młodych Naukowców w Polsce - Polimery i kompozyty (rok: 2015, tom: I, strony: 92-97), Wydawca: Młodzi Naukowcy 2015

Status:

Opublikowana