Konstrukcja precyzyjnego modelu pułapek w strukturach metal/dielektryk/4H-SiC przy wykorzystaniu pomiaru prądu wzbudzanego termicznie (TSC).
2012/07/B/ST7/01336
Słowa kluczowe
Deskryptory
- ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
- ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
Panel
ST7 – Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika
Jednostka realizująca
Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
woj. mazowieckie
Kierownik projektu (z jednostki realizującej)
Liczba wykonawców projektu: 7
Konkurs
OPUS 4 – ogłoszony 2012-09-15
- Przyznana kwota
- 955 065 PLN
- Rozpoczęcie projektu
- 2013-07-11
- Zakończenie projektu
- 2015-07-10
- Planowany czas trwania projektu
- 24 miesiące (z wniosku)
- Status projektu
- Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Drukarka.
- Moduł laserowy.
- Specjalizowane stanowisko do pomiarów ostrzowych struktur mikroelektronicznych w zakresie temperatur 10K - 325 K zasilane ciekłym helem w obiegu zamkniętym. Za kwotę 500 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
Publikacje w czasopismach (5)
-
Influence of phosphorus implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure
- Autorzy:
- Krystian Król, Mariusz Sochacki, Marcin Turek, Jerzy Żuk, Paweł Borowicz, Dominika Teklińska, Piotr Konarski, Maciej Miśnik, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Jan Szmidt
- Czasopismo:
- Materials Science Forum (rok: 2015, tom: 821-823, strony: 496-499), Wydawca: Trans Tech Publications Inc.
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.4028/www.scentific.net/MSF.821-823.496 – link do publikacji
-
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
- Autorzy:
- Krystian Król, Mariusz Sochacki, Michał Waśkiewicz, Jan Szmidt
- Czasopismo:
- Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania (rok: 2015, tom: 56, strony: 56-58), Wydawca: SIGMA-NOT
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.15199/13/2015.11.13 – link do publikacji
-
Chlorine-enhanced thermal oxides growth and significant trap density reduction at SiO2/SiC interface by incorporation of phosphorus
- Autorzy:
- Krystan Król, Mariusz Sochacki, Włodzimierz Strupiński, Katarzyna Racka, Marek Guziewicz, Piotr Konarski, Maciej Miśnik, Jan Szmidt
- Czasopismo:
- Thin Solid Films (rok: 2015, tom: 591, strony: 86-89), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.tsf.2015.08.028 – link do publikacji
-
Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack
- Autorzy:
- Piotr Firek, Grzegorz Głuszko, Lidia Łukasiak, Jan Szmidt, Andrzej Jakubowski, Mariusz Sochacki
- Czasopismo:
- Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2014, tom: 90, strony: 26-28), Wydawca: SIGMA_NOT
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.12915/pe.2014.09.08 – link do publikacji
-
Interface traps in Al/SiO2/HfO2/4H-SiC metal-insulator-semiconductor (MIS) structures studied by the thermally-stimulated current (TSC) technique
- Autorzy:
- Mariusz Sochacki, Krystian Król, Michał Waśkiewicz, Katarzyna Racka, Jan Szmidt
- Czasopismo:
- Microelectronic Engineering (rok: 2016, tom: 157, strony: 46-51), Wydawca: Elsevier
- Status:
- Opublikowana
- DOI:
- 10.1016/j.mee.2016.02.047 – link do publikacji