Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Konstrukcja precyzyjnego modelu pułapek w strukturach metal/dielektryk/4H-SiC przy wykorzystaniu pomiaru prądu wzbudzanego termicznie (TSC).

2012/07/B/ST7/01336

Słowa kluczowe:

półprzewodniki szerokopasmowe struktura metal/dielektryk/półprzewodnik MIS charakteryzacja elektryczna TSC prąd stymulowany termicznie

Deskryptory:

  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy
  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

prof. Jan Szmidt 

Liczba wykonawców projektu: 7

Konkurs: OPUS 4 - ogłoszony 2012-09-15

Przyznana kwota: 955 065 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-07-11

Zakończenie projektu: 2015-07-10

Planowany czas trwania projektu: 24 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Drukarka.
  2. Specjalizowane stanowisko do pomiarów ostrzowych struktur mikroelektronicznych w zakresie temperatur 10K - 325 K zasilane ciekłym helem w obiegu zamkniętym. Za kwotę 500 000 PLN
  3. Moduł laserowy.

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. Chlorine-enhanced thermal oxides growth and significant trap density reduction at SiO2/SiC interface by incorporation of phosphorus IF: 1,759
    Autorzy:
    Krystan Król, Mariusz Sochacki, Włodzimierz Strupiński, Katarzyna Racka, Marek Guziewicz, Piotr Konarski, Maciej Miśnik, Jan Szmidt
    Czasopismo:
    Thin Solid Films (rok: 2015, tom: 591, strony: 86-89), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.tsf.2015.08.028 - link do publikacji
  2. Interface traps in Al/SiO2/HfO2/4H-SiC metal-insulator-semiconductor (MIS) structures studied by the thermally-stimulated current (TSC) technique IF: 1,415
    Autorzy:
    Mariusz Sochacki, Krystian Król, Michał Waśkiewicz, Katarzyna Racka, Jan Szmidt
    Czasopismo:
    Microelectronic Engineering (rok: 2016, tom: 157, strony: 46-51), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.mee.2016.02.047 - link do publikacji
  3. Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
    Autorzy:
    Krystian Król, Mariusz Sochacki, Michał Waśkiewicz, Jan Szmidt
    Czasopismo:
    Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania (rok: 2015, tom: 56, strony: 56-58), Wydawca: SIGMA-NOT
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/13/2015.11.13 - link do publikacji
  4. Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack
    Autorzy:
    Piotr Firek, Grzegorz Głuszko, Lidia Łukasiak, Jan Szmidt, Andrzej Jakubowski, Mariusz Sochacki
    Czasopismo:
    Przegląd Elektrotechniczny (rok: 2014, tom: 90, strony: 26-28), Wydawca: SIGMA_NOT
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12915/pe.2014.09.08 - link do publikacji
  5. Influence of phosphorus implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure
    Autorzy:
    Krystian Król, Mariusz Sochacki, Marcin Turek, Jerzy Żuk, Paweł Borowicz, Dominika Teklińska, Piotr Konarski, Maciej Miśnik, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Jan Szmidt
    Czasopismo:
    Materials Science Forum (rok: 2015, tom: 821-823, strony: 496-499), Wydawca: Trans Tech Publications Inc.
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.4028/www.scentific.net/MSF.821-823.496 - link do publikacji