Projekty finansowane przez NCN
Wyznaczenie nieliniowych stałych sprężystości, piezoelektrycznych, elektrostrykcyjnych i dielektrycznych objętościowego azotku galu
2012/05/B/ST3/02516
Słowa kluczowe:
azotek galu stałe materiałowe nieliniowość sprężystość piezoelektryczność elektrostrykcja polaryzacja dielektryczna
Deskryptory:
- ST3_2: Mechaniczne i akustyczne własności materii skondensowanej
- ST3_7: Półprzewodniki
- ST3_6: Dynamika sieci krystalicznych
Panel:
ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka
Konkurs: OPUS 3 - ogłoszony 2012-03-15
Przyznana kwota: 375 460 PLN
Rozpoczęcie projektu: 2013-01-01
Zakończenie projektu: 2016-11-21
Planowany czas trwania projektu: 46 miesięcy (z wniosku)
Status projektu: Projekt rozliczony
Zakupiona aparatura
- Ultratermostat.
- Wzmacniacz szerokopasmowy.
- Generator sygnałowy. Za kwotę 17 000 PLN
- Oscyloskop cyfrowy + 2 sondy 10x.
- Woltomierz wektorowy. Za kwotę 28 000 PLN
Dane z raportu końcowego/rocznego
- Publikacje w czasopismach (7)
- Ab initio study of Ga-GaN system: Transition from adsorbed metal atoms to a metal–semiconductor junctionAutorzy:P. Witczak, P. Kempisty, P. Strąk, S. KrukowskiCzasopismo:Journal of Vacuum Science & Technology A (rok: 2015, tom: 33, strony: 61101), Wydawca: American Vacuum SocietyStatus:OpublikowanaDoi:10.1116/1.4927166 - link do publikacji
- Highly resistive C-doped hydride vapor phase epitaxy-GaN grown on ammonothermally crystallized GaN seedsAutorzy:M. Iwinska, R. Piotrzkowski, E. Litwin-Staszewska, T. Sochacki, M. Amilusik, M. Fijalkowski, B. Lucznik, and M.BockowskiCzasopismo:Applied Physics Express (rok: 2017, tom: 10, strony: 011003-1 - 011003-4), Wydawca: The Japan Society of Applied PhysicsStatus:OpublikowanaDoi:brak - link do publikacji
- Linear piezoelectricity material constants for ammonothermal gallium nitride measured by bulk acoustic wavesAutorzy:P. Witczak, Z. Witczak, R. Jemielniak, M. Kryśko, S. Krukowski, M. BoćkowskiCzasopismo:Semiconductor Science and Technology (rok: 2015, tom: 30, strony: 35008), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/0268-1242/30/3/035008 - link do publikacji
- Challenges and future perspectives in HVPEGaN growth on ammonothermal GaN seedsAutorzy:M. Bockowski, M. Iwinska, M. Amilusik, M. Fijalkowski, B. Lucznik and T. SochackiCzasopismo:Semiconductor Science and Technology (rok: 2016, tom: 31, strony: 45316), Wydawca: IOP PublishingStatus:OpublikowanaDoi:10.1088/0268-1242/31/9/093002 - link do publikacji
- Growth of HVPE-GaN on native seeds – numerical simulation based on experimental resultsAutorzy:B. Lucznik, M.Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, M.Fijalkowski, I.Grzegory, M.BockowskiCzasopismo:Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 86-90), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:brak - link do publikacji
- Homoepitaxial growth of HVPE-GaN doped with SiAutorzy:M. Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, P.Kempisty, B.Lucznik, M.Fijalkowski, E. Litwin-Staszewska, J.Smalc-Koziorowska, A.Khapuridze, G.Staszczak, I.Grzegory, M. BockowskiCzasopismo:Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 91-96), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:brak - link do publikacji
- Influence of edge-grown HVPE GaN on the structural quality of c-plane oriented HVPE-GaN grown on ammonothermal GaN substratesAutorzy:J.Z. Domagala, J.Smalc-Koziorowska, M.Iwinska, T.Sochacki, M.Amilusik, B. Lucznik, M.Fijalkowski, G.Kamler, I.Grzegory, R.Kucharski, M.Zajac, M. BockowskiCzasopismo:Journal of Crystal Growth (rok: 2016, tom: 456, strony: 80-85), Wydawca: ElsevierStatus:OpublikowanaDoi:brak - link do publikacji