Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wpływ fosforu na właściwości elektro-fizyczne warstw dielektryków wytwarzanych metodą utleniania termicznego 4H-SiC

2012/05/N/ST7/02035

Słowa kluczowe:

mikroelektronika węglik krzemu utlenianie termiczne

Deskryptory:

  • ST7_5: Mikro- i nanoelektronika, optoelektronika
  • ST7_2: Elektrotechnika, elektronika: półprzewodniki, elementy i układy, systemy

Panel:

ST7 - Inżynieria systemów i komunikacji: elektronika, komunikacja, optoelektronika

Jednostka realizująca:

Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Krystian Król 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 3 - ogłoszony 2012-03-15

Przyznana kwota: 149 998 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2013-03-25

Zakończenie projektu: 2016-03-24

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Monitor LCD o wysokiej rozdzielczości. Za kwotę 1 200 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  1. Depth Profile Analysis of Phosphorus Implanted SiC Structures
    Autorzy:
    P. Konarski, K. Król, M. Miśnik, M. Sochacki, J. Szmidt, M. Turek, J. Żuk
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica A (rok: 2015, tom: 128, strony: 864-866), Wydawca: Polish Academy of Sciences Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.128.864 - link do publikacji
  2. The Effect of Phosphorus Incorporation into SiO_2/4H-SiC (0001) Interface on Electrophysical Properties of MOS Structure
    Autorzy:
    K. Król, P. Konarski, M. Miśnik, M. Sochacki, J. Szmidt
    Czasopismo:
    Acta Physica Polonica A (rok: 2014, tom: 126/5, strony: 1100-1103), Wydawca: Polska Akademia Nauk
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.12693/APhysPolA.126.1100 - link do publikacji
  3. Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
    Autorzy:
    K. Król, M. Sochacki, J. Szmidt
    Czasopismo:
    Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania (rok: 2014, tom: 55/7, strony: 141-148), Wydawca: Sigma-Not
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.15199/ELE-2014-086 - link do publikacji
  4. Influence Of Phosphorus Implantation On Electrical Properties Of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure
    Autorzy:
    K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, D. Teklińska, P. Konarski, M. Miśnik, A. Domanowska, A. Michalewicz, J. Szmidt
    Czasopismo:
    Material Science Forum (rok: 2015, tom: 821-823, strony: 496-499), Wydawca: Trans-tech Publications
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.496 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy