Wyszukiwarka projektów

Description of tunneling through a metal-insulator-metal junction considering Coulomb Blockade

Autorzy:

D. Tanous, B. Majkusiak

Czasopismo:

Proc. of SPIE (rok: 2013, tom: vol. 8902, strony: 89020P-1 do 8), Wydawca: Eds. P. Szczepański, R. Kisiel, R.S. Romaniuk - SPIE

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1117/12.2031274 – link do publikacji

Effects of Inner Interface Traps on High-K Gate Stack Devices Admittance Characteristics

Autorzy:

Andrzej Mazurak, Jakub Jasiński, Bogdan Majkusiak

Czasopismo:

IEEE Xplore Digital Liberary (rok: 2016, tom: brak, strony: 194-197), Wydawca: IEEE

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer

Autorzy:

R.B. Beck and P. Korb

Czasopismo:

IEEE Xplore Digital Library (rok: 2017, tom: brak, strony: 46026), Wydawca: IEEE

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1109/ULIS.2017.7962573 – link do publikacji

Formation of ultrathin silicon layers by PECVD and their modification for nanoelectronic and nanophotonic applications

Autorzy:

Kamil Ber, Romuald B Beck

Czasopismo:

Proc. of SPIE (rok: 2013, tom: 8902, strony: 89022A1-10), Wydawca: Eds. P. Szczepański, R. Kisiel, R.S. Romaniuk - SPIE

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1117/12.2030884 – link do publikacji

Recrystallization and oxidation - competing processes during PECVD ultrathin silicon layer high temperature annealing

Autorzy:

Romuald B. Beck; Kamil Ber

Czasopismo:

IEEE Xplore Digital Liberary (rok: 2016, tom: brak, strony: 190-193), Wydawca: IEEE

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Charging/discharging processes in nanocrystaline MOS structures - Theoretical study

Autorzy:

D. Tanous, A. Mazurak, B. Majkusiak

Czasopismo:

Journal of Physics - Conference Series (rok: 2016, tom: -, strony: -), Wydawca: -

Status:

Opublikowana

DOI:

10.1088/issn.1742-6596 – link do publikacji

Small-signal admittance model of multi-traps distributed over energy and space in the insulator of MIS tunnel structures

Autorzy:

J. Jasiński, A. Mazurak, R. Mroczyński, B. Majkusiak

Czasopismo:

Microelectronic Engineering (rok: 2015, tom: 147, strony: 349-353), Wydawca: Elsevier

Status:

Opublikowana

DOI:

link do publikacji

Effect of Inner Interface Traps on High-K Gate Stack Devices Admittance Characteristics

Autorzy:

A. Mazurak, J. Jasiński, B. Majkusiak

Konferencja:

2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (rok: 2016, strony: 110-111), Wydawca: Society for Micro- and Nanoelectronics c/o Techniche Universitat Wien

Data:

konferencja January 25-27 2016

Status:

Opublikowana

Ellipsometric spectroscopy as a tool for investigation of nanocrystals in ultrathin PECVD silicon layers' behavior during high temperature annealing

Autorzy:

R.B. Beck, P. Korb and K. Ber

Konferencja:

E-MRS Fall Meeting 2016 (rok: 2016, strony: 111-111), Wydawca: E-MRS

Data:

konferencja 19-22 September 2016

Status:

Opublikowana

Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer

Autorzy:

R.B. Beck and P. Korb

Konferencja:

2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (rok: 2017, strony: 110-111), Wydawca: Society for Micro- and Nanoelectronics c/o Institute on Nanoscience and Nanotechnology, NCSR Demokritos Athens

Data:

konferencja April 3-5 2017

Status:

Opublikowana

Effects of High Temperature Annealing of Double Barrier Structure with Ultrathin PECVD Silicon and Non-Stoichiometric Oxide Layers

Autorzy:

R.B. Beck. P. Korb

Konferencja:

XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE'2016 (rok: 2016, strony: 46024), Wydawca: AGH Kraków

Data:

konferencja 11-14 września 2016r.

Status:

Opublikowana

Wytwarzanie ultracienkich warstw krzemowych metodą PECVD i ich modyfikacja dla potrzeb nanoelektroniki i nanofotoniki

Autorzy:

K. Ber, R.B. Beck

Konferencja:

XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE'2013 (rok: 2013, strony: 46024), Wydawca: Eds. P. Szczepański, R. Piramidowicz - Poliechnika Warszawska

Data:

konferencja 16-20 2013r.

Status:

Opublikowana

Small-signal admittance model of multi-traps distributed over energy and space in the insulator of MIS tunnel structures

Autorzy:

J. Jasiński, A. Mazurak, R. Mroczyński, B. Majkusiak

Konferencja:

19th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2015), 29 VI - 2 VII 2015, Udine, Włochy (rok: 2015, strony: 103-104), Wydawca: Conference Organizing Committee

Data:

konferencja 29 VI - 2 VII 2015

Status:

Opublikowana

Charging/discharging processes in nanocrystaline MOS structures - Theoretical study

Autorzy:

D. Tanous, A. Mazurak, B. Majkusiak

Konferencja:

MICROTECHNOLOGY AND THERMAL PROBLEMS IN ELECTRONICS (MICROTHERM 2015), 23 - 25 VI 2015 Łódź (rok: 2015, strony: 277-282), Wydawca: Lodz University of Technology

Data:

konferencja 23-25.07.2015

Status:

Opublikowana

Recrystallization and Oxidation - Competing Processes during PECVD Ultrathin SIliocn Layer High Temperature Annealing

Autorzy:

Romuald B. Beck; Kamil Ber

Konferencja:

2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (rok: 2016, strony: 108-109), Wydawca: Society for Micro- and Nanoelecotrnics c/o Techniche Universitat Wien

Data:

konferencja Januar 25-27 2016

Status:

Opublikowana

Study of the effect of tunneling through the traps inside the insulator on small-signal admittance on the MOS structure

Autorzy:

J. Jasiński, A. Mazurak, B. Majkusiak

Konferencja:

18th Conference on Insulating Films on Semiconductor - INFOS'2013 (rok: 2013, strony: 144-145), Wydawca: Eds. L. Łukasiak, J. Grabowski - Oficyna Wydawnicza PW

Data:

konferencja 25-28 June 2013

Status:

Opublikowana

Analysis of competing processes of oxidation and recrystallization of amorphous silicon layers in double dielectric barrier ultra-thin structures

Autorzy:

K. Ber, R.B. Beck

Konferencja:

18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, WODIM 2014 (rok: 2014, strony: 145-146), Wydawca: Tyndall National Institute

Data:

konferencja 9-11 June 2014

Status:

Opublikowana

Theoretical andExperimental Investigation of ncMOS Structures with Ge nanocrystals for Memory and Photonic Applications

Autorzy:

D. Tanous, A. Mazurak, B. Majkusiak, R. Beyer

Konferencja:

18th Workshop on Dielectrics ini Microelectronics, WODIM 2014 (rok: 2014, strony: 163-164), Wydawca: Tyndall National Institute

Data:

konferencja 9-11 June 2014

Status:

Opublikowana