Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Azotek galu domieszkowany berylem - w kierunku nowej generacji konwerterów optycznych.

2011/03/B/ST3/02647

Słowa kluczowe:

Azotek galu beryl głębokie defekty akceptory domieszkowanie na typ p.

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST3_5: Własności elektronowe materiałów i transportu

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

INSTYTUT FIZYKI PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Henryk Teisseyre 

Liczba wykonawców projektu: 8

Konkurs: OPUS 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 477 230 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-08-01

Zakończenie projektu: 2016-10-06

Planowany czas trwania projektu: 50 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (5)
  1. A Monolithic White-Light LED Based on GaN Doped with Be
    Autorzy:
    Henryk Teisseyre *, Michal Bockowski, Toby David Young, Szymon Grzanka, Yaroslav Zhydachevskii, Izabella Grzegory, Adrian Kozanecki
    Czasopismo:
    Advances in Science and Technology Vol. 93 (2014) pp 264-269 (rok: 2014, tom: 93, strony: 264), Wydawca: Trans Tech Publications, Switzerland
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.4028/www.scientific.net/AST.93.264 - link do publikacji
  2. Temperature-Dependence of Exciton Radiative Recombination in (Al,Ga)N/GaN Quantum Wells Grown on a -Plane GaN Substrates
    Autorzy:
    Corfdir Pierre, Dussaigne Amélie, Teisseyre Henryk, Suski Tadeusz, Grzegory, Izabella, Lefebvre Pierre, Giraud Etienne, Shahmohammadi Mehran, Phillips Richard, Ganière Jean-Daniel, Grandjean Nicolas, Deveaud Benoît.
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2013, tom: 52, strony: 08JC01), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.52.08JC01 - link do publikacji
  3. A model for Be-related photo-absorption in compensated GaN:Be substrates
    Autorzy:
    W. R. Willoughby, M. E. Zvanut, J. Dashdorj, and M. Bockowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 115701), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4962460 - link do publikacji
  4. GaN doped with beryllium—An effective light converter for white light emitting diodes
    Autorzy:
    Henryk Teisseyre, Michal Bockowski, Izabella Grzegory, Adrian Kozanecki, Benjamin Damilano, Yaroslav Zhydachevskii, Michael Kunzer, Katarzyna Holc, and Ulrich T. Schwarz
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters 103, 011107 (2013) (rok: 2013, tom: 103, strony: 11107), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4812335 - link do publikacji
  5. Optical and Magnetic Resonance Studies of Be-doped GaN Bulk Crystals"
    Autorzy:
    E.R. Glaser, J.A. Freitas, Jr., D.F. Storm, Henryk Teisseyre and Michal Boćkowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 394, strony: brak), Wydawca: NORTH-HOLLAND
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2014.06.003 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy