Projekty finansowane przez NCN


Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wzrost metodą epitaksji z wiązek molekularnych oraz analiza zjawisk segregacji składników i ich wpływu na właściwości fizyczne warstw (Al,In,Ga)N

2011/03/B/ST5/02698

Słowa kluczowe:

AlInGaN mikroskopia elektronowa defekty półprzewodniki

Deskryptory:

  • ST5_4: Cienkie warstwy
  • ST5_19: Metody badań właściwości materiałów
  • ST5_9: Materiały do konstrukcji sensorów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Instytut Fizyki PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr hab. Jolanta Borysiuk 

Liczba wykonawców projektu: 8

Konkurs: OPUS 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 422 000 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-08-29

Zakończenie projektu: 2016-02-28

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. licencja MOLP. Za kwotę 366 PLN
  2. polerka do preparatyki TEM. Za kwotę 14 000 PLN
  3. detektor do dyfraktometru rtg z oprogramowaniem. Za kwotę 65 000 PLN
  4. komputer PC z monitorem. Za kwotę 5 927 PLN
  5. oprogramowanie do monochromatora. Za kwotę 4 305 PLN

Dane z raportu końcowego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  1. High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type GaN/AlN multi-quantum wells: Experimental and theoretical analysis
    Autorzy:
    A. Kaminska, D. Jankowski, P. Strak, K. P. Korona, M. Beeler, K. Sakowski, E. Grzanka, J. Borysiuk, K. Sobczak, E. Monroy, and S. Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 095705-1-9), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4962282 - link do publikacji
  2. High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    G. Muziol, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, S. Grzanka, E. Grzanka, A. Feduniewicz-Żmuda, J. Borysiuk, K. Sobczak, J. Domagała, A. Nowakowska-Siwińska, I. Makarowa, P. Perlin, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: 425, strony: 398-400), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2015.02.067 - link do publikacji
  3. Influence of pressure on the properties of GaN/AlN multi-quantum wells - Ab initio study
    Autorzy:
    Pawel Strak, Konrad Sakowski, Agata Kaminska, Stanislaw Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Physics and Chemistry of Solids (rok: 2016, tom: 93, strony: 100-117), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jpcs.2016.02.014 - link do publikacji
  4. Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures
    Autorzy:
    P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, A. Kaminska, D. Jankowski, K. P. Korona, K. Sobczak, J. Borysiuk, M. Beeler, E. Grzanka, E. Monroy, S. Krukowski
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2017, tom: 7, strony: 015027-1-26), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
  5. Measurements of strain in AlGaN/GaN HEMT structures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    J. Borysiuk, K. Sobczak, A. Wierzbicka, E. Jezierska, K. Klosek, M. Sobanska, Z.R. Zytkiewicz, B. Lucznik
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 401, strony: 355-358), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2014.01.061 - link do publikacji
  6. Correlation of optical and structural properties of GaN/AlN multi-quantum wells-Ab initio and experimental study
    Autorzy:
    A. Kaminska, P. Strak, J. Borysiuk, K. Sobczak, J.Z. Domagala, M. Beeler, E. Grzanka, K. Sakowski, S. Krukowski, and E. Monroy
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 015703-1-10), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4939595 - link do publikacji
  7. Electric field dynamics in nitride structures containing quaternary alloy (Al, In, Ga)N
    Autorzy:
    J. Borysiuk, K. Sakowski, P. Drozdz, K. P. Korona, K. Sobczak, G. Muziol, C. Skierbiszewski, A. Kaminska, and S. Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 120, strony: 015702-1-10), Wydawca: AIP
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4955077 - link do publikacji