Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wpływ anizotropii kryształu GaN na właściwości warstw i struktur kwantowych InGaN i AlGaN o orientacji niepolarnej (10-10) i semipolarnej (20-21)

2011/03/N/ST3/02950

Słowa kluczowe:

epitaksja z wiązek molekularnych z uzyciem plazmy azotowej PAMBE m-plane (10-10) semipolar (20-21) dezorientacja AFM PL XRD TEM emisja światła spolaryzowanego pola elektryczne defekty strukturalne

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST3_1: Struktura ciał stałych i płynów

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Marta Sawicka 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 281 730 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-08-20

Zakończenie projektu: 2016-11-19

Planowany czas trwania projektu: 51 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (8)
  • Publikacje książkowe (1)
  1. Sensitivity of Fermi level position at Ga-polar, N-polar, and nonpolar m -plane GaN surfaces to vacuum and air ambient
    Autorzy:
    Ł. Janicki, M. Ramírez-López, J. Misiewicz, G. Cywiński, M. Boćkowski, G. Muzioł, C. Chèze, M. Sawicka, C. Skierbiszewski, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 55, strony: 05FA08-4), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.55.05FA08 - link do publikacji
  2. Surface potential barrier in m -plane GaN studied by contactless electroreflectance
    Autorzy:
    L. Janicki , J. Misiewicz, G. Cywinski 2 , M. Sawicka, C. Skierbiszewski, R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2016, tom: 9, strony: 021002-4), Wydawca: Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.9.021002 - link do publikacji
  3. Comparative study of semipolar (20-21), nonpolar (10-10) and polar (0001) multi-quantum well structures grown under N- and In-excess by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    M. Sawicka, P. Wolny, M. Kryśko, H. Turski, K. Szkudlarek, S. Grzanka, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2017, tom: 465, strony: 43-47), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2017.02.045 - link do publikacji
  4. Growth mechanisms in semipolar (20-21) and nonpolar m plane (10-10) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions
    Autorzy:
    M. Sawicka, C. Chèze, H. Turski, J. Smalc-Koziorowska, M. Kryśko, S. Kret, T. Remmele, M. Albrecht, G. Cywiński, I. Grzegory, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2013, tom: 377, strony: 184-191), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2013.04.045 - link do publikacji
  5. Ultraviolet laser diodes grown on semipolar (20-21) GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    M. Sawicka, G. Muziol, H. Turski, S. Grzanka, E. Grzanka, J. Smalc-Koziorowska, J. L. Weyher, C. Cheze, M. Albrecht, R. Kucharski, P. Perlin, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2013, tom: 102, strony: 251101-4), Wydawca: AIP Publishing LLC
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4812201 - link do publikacji
  6. Indium incorporation in semipolar (20-21) and nonpolar (10-10) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    M. Sawicka, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Kryśko, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, P. Wolny, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2017, tom: 459C, strony: 129-134), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2016.11.105 - link do publikacji
  7. Strain relaxation in semipolar (20-21) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    M. Sawicka, M. Krysko, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, P. Wolny, J. Smalc-Koziorowska, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2016, tom: 119, strony: 185701-9), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4948963 - link do publikacji
  8. Ultraviolet light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semipolar GaN (20-21) substrates
    Autorzy:
    M. Sawicka, C. Cheze, H. Turski, G. Muziol, S. Grzanka, C. Hauswald, O. Brandt, M. Siekacz, R. Kucharski, T. Remmele, M. Albrecht, M. Krysko, E. Grzanka, T. Sochacki, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2013, tom: 102, strony: 111107-4), Wydawca: American Institute of Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4796123 - link do publikacji
  1. InGaN laser diodes grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    C. Skierbiszewski, G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, M. Sawicka
    Książka:
    Handbook of Solid-State Lighting and LEDs (rok: 2017, tom: 1, strony: 321-360), Wydawca: Taylor & Francis/CRC press
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy