Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Mikroskopowy mechanizm wzrostu warstw InGaN i jego wpływ na fluktuacje składu indu

2011/03/N/ST3/02938

Słowa kluczowe:

InGaN AFM PL azotki fluktuacje składu indu MBE

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki
  • ST5_4: Cienkie warstwy
  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Henryk Turski 

Liczba wykonawców projektu: 3

Konkurs: PRELUDIUM 2 - ogłoszony 2011-09-15

Przyznana kwota: 395 670 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2012-08-14

Zakończenie projektu: 2014-11-13

Planowany czas trwania projektu: 27 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. pompa kriogeniczna CT10. Za kwotę 190 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (4)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (2)
  1. Role of Nonequivalent Atomic Step Edges in the Growth of InGaN by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Henryk Turski, Marcin Siekacz, Marta Sawicka, Zbig R. Wasilewski, Sylwester Porowski and Czeslaw Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Japanese Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 52, strony: 08JE02), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/JJAP.52.08JE02 - link do publikacji
  2. Cyan laser diode grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    H. Turski, G. Muziol, P. Wolny, S. Grzanka, G. Cywinski, M. Sawicka, P. Perlin, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    APPLIED PHYSICS LETTERS (rok: 2014, tom: 104, strony: 23503), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4861655 - link do publikacji
  3. Nonequivalent atomic step edges—Role of gallium and nitrogen atoms in the growth of InGaN layers
    Autorzy:
    H. Turski, M. Siekacz, Z.R. Wasilewski, M. Sawicka, S. Porowski, C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2013, tom: 367, strony: 115-121), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2012.12.026 - link do publikacji
  4. Photoluminescence characterization of InGaN/InGaN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: Impact of nitrogen and galium fluxes
    Autorzy:
    M. Baranowski, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, H. Turski, and C. Skierbiszewski
    Czasopismo:
    Physica Status Solidi B (rok: 2015, tom: 5, strony: 983-988), Wydawca: Wiley Online Library
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/pssb.201451588 - link do publikacji
  1. Role of nonequivalent atomic step edges in the growth of InGaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    Henryk Turski ; Marcin Siekacz ; Marta Sawiska ; Zbig R. Wasilewski ; Sylwester Porowski ; Czesław Skierbiszewski
    Konferencja:
    Photonics West 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 02.02.2013
    Status:
    Opublikowana
  2. True-blue nitride laser diodes grown by plasma assisted MBE on low dislocation density GaN substrates
    Autorzy:
    Henryk Turski ; Marcin Siekacz ; Grzegorz Muzioł ; Marta Sawicka ; Szymon Grzanka ; Piotr Perlin ; Tadeusz Suski ; Zbig R. Wasilewski ; Izabella Grzegory ; Sylwester Porowski ; Czeslaw Skierbiszewski
    Konferencja:
    Photonics West 2013 (rok: 2013, ), Wydawca: SPIE
    Data:
    konferencja 02.02.2013
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy