Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Wyznaczenie wpływu wodoru na wbudowywanie indu podczas wzrostu warstw GaInN za pomocą metody MOVPE - obliczenia ab initio

2011/01/N/ST3/04382

Słowa kluczowe:

ab initio DFT półprzewodniki III-V InGaN

Deskryptory:

  • ST3_7: Półprzewodniki

Panel:

ST3 - Fizyka fazy skondensowanej: struktura, własności elektronowe, płyny, nano-nauka

Jednostka realizująca:

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

woj. mazowieckie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

Paweł Kempisty 

Liczba wykonawców projektu: 4

Konkurs: PRELUDIUM 1 - ogłoszony 2011-03-15

Przyznana kwota: 228 800 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2011-12-01

Zakończenie projektu: 2014-05-31

Planowany czas trwania projektu: 30 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Komputer stacjonarny. Za kwotę 5 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (9)
  1. Adsorption of ammonia on hydrogen covered GaN(0001) surface - Density Functional Theory study
    Autorzy:
    Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski, Stanisław Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 401, strony: 514-517), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.061 - link do publikacji
  2. Adsorption of gallium on GaN(0001) surface in ammonia-rich conditions: A new effect associated with the Fermi level position
    Autorzy:
    Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski, Stanisław Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 401, strony: 78-81), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.055 - link do publikacji
  3. General aspects of the vapor growth of semiconductor crystals - A study based on DFT simulations of the NH3/NH2 covered GaN(0001) surface in hydrogen ambient
    Autorzy:
    Paweł Kempisty, Paweł Strak, Konrad Sakowski, Stanisław Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 390, strony: 71-79), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2013.12.039 - link do publikacji
  4. Adsorption of ammonia at GaN(0001) surface in the mixed ammonia/hydrogen ambient - a summary of ab initio data
    Autorzy:
    Paweł Kempisty and Stanisław Krukowski
    Czasopismo:
    AIP Advances (rok: 2014, tom: 4, strony: 117109), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4901922 - link do publikacji
  5. Foundations of ab initio simulations of electric charges and fields at semiconductor surfaces within slab models
    Autorzy:
    Stanisław Krukowski, Paweł Kempisty, Paweł Strąk
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2013, tom: 114, strony: 143705), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4824800 - link do publikacji
  6. Fermi level pinning and the charge transfer contribution to the energy of adsorption at semiconducting surfaces
    Autorzy:
    Stanisław Krukowski, Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2014, tom: 115, strony: 43529), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4863338 - link do publikacji
  7. Influence of hydrogen and TMIn on indium incorporation in MOVPE growth of InGaN layers
    Autorzy:
    Robert Czernecki, Slawomir Kret, Pawel Kempisty, Ewa Grzanka, Jerzy Plesiewicz, Greg Targowski, Szymon Grzanka, Marta Bilska, Julita Smalc-Koziorowska, Stanislaw Krukowski, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Mike Leszczynski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 402, strony: 330-336), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2014.05.027 - link do publikacji
  8. Fermi level influence on the adsorption at semiconductor surfaces - ab initio simulations
    Autorzy:
    Stanisław Krukowski, Paweł Kempisty, Paweł Strąk
    Czasopismo:
    Journal of Applied Physics (rok: 2013, tom: 114, strony: 63507), Wydawca: AIP Publishing
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4817903 - link do publikacji
  9. DFT study of ammonia desorption from the GaN(0001) surface covered with a NH3/NH2 mixture
    Autorzy:
    Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski, Stanisław Krukowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2014, tom: 403, strony: 105-109), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2014.06.016 - link do publikacji

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy