Projekty finansowane przez NCN

Dane kierownika projektu i jednostki realizującej

Szczegółowe informacje o projekcie i konkursie

Słowa kluczowe

Aparatura

Wyczyść formularz

Badania anizotropii naprężeń oraz naprężeń resztkowych w mocno niedopasowanych stopach półprzewodnikowych III - V - N

2011/01/D/ST5/04769

Słowa kluczowe:

półprzewodniki III-V-N XRD AFM spektroskopia absorpcyjna

Deskryptory:

  • ST5_1: Właściwości strukturalne materiałów
  • ST5_8: Nowe materiały: tlenki, stopy, kompozyty, hybrydy organiczno-nieorganiczne, nadprzewodniki
  • ST5_9: Materiały do konstrukcji sensorów

Panel:

ST5 - Synteza i materiały: otrzymywanie materiałów, związki struktury z właściwościami, nowoczesne materiały o założonych właściwościach, architektura (makro)molekularna, chemia organiczna, chemia nieorganiczna

Jednostka realizująca:

Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

woj. dolnośląskie

Inne projekty tej jednostki 

Kierownik projektu (z jednostki realizującej):

dr Jarosław Serafińczuk 

Liczba wykonawców projektu: 5

Konkurs: SONATA 1 - ogłoszony 2011-03-15

Przyznana kwota: 425 064 PLN

Rozpoczęcie projektu: 2011-12-16

Zakończenie projektu: 2014-12-15

Planowany czas trwania projektu: 36 miesięcy (z wniosku)

Status projektu: Projekt rozliczony

Zakupiona aparatura

  1. Komputer Laptop. Za kwotę 5 000 PLN
  2. Komputer PC. Za kwotę 5 000 PLN

Dane z raportu końcowego/rocznego

  • Publikacje w czasopismach (7)
  • Teksty w publikacjach pokonferencyjnych (7)
  1. Ammonothermal growth of GaN crystals on HVPE-GaN seeds prepared with the use of ammonothermal substrates
    Autorzy:
    R. Kucharski, M. Zając, A. Puchalski, T. Sochacki, M. Boćkowski, J. Weyher, M. Iwinska, J. Serafińczuk, R. Kudrawiec, Z. Siemiątkowski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: 427, strony: 1–6), Wydawca: ELSEVIER
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2015.06.019 - link do publikacji
  2. Electronic band structure of compressively strained Ge1-xSnx with x<0.11 studied by contactless electroreflectance
    Autorzy:
    K. Zelazna, M. P. Polak, P. Scharoch, J. Serafinczuk, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. Dekoster, and R. Kudrawiec
    Czasopismo:
    Applied Physics Letters (rok: 2015, tom: 106, strony: 142102), Wydawca: AIP Publishing LLC
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1063/1.4917236 - link do publikacji
  3. Determination of lateral block size and mosaic of crystals using in-plane X-ray diffraction
    Autorzy:
    Jarosław Serafińczuk
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: -, strony: -), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Złożona
    Doi:
    - - link do publikacji
  4. Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE
    Autorzy:
    Ł. Gelczuk, D. Pucicki, J. Serafińczuk, M. Dąbrowska-Szata, P. Dłużewski
    Czasopismo:
    Journal of Crystal Growth (rok: 2015, tom: 430, strony: 14-20), Wydawca: Elsevier
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1016/j.jcrysgro.2015.07.036 - link do publikacji
  5. Atomic force microscopy of partially polished and epi-ready c-plane GaN substrates obtained by ammonothermal method
    Autorzy:
    Jaroslaw Serafinczuk, Grzegorz Jóźwiak , Piotr Pałetko , Robert Kudrawiec , Robert Kucharski , Marcin Zajac , Teodor Gotszalk
    Czasopismo:
    Applied Physics Express (rok: 2014, tom: -, strony: 055504-1), Wydawca: The Japan Society of Applied Physics
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.7567/APEX.7.055504 - link do publikacji
  6. Fourier analysis of scratches generated on m-GaN substrates during polishing
    Autorzy:
    Jaroslaw Serafinczuk, Grzegorz Jóźwiak , Piotr Pałetko , Robert Kudrawiec , Robert Kucharski , Marcin Zajac , Teodor Gotszalk
    Czasopismo:
    Crystal Research & Technology (rok: 2015, tom: 50, strony: 263-267), Wydawca: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/crat.201400465 - link do publikacji
  7. Structural properties of bulk GaN substrates: Impact of structural anisotropy on non-polar and semi-polar crystals
    Autorzy:
    Jaroslaw Serafinczuk, Robert Kucharski, Marcin Zajac, Teodor Pawel Gotszalk, and Robert Kudrawiec
    Czasopismo:
    Crystal Research & Technology (rok: 2015, tom: -, strony: -), Wydawca: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
    Status:
    Opublikowana
    Doi:
    10.1002/crat.201500125 - link do publikacji
  1. Influence of polishing of GaN substrates obtained by ammonothermal method on the structural properties
    Autorzy:
    Jarosław Serafińczuk, Grzegorz Jóźwiak, Robert Kudrawiec, Daniel Kopiec, Teodor P. Gotszalk, Robert Kucharski, Robert Doradzinski and Robert Dwilinski
    Konferencja:
    Compound Semiconductor Week 2013 - The 40th International Symposium on Compound Semiconductors + The 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (rok: 2013, ), Wydawca: Organizing Committee of CSW2013
    Data:
    konferencja 19-23 Maj
    Status:
    Opublikowana
  2. APPLICATION OF THE FOURIER TRANSFORM TO ROCKING CURVES ANALYZE IN III-V-N MATERIALS
    Autorzy:
    Jarosław Serafińczuk
    Konferencja:
    XXII INTERNATIONAL MATERIALS RESEARCH CONGRESS (rok: 2013, ), Wydawca: The Materials Research Society (MRS), Sociedad Mexicana de Materiales
    Data:
    konferencja 11-15 sierpień 2013
    Status:
    Opublikowana
  3. Application of in-plane x-ray diffractometry to determine mosaicity and lateral block size in highly mismatched epitaxial layers
    Autorzy:
    J.Serafińczuk, J. Kozłowski
    Konferencja:
    The International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: National Taiwan University of Science and Technology
    Data:
    konferencja June 10 to 14 in 2014
    Status:
    Opublikowana
  4. Propagation of scratches on GaN substrate crystals during polishing process
    Autorzy:
    J.Serafińczuk, G. Jóźwiak, P. Pałetko, R. Kudrawiec, R. Kucharski, M. Zajac and T.P. Gotszalk
    Konferencja:
    4th National Conference on Nano- and Micromechanics (KKNM) (rok: 2014, ), Wydawca: Wydział Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej
    Data:
    konferencja 8-10 lipiec
    Status:
    Opublikowana
  5. Propagation of scratches on GaN substrates during polishing
    Autorzy:
    J.Serafińczuk, G. Jóźwiak, P. Pałetko, R. Kudrawiec, R. Kucharski, M. Zajac, and T.P. Gotszalk
    Konferencja:
    The International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014) (rok: 2014, ), Wydawca: National Taiwan University of Science and Technology
    Data:
    konferencja 10 - 14 czerwiec
    Status:
    Opublikowana
  6. Propagation of scratches on m-GaN substrates during polishing
    Autorzy:
    J.Serafińczuk , G. Jóźwiak , P. Pałetko , R. Kudrawiec , R. Kucharski , M. Zajac , and T.P. Gotszalk
    Konferencja:
    THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS 2014 (rok: 2014, ), Wydawca: Institute of High Pressure Physics, EIT+, Wroclaw University
    Data:
    konferencja 24-29 sierpień
    Status:
    Opublikowana
  7. Structural and optical properties of c-, m-, a- and (20.1)-plane GaN substrates obtained by ammonothermal method
    Autorzy:
    J. Serafińczuk, D. Kopiec, M. Moczała, T. P. Gotszalk, R. Kudrawiec, R. Kucharski, M. Zając, R. Doradziński and R. Dwiliński
    Konferencja:
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (rok: 2012, ), Wydawca: Organizing Committee of IWN2012
    Data:
    konferencja 14-19 październik
    Status:
    Opublikowana

O Narodowym Centrum Nauki

Finansowanie nauki

Współpraca zagraniczna

Centrum prasowe

Deklaracja dostępności
Przetwarzanie danych osobowych
Polityka cookies

Partnerzy